基于异构集成技术的FBAR开关滤波器组芯片

基于异构集成技术,研制了一款各通道中心频率分别为1.5,1.8,1.9和2.0 GHz的四通道高性能开关滤波器组芯片。使用了金锡凸点焊接的组装工艺,与键合线工艺相比,其互连强度更高,寄生参数更小。薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片与微波单片集成电路(MMIC)开关电路芯片采用自主可控的FBAR工艺、 0.35μm GaAs工艺研制。为满足窄带、高矩形度、低插入损耗开关滤波器组的需求,FBAR滤波器电路采用阶梯型拓扑结构。开关电路使用串-并联混合结构,兼顾低插入损耗和高隔离度。经探针台测试结果显示,各通道中心插入损耗小于3 dB,矩形系数比约为2.0,带外抑制大于45 dBc。开关滤波器组芯片面积为4 mm×4 mm,高度约为0.4 mm。

基于声学超晶格铌酸锂的新型体声波器件(英文)

设计了一种集成的声学器件 .它的基本结构是由下列 3部分组成的 ,即换能器部分、声学开关部分和声传播介质部分 ,但其材料均来源于铌酸锂晶体 .其中换能器与声开关部分是由声学超晶格铌酸锂构成的 ,而声的传播介质则是单畴铌酸锂 .着重研究了声开关部分所外加的直流偏压对在该器件中传播的声波的影响 .结果显示 :声开关部分对声波的反射率受到这一外加偏压大小的影响 ,外加偏压越大 ,则反射率越强 ;声子带隙也受到外加偏压的影响 ,外加偏压越大 ,则声子带隙将会增宽 .同时我们还发现了声开关的反射谱分布决定于铌酸锂超晶格的周期大小 ,且超晶格周期数的减小也会增宽声子带隙 .该器件在设计上有两大优点 :一是实现了声学开关器件的集成化 。

小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制

利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键合线与FBAR进行互连。将GaAs单片集成电路的大信号模型作为一个非线性器件,用探针台测试FBAR谐振器的单端口S参数,导入ADS软件进行谐波平衡法仿真和优化;通过电路制作和调试,达到了预期设计目标。该FBAR压控振荡器中心频率为2.44 GHz,调谐带宽15 MHz,单边带相位噪声达-110 dBc/Hz@10 kHz,与同频段同轴介质压控振荡器指标相当,但其尺寸更小,仅为5 mm×7 mm×2.35 mm。