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Dynamical analysis,geometric control and digital hardware implementation of a complex-valued laser system with a locally active memristor
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作者 李逸群 刘坚 +2 位作者 李春彪 郝志峰 张晓彤 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期226-236,共11页
In order to make the peak and offset of the signal meet the requirements of artificial equipment,dynamical analysis and geometric control of the laser system have become indispensable.In this paper,a locally active me... In order to make the peak and offset of the signal meet the requirements of artificial equipment,dynamical analysis and geometric control of the laser system have become indispensable.In this paper,a locally active memristor with non-volatile memory is introduced into a complex-valued Lorenz laser system.By using numerical measures,complex dynamical behaviors of the memristive laser system are uncovered.It appears the alternating appearance of quasi-periodic and chaotic oscillations.The mechanism of transformation from a quasi-periodic pattern to a chaotic one is revealed from the perspective of Hamilton energy.Interestingly,initial-values-oriented extreme multi-stability patterns are found,where the coexisting attractors have the same Lyapunov exponents.In addition,the introduction of a memristor greatly improves the complexity of the laser system.Moreover,to control the amplitude and offset of the chaotic signal,two kinds of geometric control methods including amplitude control and rotation control are designed.The results show that these two geometric control methods have revised the size and position of the chaotic signal without changing the chaotic dynamics.Finally,a digital hardware device is developed and the experiment outputs agree fairly well with those of the numerical simulations. 展开更多
关键词 complex-valued chaotic systems locally active memristor multi-stability Hamilton energy geometric control
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Nonlinear dynamics in non-volatile locally-active memristor for periodic and chaotic oscillations
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作者 Wen-Yu Gu Guang-Yi Wang +1 位作者 Yu-Jiao Dong Jia-Jie Ying 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期244-258,共15页
Complexity and abundant dynamics may arise in locally-active systems only, in which locally-active elements are essential to amplify infinitesimal fluctuation signals and maintain oscillating. It has been recently fou... Complexity and abundant dynamics may arise in locally-active systems only, in which locally-active elements are essential to amplify infinitesimal fluctuation signals and maintain oscillating. It has been recently found that some memristors may act as locally-active elements under suitable biasing. A number of important engineering applications would benefit from locally-active memristors. The aim of this paper is to show that locally-active memristor-based circuits can generate periodic and chaotic oscillations. To this end, we propose a non-volatile locally-active memristor, which has two asymptotically stable equilibrium points(or two non-volatile memristances) and globally-passive but locally-active characteristic. At an operating point in the locally-active region, a small-signal equivalent circuit is derived for describing the characteristics of the memristor near the operating point. By using the small-signal equivalent circuit, we show that the memristor possesses an edge of chaos in a voltage range, and that the memristor, when connected in series with an inductor,can oscillate about a locally-active operating point in the edge of chaos. And the oscillating frequency and the external inductance are determined by the small-signal admittance Y(iω). Furthermore, if the parasitic capacitor in parallel with the memristor is considered in the periodic oscillating circuit, the circuit generates chaotic oscillations. 展开更多
关键词 memristor chaos local activity Hopf bifurcation
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Synchronization coexistence in a Rulkov neural network based on locally active discrete memristor
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作者 马铭磷 谢小华 +2 位作者 杨阳 李志军 孙义闯 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第5期705-709,共5页
At present, many neuron models have been proposed, which can be divided into discrete neuron models and continuous neuron models. Discrete neuron models have the advantage of faster simulation speed and the ease of un... At present, many neuron models have been proposed, which can be divided into discrete neuron models and continuous neuron models. Discrete neuron models have the advantage of faster simulation speed and the ease of understanding complex dynamic phenomena. Due to the properties of memorability, nonvolatility, and local activity, locally active discrete memristors(LADMs) are also suitable for simulating synapses. In this paper, we use an LADM to mimic synapses and establish a Rulkov neural network model. It is found that the change of coupling strength and the initial state of the LADM leads to multiple firing patterns of the neural network. In addition, considering the influence of neural network parameters and the initial state of the LADM, numerical analysis methods such as phase diagram and timing diagram are used to study the phase synchronization. As the system parameters and the initial states of the LADM change, the LADM coupled Rulkov neural network exhibits synchronization transition and synchronization coexistence. 展开更多
关键词 locally active discrete memristor(LADM) Rulkov synchronization coexistence
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分数阶忆阻Henon映射的可控多稳定性及其视频加密应用
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作者 张红伟 付常磊 +4 位作者 潘志翔 丁大为 王金 杨宗立 刘涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期38-53,共16页
基于局部有源离散忆阻器构建一种能够产生任意数量共存吸引子的分数阶忆阻Henon映射.该映射的不动点数量由忆阻器内部参数控制,实现可控的同质多稳定性,适合基于混沌的工程应用.通过相图、分岔图、最大Lyapunov指数和吸引盆等方法揭示... 基于局部有源离散忆阻器构建一种能够产生任意数量共存吸引子的分数阶忆阻Henon映射.该映射的不动点数量由忆阻器内部参数控制,实现可控的同质多稳定性,适合基于混沌的工程应用.通过相图、分岔图、最大Lyapunov指数和吸引盆等方法揭示该映射的复杂动力学行为.数值模拟结果表明,该分数阶映射能够产生各种周期轨道、混沌吸引子和倍周期分岔等现象.随后使用ARM数字平台实现该系统,实验结果验证其物理可实现性.最后,基于该映射设计一种视频加密算法,并通过安全性分析验证该加密算法能够有效保证视频的安全传输. 展开更多
关键词 分数阶Henon映射 局部有源离散忆阻器 可控多稳定性 视频加密
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一种新型复合指数型局部有源忆阻器耦合的Hopfield神经网络
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作者 王梦蛟 †杨琛 +1 位作者 贺少波 李志军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期52-63,共12页
由忆阻耦合的神经网络模型,因其能更真实地反映生物神经系统的复杂动力学特性而被广泛研究.目前用于耦合神经网络的忆阻器数学模型主要集中在一次函数、绝对值函数、双曲正切函数等,为进一步丰富忆阻耦合神经网络模型,且考虑到一些掺杂... 由忆阻耦合的神经网络模型,因其能更真实地反映生物神经系统的复杂动力学特性而被广泛研究.目前用于耦合神经网络的忆阻器数学模型主要集中在一次函数、绝对值函数、双曲正切函数等,为进一步丰富忆阻耦合神经网络模型,且考虑到一些掺杂半导体中粒子的运动规律,设计了一种新的复合指数型局部有源忆阻器,并将其作为耦合突触用于Hopfield神经网络,利用基本的动力学分析方法,研究了系统在不同参数下的动力学行为,以及在不同初始值下多种分岔模式共存的现象.实验结果表明,忆阻突触内部参数对系统具有调控作用,且该系统拥有丰富的动力学行为,包括对称吸引子共存、非对称吸引子共存、大范围的混沌状态和簇发振荡等.最后,用STM32单片机对系统进行了硬件实现. 展开更多
关键词 局部有源忆阻器 HOPFIELD神经网络 多种共存吸引子 簇发振荡
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局部有源忆阻器的神经形态动力学
6
作者 王光义 《山东航空学院学报》 2024年第4期28-46,共19页
在算力需求指数增长的驱动下,计算机芯片晶体管密度的微缩接近物理极限,传统存算分离的冯诺依曼计算架构已形成速度和功耗瓶颈,一种有希望的替代方案是基于忆阻器神经形态动力学的类脑计算。忆阻器能够模拟神经元和突触行为在物理层面... 在算力需求指数增长的驱动下,计算机芯片晶体管密度的微缩接近物理极限,传统存算分离的冯诺依曼计算架构已形成速度和功耗瓶颈,一种有希望的替代方案是基于忆阻器神经形态动力学的类脑计算。忆阻器能够模拟神经元和突触行为在物理层面直接处理与存储信息,可实现高效能、高算力和存算一体的类脑计算新架构。在文中主要介绍作者团队在局部有源忆阻器神经形态动力学研究方面的最新进展,其中包括局部有源忆阻器特性及建模,基于混沌边缘理论和局部有源忆阻器的人工神经元模型及其设计方法,忆阻神经元动作电位的动力学机理,对Smale悖论的理论解释和忆阻神经网络中的奇美拉态,以及忆阻神经元的物理实现及实验等。 展开更多
关键词 忆阻器 局部有源 混沌边缘 神经元 类脑计算
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新型忆阻耦合异质神经元的放电模式和预定义时间混沌同步
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作者 贾美美 曹佳伟 白明明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第17期106-125,共20页
首先提出一种新型局部有源忆阻器,并分析该忆阻器的频率特性、局部有源性及非易失性.然后将新型局部有源忆阻器引入二维Hindmarsh-Rose神经元和二维FitzHugh-Nagumo神经元,构建新型忆阻耦合异质神经元模型.在数值仿真中,通过改变耦合强... 首先提出一种新型局部有源忆阻器,并分析该忆阻器的频率特性、局部有源性及非易失性.然后将新型局部有源忆阻器引入二维Hindmarsh-Rose神经元和二维FitzHugh-Nagumo神经元,构建新型忆阻耦合异质神经元模型.在数值仿真中,通过改变耦合强度,发现该模型具有周期尖峰放电模式、混沌尖峰放电模式、周期簇发放电模式及随机簇发放电模式.最后基于Lyapunov稳定性理论和预定义时间稳定性理论,提出一种新型预定义时间同步策略,并将该策略应用于新型忆阻耦合异质神经元的混沌同步中.结果表明,与有限时间同步策略、固定时间同步策略和传统预定义时间同步策略相比,新型预定义时间同步策略的实际收敛时间最小.研究新型忆阻耦合异质神经元的放电模式和混沌同步有助于探索大脑的神经功能,并在神经信号处理及保密通信领域中具有重要意义. 展开更多
关键词 预定义时间同步策略 局部有源忆阻器 异质神经元 内部不确定性和外部干扰
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有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究 被引量:10
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作者 包伯成 邹相 +1 位作者 胡文 武花干 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期593-597,共5页
忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种基本二端电路元件.以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆阻器与电容串联电路(简称有源WC电路)的频率响应特性,并与有... 忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种基本二端电路元件.以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆阻器与电容串联电路(简称有源WC电路)的频率响应特性,并与有源RC电路进行了比较分析.结果表明:有源忆阻器的伏安特性曲线为紧磁滞回线,且依赖于其内部初始状态;有源WC电路与有源RC电路均呈现高通特性,但前者为超前网络而后者为滞后网络.基于有源磁控忆阻器的等效电路进行了电路仿真,其结果很好地验证了理论分析结果. 展开更多
关键词 有源忆阻器 伏安关系 有源WC电路 频率特性
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基于有源广义忆阻的无感混沌电路研究 被引量:3
9
作者 俞清 包伯成 +2 位作者 徐权 陈墨 胡文 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期36-44,共9页
采用常见元器件等效实现一个广义忆阻器,进而制作出一个电路特性可靠的非线性电路,有助于忆阻混沌电路的非线性现象的实验展示及其所产生的混沌信号的实际工程应用.基于忆阻二极管桥电路,构建了一种无接地限制的、易物理实现的一阶有源... 采用常见元器件等效实现一个广义忆阻器,进而制作出一个电路特性可靠的非线性电路,有助于忆阻混沌电路的非线性现象的实验展示及其所产生的混沌信号的实际工程应用.基于忆阻二极管桥电路,构建了一种无接地限制的、易物理实现的一阶有源广义忆阻模拟器;由该模拟器并联电容后与RC桥式振荡器线性耦合,实现了一种无电感元件的忆阻混沌电路;建立了无感忆阻混沌电路的动力学模型,开展了相应的耗散性、平衡点、稳定性和动力学行为等分析.结果表明,无感忆阻混沌电路在相空间中存在分布2个不稳定非零鞍焦的耗散区和包含1个不稳定原点鞍点的非耗散区;当元件参数改变时,无感忆阻混沌电路有着共存分岔模式和共存吸引子等非线性行为.研制了实验电路,该电路结构简单、易实际制作,实验测量和数值仿真两者结果一致,验证了理论分析的有效性. 展开更多
关键词 有源广义忆阻器 RC桥式振荡器 动力学建模 非线性行为
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局部有源忆阻器电路及其在HR耦合神经元网络中的应用 被引量:4
10
作者 孙亮 罗佳 乔印虎 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期3374-3383,共10页
该文提出一种新型局部有源忆阻器,使用标准非线性理论分析方法分析其特性,并通过直流伏安特性曲线来证明其局部有源性。此外,将局部有源忆阻器用于模拟生物突触,构建了一个局部有源忆阻突触耦合HR神经元网络。理论分析和数值仿真表明,... 该文提出一种新型局部有源忆阻器,使用标准非线性理论分析方法分析其特性,并通过直流伏安特性曲线来证明其局部有源性。此外,将局部有源忆阻器用于模拟生物突触,构建了一个局部有源忆阻突触耦合HR神经元网络。理论分析和数值仿真表明,在局部有源忆阻突触的影响下它能够产生多种放电模式和复杂的混沌行为。最后,实现了该局部有源忆阻突触耦合神经网络的模拟等效电路,并由功率模拟(PSIM)电路仿真验证了数值仿真的正确性。 展开更多
关键词 局部有源忆阻器 HR神经元 放电模式 混沌 模拟电路
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基于三次非线性忆阻器的有源低通滤波器 被引量:3
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作者 欧青立 赵平荣 游淼 《应用科技》 CAS 2014年第5期6-10,共5页
忆阻器是具有记忆和连续输出特点的非线性电阻器,现已成为电路中的第4种基本元件。以一个三次光滑的非线性忆阻器模型为基础,与常见的有源低通滤波器相结合,利用电路分析的基本理论,分析该电路的频率响应特性,并与有源RC电路进行对比,... 忆阻器是具有记忆和连续输出特点的非线性电阻器,现已成为电路中的第4种基本元件。以一个三次光滑的非线性忆阻器模型为基础,与常见的有源低通滤波器相结合,利用电路分析的基本理论,分析该电路的频率响应特性,并与有源RC电路进行对比,对含有忆阻器的有源低通滤波电路进行电路仿真,其结果很好地验证了理论分析。 展开更多
关键词 忆阻器 滤波电路 频率特性 有源低通滤波
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忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真 被引量:1
12
作者 曹新亮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期120-123,178,共5页
忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源... 忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源等效。MATLAB的系统级仿真结果表明:等效忆感器具有电流-磁通量之间的自收缩滞回特性,这与理论概念上的忆感特性相吻合,为忆感器在电子学中产生新功能的实验研究提供了功能模拟实体。 展开更多
关键词 忆感器 忆阻器 有源等效 滞回特性
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一种新的有源忆阻器在耦合FHN神经网络中的应用 被引量:1
13
作者 罗佳 孙亮 乔印虎 《湖北理工学院学报》 2020年第4期5-11,共7页
设计了一个新的阈值双稳态局部有源忆阻器,通过理论分析和数值验证研究了其忆阻和局部有源特性。在该忆阻器数学模型的基础上,提出了一种忆阻突触耦合FHN神经网络。利用分岔图、Lyapunov指数、相位图和时序图研究了网络参数以及初始状... 设计了一个新的阈值双稳态局部有源忆阻器,通过理论分析和数值验证研究了其忆阻和局部有源特性。在该忆阻器数学模型的基础上,提出了一种忆阻突触耦合FHN神经网络。利用分岔图、Lyapunov指数、相位图和时序图研究了网络参数以及初始状态对其动力学行为的影响。研究发现,随着参数和初始状态变化,忆阻突触耦合FHN神经网络能够产生混沌行为,并在特定条件下出现复杂的共存吸引子,具有丰富的动力学特性。 展开更多
关键词 忆阻器 局部有源 FHN神经元 混沌 模拟电路
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有源忆阻器伏安曲线与电路频率之间的关系 被引量:1
14
作者 王殿学 《辽东学院学报(自然科学版)》 CAS 2015年第1期33-38,共6页
忆阻器是具有记忆特性非线性电阻器,是现实的第四种基本二端电路元件。文章以光滑三次型非线型函数描述的有源磁控忆阻器模型为例,利用Multisim计算机仿真软件,进一步研究有源忆阻器伏安曲线与电路频率之间关系,讨论有源忆阻器输入电流... 忆阻器是具有记忆特性非线性电阻器,是现实的第四种基本二端电路元件。文章以光滑三次型非线型函数描述的有源磁控忆阻器模型为例,利用Multisim计算机仿真软件,进一步研究有源忆阻器伏安曲线与电路频率之间关系,讨论有源忆阻器输入电流的突变特性。结果表明:由光滑三次型非线型函数的有源磁控忆阻器模型构成的电路具有边界效应,电流具有突变特性。 展开更多
关键词 有源忆阻器 伏安曲线 边界效应 电流突变
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NbO_(x)忆阻神经元的设计及其在尖峰神经网络中的应用 被引量:3
15
作者 古亚娜 梁燕 +1 位作者 王光义 夏晨阳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期17-29,共13页
NbO_(x)忆阻器凭借其纳米尺寸、阈值切换及局部有源特性在神经形态计算领域展现出巨大的应用前景.对NbO_(x)忆阻器动力学特性的深入分析和研究有利于忆阻神经元电路的设计和优化.本文基于局部有源理论,采用小信号分析方法对NbO_(x)忆阻... NbO_(x)忆阻器凭借其纳米尺寸、阈值切换及局部有源特性在神经形态计算领域展现出巨大的应用前景.对NbO_(x)忆阻器动力学特性的深入分析和研究有利于忆阻神经元电路的设计和优化.本文基于局部有源理论,采用小信号分析方法对NbO_(x)忆阻器物理模型展开了研究,定量分析了产生尖峰振荡的区域和条件,并确定了激励信号幅值和尖峰频率之间的定量关系.基于上述理论分析,进一步设计了NbO_(x)忆阻器神经元,并结合忆阻突触十字交叉阵列,构建了25×10的尖峰神经网络(spiking neuron network,SNN).最后,分别利用频率编码和时间编码两种方式,有效地实现了数字0到9模式的识别功能. 展开更多
关键词 NbO_(x)忆阻器 局部有源 人工神经元 尖峰神经网络
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N型局部有源忆阻器的神经形态行为 被引量:1
16
作者 王世场 卢振洲 +1 位作者 梁燕 王光义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期52-64,共13页
局部有源忆阻器(locally-active memristor,LAM)凭借其高集成度、低功耗和局部有源特性等优点,在神经形态计算领域显示出巨大的潜力.本文提出了一种简单的N型LAM数学模型,通过揭示其非线性动力特性,设计了N型LAM神经元电路.采用Hopf分... 局部有源忆阻器(locally-active memristor,LAM)凭借其高集成度、低功耗和局部有源特性等优点,在神经形态计算领域显示出巨大的潜力.本文提出了一种简单的N型LAM数学模型,通过揭示其非线性动力特性,设计了N型LAM神经元电路.采用Hopf分岔、数值分析等方法定量研究了该电路的动力学行为,成功模拟了多种神经形态行为,包括全或无行为、尖峰、簇发、周期振荡等.并利用该神经元电路结构模拟了生物触觉神经元的频率特性.仿真结果表明:当输入信号幅值低于阈值时,神经元电路输出信号的振荡频率与输入信号强度呈正相关(即兴奋状态),并在阈值处达到最大值.随后,继续增大激励强度,振荡频率则逐渐降低(即保护性抑制状态).最后,设计了N型LAM硬件仿真器,并完成了人工神经元电路的硬件实现,实验结果与仿真结果、理论分析相一致,验证了该N型LAM具备的神经形态行为. 展开更多
关键词 忆阻器 局部有源 神经形态 HOPF分岔 硬件实现
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有源荷控忆阻系统的多稳态分析及电路实现
17
作者 李闯 闵富红 吕晏旻 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2019年第1期19-28,共10页
采用有源荷控忆阻替换蔡氏电路中的非线性电阻,实现一个五维忆阻非线性电路系统.建立了该系统的无量纲方程,分析了系统的平衡点集与稳定性.利用分岔图、Lyapunov指数谱和相轨迹图等分析方法,从多角度研究了随系统参数与初始状态变化而... 采用有源荷控忆阻替换蔡氏电路中的非线性电阻,实现一个五维忆阻非线性电路系统.建立了该系统的无量纲方程,分析了系统的平衡点集与稳定性.利用分岔图、Lyapunov指数谱和相轨迹图等分析方法,从多角度研究了随系统参数与初始状态变化而产生的多稳态动力学行为.研究表明,当系统参数、初始状态变化时,都会出现不同拓扑结构的混沌吸引子共存、不同吸引域的多周期极限环共存、不同周期数的极限环与不同拓扑结构的混沌吸引子等共存行为.最后,设计了五维忆阻混沌系统的模拟电路模型,电路仿真实验与数值仿真结果相一致,观测到不同的多稳态共存运动.这表明动力学分析的正确性和系统的物理可实现性,为进一步拓展系统加密应用奠定基础. 展开更多
关键词 有源荷控忆阻 蔡氏电路 忆阻系统 多稳态共存
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蔡氏结型忆阻器的简化及其神经元电路的硬件实现
18
作者 郭慧朦 梁燕 +1 位作者 董玉姣 王光义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期21-33,共13页
蔡氏结型忆阻器(Chua corsage memristor,CCM)属于压控型局部有源忆阻器,具有复杂的动力学行为,在神经形态计算领域具有潜在的应用价值.根据静态电压-电流特性曲线,CCM可分为二翼、四翼和六翼型.本文基于神经形态行为的产生机制,将CCM... 蔡氏结型忆阻器(Chua corsage memristor,CCM)属于压控型局部有源忆阻器,具有复杂的动力学行为,在神经形态计算领域具有潜在的应用价值.根据静态电压-电流特性曲线,CCM可分为二翼、四翼和六翼型.本文基于神经形态行为的产生机制,将CCM的数学模型进行简化,简化后的模型表达式中无绝对值符号,且小信号等效电路的导纳函数与简化前完全相同.进一步采用简化的CCM模型与电容和电感元件相连,构建了三阶神经元电路.利用局部有源、混沌边缘、及李雅普诺夫指数等理论分析方法,预测了该神经元电路产生神经形态行为的参数域.根据简化的CCM数学模型,采用运算放大器、乘法器、电阻和电容等常用电路元件构建了该忆阻器的电路仿真器,并连接电容和电感进一步给出了神经元电路的硬件实现.实验结果表明该神经元电路可以产生丰富的神经形态行为,包括静息状态、周期尖峰、混沌状态、双峰响应、周期振荡现象、全或无现象和尖峰簇发现象. 展开更多
关键词 忆阻器 局部有源 神经元电路 混沌 硬件实现
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基于广义忆阻器的有源带通滤波器仿真与分析 被引量:1
19
作者 钱辉 钱盛余 +2 位作者 任康成 姚肖勇 杨艳 《汽车零部件》 2020年第3期15-20,共6页
基于一种广义忆阻器,用其替代有源带通滤波器中的某个电阻,构建一种全新的基于广义忆阻器的有源带通滤波器,并对其进行数学建模及数值仿真。该电路有且仅有一个零平衡点,会产生复杂的非线性动力学行为,譬如混沌、周期、倍周期分岔道路... 基于一种广义忆阻器,用其替代有源带通滤波器中的某个电阻,构建一种全新的基于广义忆阻器的有源带通滤波器,并对其进行数学建模及数值仿真。该电路有且仅有一个零平衡点,会产生复杂的非线性动力学行为,譬如混沌、周期、倍周期分岔道路、共存分岔模式等现象。 展开更多
关键词 有源带通滤波器 广义二极管桥忆阻 数值仿真
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具有不连续激励函数的忆阻神经网络的有限同步(英文)
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作者 王艳群 侯娟 《衡阳师范学院学报》 2017年第6期15-20,共6页
研究具有不连续激励函数的忆阻神经网络系统并获得了该类系统有限时间同步的一个充分条件。该文的结论推广并改进了其他文献的相关结果。
关键词 忆阻神经网络 不连续激励函数 有限时间同步
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