期刊文献+
共找到19篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种用于改善IGBT开关过冲的主动栅极控制技术
1
作者 谢海超 王学梅 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期280-291,共12页
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求,传统的栅极驱动CGD(conventional gate drive)对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限,主要因其降低过冲总是以牺牲开关时... 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求,传统的栅极驱动CGD(conventional gate drive)对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限,主要因其降低过冲总是以牺牲开关时间和开关损耗为代价。基于此,提出1种新的主动栅极驱动AGD(active gate drive)控制方法,用于抑制IGBT开关过程中产生的电流和电压过冲,其原理是在IGBT高di/dt和dv/dt阶段主动调节驱动电压,减小电流和电压的变化率,从而抑制电流和电压过冲。实验结果表明,相比传统驱动方法,所提方法可在基本不降低开关速度和不增加开关损耗的同时,显著降低IGBT开关过程中的电流和电压过冲。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 主动栅极驱动 电压和电流过冲
下载PDF
An Improved Active Miller Clamp Crosstalk Suppression Method for Enhancement-Mode GaN HEMTs in Phase-Leg Configuration
2
作者 QIN Haihong WANG Wenlu +3 位作者 BU Feifei PENG Zihe LIU Ao BAI Song 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2021年第5期758-768,共11页
When using traditional drive circuits,the enhancement-mode GaN(eGaN)HEMT will be affected by high switching speed characteristics and parasitic parameters leading to worse crosstalk problems.Currently,the existing cro... When using traditional drive circuits,the enhancement-mode GaN(eGaN)HEMT will be affected by high switching speed characteristics and parasitic parameters leading to worse crosstalk problems.Currently,the existing crosstalk suppression drive circuits often have the disadvantages of increased switching loss,control complexity,and overall electromagnetic interference(EMI).Therefore,this paper combines the driving loop impedance control and the active Miller clamp method to propose an improved active Miller clamp drive circuit.First,the crosstalk mechanism is analyzed,and the crosstalk voltage model is established.Through the crosstalk voltage evaluation platform,the influencing factors are evaluated experimentally.Then,the operating principle of the improved active Miller clamp drive circuit is discussed,and the optimized parameter design method is given.Finally,the effect of the improved active Miller clamp method for suppressing crosstalk is experimentally verified.The crosstalk voltage was suppressed from 3.5 V and-3.5 V to 1 V and-1.3 V,respectively,by the improved circuit. 展开更多
关键词 enhancement-mode GaN(eGaN) crosstalk suppression gate driver high-speed switching active clamp
下载PDF
基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控 被引量:1
3
作者 邹铭锐 曾正 +2 位作者 孙鹏 王亮 王宇雷 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第16期4286-4300,共15页
得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOS... 得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOSFET器件开关轨迹调控方法,实现开关速度、损耗、过冲、振荡、串扰、延迟等多项性能的协同优化,建立驱动电阻对SiC器件开关轨迹定量调控的数学模型,发现开关性能量化指标与开关轨迹不同阶段之间的解耦规律,提出分阶段变电阻的驱动方法,实现开关轨迹中多个控制目标之间的协同优化,给出驱动电阻取值的通用设计方法,提出驱动电阻切换的交错时序逻辑,对比传统驱动方法,采用大量实验结果,验证了所提模型方法的有效性。 展开更多
关键词 SIC MOSFET器件 主动栅极驱动 四阶段变电阻 开关轨迹调控 多目标协同
下载PDF
一种抑制SiC MOSFET电压电流过冲的有源门极驱动电路
4
作者 李欣宜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期1006-1011,1029,共7页
相较于Si MOSFET,SiC MOSFET的高电子迁移率使其能支持更高的开关速度,但与此同时会产生更大的电压、电流过冲,影响其应用的可靠性。提出了一种用于抑制SiC MOSFET漏源电压vds与漏极电流id过冲的有源门极驱动(AGD)电路,通过检测vds和id... 相较于Si MOSFET,SiC MOSFET的高电子迁移率使其能支持更高的开关速度,但与此同时会产生更大的电压、电流过冲,影响其应用的可靠性。提出了一种用于抑制SiC MOSFET漏源电压vds与漏极电流id过冲的有源门极驱动(AGD)电路,通过检测vds和id变化率(dvds/dt和did/dt),利用高速模拟反馈回路控制门极驱动电流的方式来调节dvds/dt与did/dt,进而减小vds与id过冲。此外,将AGD方案拓展到电流源驱动电路,提出了电流源有源门极驱动(ACGD)电路。相较于传统门极驱动(CGD),ACGD方案同时具有更快的开关速度与更小的电压、电流过冲。基于双脉冲电路对比了CGD与ACGD的不同效果,在采用ACGD电路后,电流过冲减小了20%,延时减少了30 ns;电压过冲减小了约7%,延时减少了60 ns,电压上升速率提高了约44%。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 有源门极驱动(agd) 反馈控制 电流过冲 电压过冲
下载PDF
A New Active Gate Driver for MOSFET to Suppress Turn-Off Spike and Oscillation 被引量:1
5
作者 Yanfeng Jiang Chao Feng +2 位作者 Zhichang Yang Xingran Zhao Hong Li 《Chinese Journal of Electrical Engineering》 CSCD 2018年第2期43-49,共7页
MOSFETs are widely used in power electronics converters.Due to the high di/dt and dv/dt of the MOSFET and parasitic parameters in the circuit,drain voltage spikes and oscillations will be generated during turn-off,whi... MOSFETs are widely used in power electronics converters.Due to the high di/dt and dv/dt of the MOSFET and parasitic parameters in the circuit,drain voltage spikes and oscillations will be generated during turn-off,which can affect the safety of the device and degrade the system's electromagnetic compatibility.This paper first studies the relationship between drain voltage spike and gate voltage during turn-off.Based on the effect of gate voltage on drain voltage spike,a new active gate driver that optimizes gate voltage is proposed.The proposed active gate driver detects the slope of the drain voltage and generates a positive pulse in the drain current fall phase to increase the gate voltage,thereby suppressing drain voltage spike and oscillation.In order to verify the effectiveness of the proposed active gate driver,a simulation circuit and an experimental platform are constructed and compared with the conventional gate driver.Simulation and experimental results show that the new active gate driver can effectively suppress the drain voltage spike and oscillation of MOSFETs,and can effectively reduce high-frequency EMI. 展开更多
关键词 active gate driver electromagnetic interference voltage spike OSCILLATION
原文传递
一种改进SiC MOSFET开关性能的有源驱动电路 被引量:11
6
作者 李先允 卢乙 +3 位作者 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第18期5760-5769,共10页
与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光... 与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光伏逆变器、电动汽车和风力发电等领域,但是SiC MOSFET的高开关速度会导致器件开关过程中发生电流、电压过冲和振荡,不仅会增加器件的开关损耗,甚至会导致器件损坏。文中首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出器件开关过程中电流、电压过冲和振荡的产生机理,然后根据影响电流、电压过冲和振荡的关键因数,设计一款有源驱动电路。该电路能够在器件开关的特定阶段内同时增加驱动电阻阻值和减小栅极电流,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。实验结果表明,与传统驱动电路相比,所设计的有源驱动电路能够在不同驱动电阻、负载电流和SiC MOSFET条件下,均有效抑制器件的电流、电压过冲和振荡。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应管 有源驱动电路 过冲 振荡
下载PDF
有源滤波器IGBT驱动模块应用与性能分析 被引量:4
7
作者 郭喜峰 王大志 +1 位作者 刘震 韩伟 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2012年第9期85-87,共3页
针对有源电力滤波器(APF)IGBT的驱动问题,利用2SD106驱动模块,搭建了有效的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路。通过分析2SD106驱动模块特性,设计出电压抑制及互锁电路、电压监控及错误复位电路,并在不同频率下将其与常用驱动模块进行... 针对有源电力滤波器(APF)IGBT的驱动问题,利用2SD106驱动模块,搭建了有效的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路。通过分析2SD106驱动模块特性,设计出电压抑制及互锁电路、电压监控及错误复位电路,并在不同频率下将其与常用驱动模块进行了驱动能力和通断情况的性能对比。实验结果表明,该设计能提供有效的IGBT驱动信号,驱动效果良好,并能提供相应保护,保证系统可靠运行。将提出的驱动电路成功应用于一台100kVA APF实验样机,样机的长期运行证明了该设计的有效性和实用性。 展开更多
关键词 有源电力滤波器 绝缘栅双极型晶体管 驱动电路
下载PDF
中高压大功率IGBT驱动器有源箝位技术研究 被引量:3
8
作者 张成 胡亮灯 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期51-55,共5页
中高压大功率终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)中驱动器一般通过有源箝位电路来抑制其大电流关断时的电压尖峰。提出将有源箝位电路等效为典型闭环反馈控制系统并进行线性化处理的时域分析方法,用于分析有源箝位过程初期的动态性能。提... 中高压大功率终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)中驱动器一般通过有源箝位电路来抑制其大电流关断时的电压尖峰。提出将有源箝位电路等效为典型闭环反馈控制系统并进行线性化处理的时域分析方法,用于分析有源箝位过程初期的动态性能。提出一种针对稳定箝位过程的静态分析方法,为有源箝位电路参数取值及确定箝位工作点提供依据。针对双N-MOSFET驱动级,设计了一种对驱动级进行棒-棒调节的有源箝位电路,该电路能降低瞬态电压抑制二极管(TVS)击穿电流,从而降低其在箝位过程中的损耗。最后通过仿真和实验结果验证了理论分析和电路设计的可行性、准确性、有效性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极性晶体管 驱动器 有源箝位
下载PDF
基于驱动电流动态调节的低过冲低损耗SiC MOSFET有源门极驱动 被引量:7
9
作者 刘平 李海鹏 +3 位作者 苗轶如 陈常乐 陈梓健 孟锦豪 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第18期5730-5741,共12页
与硅基功率器件相比,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET具有开关速度更快、导通损耗更低等优点,将越来越广泛的应用于高效高功率密度场合。但是,其开关特性对寄生参数非常敏感,在高速开关过程中极易产生瞬态电压电流尖峰和高频开关振荡... 与硅基功率器件相比,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET具有开关速度更快、导通损耗更低等优点,将越来越广泛的应用于高效高功率密度场合。但是,其开关特性对寄生参数非常敏感,在高速开关过程中极易产生瞬态电压电流尖峰和高频开关振荡,严重威胁Si C基变换器的可靠运行。针对这一问题,文中对SiC MOSFET的开关暂态过程进行深入分析,揭示门极驱动电流对开关过程电压电流过冲、振荡与开关损耗的影响机理。在此基础上,提出一种驱动电流分段动态调节的SiC MOSFET有源门极驱动电路,即根据开关过程不同阶段的状态反馈动态调整器件门极驱动电流。实验结果表明,所提出的方法能够在维持低开关损耗的同时,实现了对SiC MOSFET开关过程中电压电流过冲和高频振荡的有效抑制,提升SiC基电力电子装置的动态性能与运行可靠性。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 有源门极驱动 电流动态调节 过冲 振荡 开关损耗
下载PDF
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究 被引量:4
10
作者 李虹 邱志东 +2 位作者 杜海涛 邵天骢 王作兴 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第21期7922-7933,共12页
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在... 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在、过高的开关频率和速度,会使得SiC MOSFET在关断瞬态产生漏极电压尖峰和振荡,严重情况下可造成雪崩击穿;并且加剧栅极电压的串扰(crosstalk)现象。上述问题不仅对半导体器件的安全运行构成威胁,而且会恶化电力电子变换器的高频电磁干扰问题。为此,文中首先分析SiC MOSFET关断过程瞬态电压尖峰和振荡以及串扰的形成机理,并在此基础上提出一种基于dv/dt检测的提升SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路。该驱动电路通过检测关断过程中漏极电压上升的斜率,在漏极电流下降阶段抬升栅极电压,从而抑制漏极电压尖峰和振荡;在串扰发生阶段构造低阻抗回路来有效抑制栅极的串扰尖峰。实验结果表明,所提有源驱动电路不仅能够有效抑制SiC MOSFET关断过程漏极电压的尖峰和高频振荡,而且能够有效抑制栅极串扰的正负向电压尖峰。因此,所提出的有源驱动电路可以有效抑制电力电子变换器的高频电磁干扰,提升其电磁兼容性能。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应管 电压尖峰和振荡 串扰 有源驱动 电磁干扰
下载PDF
应用于AMOLED的金属氧化物TFT行驱动电路设计
11
作者 黄静 王志亮 +2 位作者 张振娟 邓洪海 魏觅觅 《南通大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第4期1-4,81,共5页
薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)是平板显示领域核心的有源寻址器件,金属氧化物TFT应用于有源矩阵有机发光二级管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示已成为业界研究热点.基于氧化铟镓锌薄膜晶体管(IGZO TFT... 薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)是平板显示领域核心的有源寻址器件,金属氧化物TFT应用于有源矩阵有机发光二级管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示已成为业界研究热点.基于氧化铟镓锌薄膜晶体管(IGZO TFT)模型,采用相邻TFT串接反馈(series connected two-transistor,STT)、双负电源、多时钟控制等结构设计,提出一款新型的行集成驱动电路.该电路能显著减少器材的漏电流,有效提高输出级栅级电压,稳定输出.仿真结果显示,在60 Hz刷新速率下,该电路单级的功耗为161.53μW,驱动信号为7μs,满足4 K(3 840列×2 160行)分辨率的显示需求,可以实现180级级联和复用输出,电路结构简单,功耗小.通过进一步优化该电路的结构与器件参数,单级功耗可减少到126.05μW,同时纹波和失真也可得到一定程度的抑制. 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二级管 氧化铟镓锌薄膜晶体管 行驱动电路 复用输出
下载PDF
基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述 被引量:11
12
作者 王宁 张建忠 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第10期2523-2537,共15页
随着SiC MOSFET的推广,其开关暂态过程中的超调、振荡以及电磁干扰问题越来越受到人们的重视。有源栅极驱动(AGD)电路作为一种新型驱动电路,已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制。首先,该文分析AGD电路的工作原理,给出不同驱动... 随着SiC MOSFET的推广,其开关暂态过程中的超调、振荡以及电磁干扰问题越来越受到人们的重视。有源栅极驱动(AGD)电路作为一种新型驱动电路,已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制。首先,该文分析AGD电路的工作原理,给出不同驱动参数对开关特性的影响;其次,着重探讨阈值触发型AGD电路的工作模式,分别从暂态定位技术、逻辑处理架构和功率放大拓扑三方面对AGD电路进行归纳总结,并评价不同技术的优缺点,给出AGD电路设计的建议流程;最后,展望基于SiC MOSFET开关轨迹优化的AGD电路的发展趋势。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 有源栅极驱动 开关轨迹 振荡
下载PDF
抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET有源驱动方法研究 被引量:14
13
作者 冯超 李虹 +2 位作者 蒋艳锋 赵星冉 杨志昌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5666-5673,共8页
为了满足电力电子系统高频、高效和高功率密度的需求,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。其开关过程中存在瞬态... 为了满足电力电子系统高频、高效和高功率密度的需求,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。其开关过程中存在瞬态电压电流尖峰和高频振荡,不仅对半导体器件的安全运行构成威胁,而且会恶化电力电子变换器的电磁兼容性。该文针对SiCMOSFET开关过程中存在的瞬态电压电流尖峰和振荡的问题,分析SiCMOSFET开关过程及瞬态电压电流尖峰和振荡产生机理,并在此基础上提出一种电流注入型有源驱动电路。该有源驱动电路通过在SiCMOSFET开通过程的电流上升阶段向栅极注入反向电流,在关断过程的电流下降阶段向栅极注入正向电流,以达到抑制开关过程瞬态电压电流尖峰和振荡的目的。实验结果表明,提出的有源驱动电路能够有效抑制SiCMOSFET开关过程瞬态电压电流的尖峰和高频振荡,从而从源头上改善了电力电子变换器的电磁兼容。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应管 有源驱动 尖峰 振荡 电磁干扰
下载PDF
绝缘栅型功率开关器件栅极驱动主动控制技术综述 被引量:9
14
作者 朱义诚 赵争鸣 +2 位作者 施博辰 鞠佳禾 虞竹珺 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期2082-2092,共11页
近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极... 近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极驱动主动控制技术的研究现状。在此基础上,从控制策略的设计、控制稳定性的分析、控制参数自适应调整能力、多功能集成以及宽禁带器件的主动控制方法等方面对当前的热点问题进行分析阐释。最后,围绕该技术有待研究的问题进行了讨论,并对其发展趋势做出展望。 展开更多
关键词 栅极驱动主动控制 绝缘栅型功率开关器件 驱动电路 开关瞬态过程 开关特性
下载PDF
IGBT门极驱动技术现状和发展趋势 被引量:8
15
作者 焦明亮 李云 +2 位作者 朱世武 吴春冬 余军 《大功率变流技术》 2015年第2期18-23,共6页
分析了IGBT的工作特点及其对门极驱动器提出的新要求,并通过对当前主流门极驱动器供应商的产品的举例分析,对门极驱动技术的现状和发展趋势进行了研讨和总结。
关键词 IGBT 门极驱动 有源门极驱动 状态监控
下载PDF
Art of Control of High Power IGBTs:From Theory to Practice-An Overview
16
作者 Petar J.Grbovic 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2012年第12期8-17,共10页
The insulated gate bipolar transistor(IGBT) was invented in early 80s as the controlled switch to replace HV MOSFETs and BJTs.Today,the IGBT is the major player in most of power conversion applications,such as home ap... The insulated gate bipolar transistor(IGBT) was invented in early 80s as the controlled switch to replace HV MOSFETs and BJTs.Today,the IGBT is the major player in most of power conversion applications,such as home appliance drives,power supplies,lighting,industrial variable speed drives,UPS,medical equipment,traction drives, power transmission,etc..As fully controlled device,die IGBT requires an appropriate gate driver in order to achieve full performances of the IGBT.The author of this paper has tried to systematically summarize some major aspects of application and control of high power as well low power IGBT.The major aspects considered are the IGBT losses,gate driver and protection techniques. 展开更多
关键词 IGBTs 电力电子技术 MOSFET 晶体管
下载PDF
具有先进保护功能的新型IGBT门极驱动器集成电路 被引量:3
17
作者 L.Dulau 杨进峰(译) 陈燕平(校) 《变流技术与电力牵引》 2006年第5期26-30,39,共6页
论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对... 论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对所述功能的试验及结果进行阐述,重点介绍双电平关断驱动器的中间电平对IGBT过电压的影响。 展开更多
关键词 有源密勒箝位 双极型CMOS DMOS(BCD) 桥臂贯通 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 过冲 峰值电流 双电平驱动器
下载PDF
一种抑制AMOLED显示中电流震荡的新型GOA电路研究
18
作者 张留旗 韩佰祥 +3 位作者 聂诚磊 薛炎 Gary Chaw 林信南 《光电子技术》 CAS 北大核心 2019年第4期261-264,共4页
提出了一种新型的GOA(阵列基板栅极驱动)电路。此电路可以有效抑制GOA输出信号的震荡效应,提高有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)像素电流的稳定性。研究了新添加的TFT(T71/T72)尺寸,以及VGL... 提出了一种新型的GOA(阵列基板栅极驱动)电路。此电路可以有效抑制GOA输出信号的震荡效应,提高有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)像素电流的稳定性。研究了新添加的TFT(T71/T72)尺寸,以及VGL3的幅值变化对电路性能以及电流震荡的影响。仿真结果显示采用该GOA作为栅极驱动电路,OLED像素电流震荡是原始值的1%以内。 展开更多
关键词 阵列基板栅极驱动 有源矩阵有机发光二极管 电流震荡 上升/下降时间
下载PDF
自调节驱动对SiC MOSFET变换器性能的提升 被引量:2
19
作者 凌亚涛 赵争鸣 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1079-1087,共9页
主动栅极驱动(AGD)通过控制栅极侧来优化碳化硅MOSFET器件的开关特性,但是目前对AGD性能的研究一般仅限于双脉冲实验,无法充分说明AGD在变换器中的实际作用,也没有说明AGD可以长期连续运行。该文作者此前已提出了一种针对绝缘栅双极型... 主动栅极驱动(AGD)通过控制栅极侧来优化碳化硅MOSFET器件的开关特性,但是目前对AGD性能的研究一般仅限于双脉冲实验,无法充分说明AGD在变换器中的实际作用,也没有说明AGD可以长期连续运行。该文作者此前已提出了一种针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的AGD方法,该文进一步研究了将所提方法用于碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)时需要补偿的参数,并用双脉冲实验验证了其相对于常规驱动(CGD)和已有的AGD方法的性能优势。结果表明,相对CGD,所提方法可以降低开通延迟、开通损耗、关断延迟、关断损耗分别达53%、30%、65%、67%。搭建了Buck电路,将所提驱动方法应用到Buck电路,验证其带来的开关过冲、变换器效率等的改善。在过冲相同时,所提方法与CGD相比,可提升变换器效率达0.3%~1%。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 开关非理想特性 主动栅极驱动(agd) 变换器
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部