Preparation and characterization of conductive antimony-doped tin oxide (ATO) nanoparticles

In this paper, conductive antimony-doped tin oxide (ATO) composite particles is prepared by hydroxylation method of metal alcoxides. This method has many advantages such as little pollution, low-cost, simple sheet and equipment. The synthesis processing and the ATO nanoparticles are characterized by means of transmission electron microscope (TEM), X-ray diffraction (XRD), thermal gravimetric and differential thermal analysis, and BET. The results show that the ATO nanoparticles is tetragonal rutile crystal structure. TEM show that the particles are monodispersed with weak aggromation. The size of the particles calcinated at 700 is about 8nm. The specific areas are 153 m^2·g~ -1 . In addition to, ATO nanoparticles have good electric

纳米氧化锡的制备与结构特性

采用金属醇盐羟化法制备了纳米氧化锡（Ⅳ）粉末，并研究了粉末的结构特性⒚这一制备纳米金属氧化物粉末的新技术具有设备与流程简单，成本低，污染小，产品纯度高（９９．９ ％ ），平均粒径小（８ ｎｍ ），颗粒均一。

制备工艺对纳米级铟锡氧化物(ITO)形貌和电性能的影响

以SnCl4·5H2O、In和浓盐酸为原料,采用化学共沉淀法制备出了纳米级锡掺杂氧化铟(ITO)导电微粉,系统地研究了掺杂量,共沉淀温度,pH值,热处理时间、温度对粉体粒度、形貌和电性能的影响规律。研究表明,合成的ITO粉体分散性较好、导电性能优异,粒径在40nm左右具有立方铁锰矿结构。在ITO纳米导电粉的制备过程中,共沉淀温度和滴定终点pH值对其形貌和性能有很大影响,当共沉淀温度在60℃左右,pH=6时制得的粉体性能最佳。煅烧条件对粉体的形貌、粒度和导电性也有较大的影响,在700℃,4h条件下可以制得导电性能良好,结晶完好,粒度分布均匀的ITO粉体。掺入Sn(Ⅳ)的量对载流子的迁移率有很大的影响,在掺杂浓度为10%左右可制得导电性极佳的纳米ITO粉体。

ITO表面研磨处理对有机电致发光器件性能的影响

用一种特制的纳米研磨粉磨擦方法处理ITO表面,用扫描探针显微镜研究了ITO表面形貌,发现ITO表面尖峰明显减少,表面粗糙度降低;研究了ITO处理与没做处理的双层结构有机电致发光器件,发现ITO处理的器件在亮度和效率方面都有明显提高。分析了器件性能提高的原因,认为是由于ITO处理的器件提高了注入载流子并且降低了界面势垒。

锑掺杂氧化锡纳米粉体的水热合成与表征

以SnCl4·5H2O、SbCl3为基本原料,采用水热合成法制得了锑掺杂氧化锡纳米粉体.运用XRD、TEM等分析测试手段研究了粉体的晶相组成、晶粒粒度和晶貌特征,并根据晶格常数研究了锑的掺杂形式.结果表明:在240～300℃的水热条件下,反应2～8 h,可制得结晶良好、分散性好、粒度在3～15 nm、具有四方晶系金红石结构的锑掺杂氧化锡球形颗粒;Sb是以Sb3+的形式进入SnO2晶格中.

化学共沉淀法ITO纳米粉末的制备与表征

采用化学共沉淀法来制备ITO纳米粉末，探讨了反应终点pH值（分别为7，8及9）和煅烧温度（分别为350℃，650℃，750cc及850℃）对ITO粉体性能的影响，借助TG—DSC、XRD、SEM、HRTEM、FT-IR等分析手段对粉体进行了表征。得到如下结论：在液相中加入硅酸钠，反应温度为60℃，反应终点pH值为8，老化制度为60min，煅烧制度为750℃／2h的工艺条件下，所制得的ITO纳米粉不含SnO2相，呈显著的单相结构，是一种立方结构的In2O3固溶体；粉体粒径在30—60nm之间，比表面积为34．26m^3／g，形貌为近球形，颗粒均匀，且分散性能良好，在波数840—3164cm。范围内对红外光的反射率高达66％～94％。

SnO_2-Sb_2O_3超细复合粉末的制备和结构特性(英文)

本文由金属醇化物的羟基化法制备了导电性SnO_2-Sb_2O_3复合粉末。这一技术具有许多优点:流程和设备简单;成本低、污染小;适于制造粒度均匀且粒径小的粉末。由X射线衍射法鉴定SnO_2-Sb_2O_3明显为无定形粉末。