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Strip silicon waveguide for code synchronization in all-optical analog-to-digital conversion based on a lumped time-delay compensation scheme
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作者 李莎 石志国 +2 位作者 康哲 余重秀 王建萍 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第4期175-181,共7页
An all-optical analog-to-digital converter (ADC) based on the nonlinear effect in a silicon waveguide is a promising candidate for overcoming the limitation of electronic devices and is suitable for photonic integra... An all-optical analog-to-digital converter (ADC) based on the nonlinear effect in a silicon waveguide is a promising candidate for overcoming the limitation of electronic devices and is suitable for photonic integration. In this paper, a lumped time-delay compensation scheme with 2-bit quantization resolution is proposed. A strip silicon waveguide is designed and used to compensate for the entire time-delays of the optical pulses after a soliton self-frequency shift (SSFS) module within a wavelength range of 1550 nm-1580 nm. A dispersion coefficient as high as -19800 ps/(km.nm) with +0.5 ps/(km.nm) variation is predicted for the strip waveguide. The simulation results show that the maximum supportable sampling rate (MSSR) is 50.45 GSa/s with full width at half maximum (FWHM) variation less than 2.52 ps, along with the 2-bit effective- number-of-bit and Gray code output. 展开更多
关键词 all-optical analog-to-digital conversion silicon waveguide soliton self-frequency shift time-delaycompensation
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Simulation and Design of a Submicron Ultrafast Plasmonic Switch Based on Nonlinear Doped Silicon MIM Waveguide 被引量:2
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作者 Ahmad Naseri Taheri Hassan Kaatuzian 《Journal of Computer and Communications》 2013年第7期23-26,共4页
We propose and analyze a submicron stub-assisted ultrafast all-optical plasmonic switch based on nonlinear MIM waveguide. It is constructed by two silicon stub filters sandwiched by silver cladding. The signal wavelen... We propose and analyze a submicron stub-assisted ultrafast all-optical plasmonic switch based on nonlinear MIM waveguide. It is constructed by two silicon stub filters sandwiched by silver cladding. The signal wavelength is assumed to be 1550 nm. The simulation results show a ?14.66 dB extinction ratio. Downscaling the silicon waveguide in MIM structure leads to enhancement of the effective Kerr nonlinearity due to tight mode confinement. Also, using O+ ions implanted into silicon, the switching time less than 10 ps and a delay time less than 8 fs are achieved. The overall length of the switch is 550 nm. 展开更多
关键词 PLASMONICS silicon Based all-Optical SWITCH STUB Filter Metal-Insulator-Metal WAVEGUIDE NONLINEAR KERR Effect
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全数字PET关键器件硅光电倍增器研究进展
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作者 胡文韬 劳慧 +1 位作者 邱奥 谢庆国 《CT理论与应用研究(中英文)》 2024年第4期421-432,共12页
近年来,硅光电倍增器(SiPM)凭借其出色的性能表现,已经成为正电子发射断层成像(PET)中的首选光电转换器件。SiPM具有单光子分辨能力和低于100 ps的时间分辨率,使得精确测量光子到达时间成为可能,催生了飞行时间PET、光子计数计算机断层... 近年来,硅光电倍增器(SiPM)凭借其出色的性能表现,已经成为正电子发射断层成像(PET)中的首选光电转换器件。SiPM具有单光子分辨能力和低于100 ps的时间分辨率,使得精确测量光子到达时间成为可能,催生了飞行时间PET、光子计数计算机断层扫描、正电子素寿命显像等新兴应用领域,这些应用又对SiPM的性能提出了更高的挑战。因此,如何将SiPM性能推进至其物理极限已成为新一代SiPM的研究的关键方向。在传统的SiPM架构中,信号经过多次处理和模数转换,带来噪声增加和时间性能恶化的问题,从而限制了SiPM的性能潜力。随着半导体制造工艺的快速发展,SiPM可在标准CMOS工艺节点上制造,标志着可以将数字逻辑集成在SiPM器件内,这是SiPM领域的一次重大突破,使我们能在单一SiPM内实现更精确的时间、能量、位置信息获取,为推进SiPM达到性能极限提供了一条可能的途径。本文综述SiPM的发展历史、工作原理和性能参数,分析传统SiPM的局限性,梳理数字SiPM研究的关键问题,介绍当前几种数字化SiPM架构,最后对数字SiPM的关键技术进行总结和展望。 展开更多
关键词 硅光电倍增器 弱光探测 全数字 光子计数 多计数阈值
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两种印模方法制作全瓷高嵌体修复后牙牙体缺损的临床效果比较
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作者 桂萍 《中国现代药物应用》 2024年第18期50-53,共4页
目的 探讨两种印模方法制作全瓷高嵌体修复后牙牙体缺损的临床效果。方法 选取后牙牙体缺损患者80例,随机分为观察组和对照组,各40例。观察组采用椅旁计算机辅助设计/计算机辅助制造(CAD/CAM)系统进行数字化扫描,直接制取牙预备体数字... 目的 探讨两种印模方法制作全瓷高嵌体修复后牙牙体缺损的临床效果。方法 选取后牙牙体缺损患者80例,随机分为观察组和对照组,各40例。观察组采用椅旁计算机辅助设计/计算机辅助制造(CAD/CAM)系统进行数字化扫描,直接制取牙预备体数字化印模,制备全瓷高嵌体;对照组采用硅橡胶取模制备全瓷高嵌体。比较两组取模时间、取模时舒适度及修复效果。结果 观察组取模时间为(5.8±1.6)min,短于对照组的(10.2±2.1)min,差异具有统计学意义(P<0.05)。观察组取模舒适度A级、B级、C级占比分别为67.50%、32.50%、0,对照组分别为7.50%、80.00%、12.50%;观察组取模舒适度优于对照组,差异具有统计学意义(P<0.05)。观察组边缘密合度和颜色匹配度A级、B级、C级占比分别为90.00%、10.00%、0和87.50%、12.50%、0,对照组分别为67.50%、32.50%、0和65.00%、35.00%、0;观察组边缘密合度、颜色匹配度均显著优于对照组,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论 椅旁CAD/CAM数字化扫描制作全瓷高嵌体修复后牙牙体缺损比常规硅橡胶取模制作全瓷高嵌体简洁、高效、舒适,且边缘密合度、颜色匹配度较高,值得推广。 展开更多
关键词 数字化印模 硅橡胶取模 全瓷高嵌体 后牙牙体缺损
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ICP-AES法测定出口工业硅中11种杂质元素 被引量:9
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作者 黄大亮 胡晓静 +1 位作者 欧阳昌俊 赵恒英 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期61-65,共5页
利用ICP-AES分析技术,对试样溶解方法,元素分析谱线,共存元素干扰,仪器分析参数,无机酸介质影响等因素进行了研究,确定了最佳工作条件,建立了可同时测定出口金属硅中11种杂质元素的简单、快速和适用的分析方法,结果表明,该方法线性范围... 利用ICP-AES分析技术,对试样溶解方法,元素分析谱线,共存元素干扰,仪器分析参数,无机酸介质影响等因素进行了研究,确定了最佳工作条件,建立了可同时测定出口金属硅中11种杂质元素的简单、快速和适用的分析方法,结果表明,该方法线性范围宽,检出限低,准确性高,操作步骤简单,11个元素测定回收率在85%~105%之间,相对标准偏差在1.9%~8.1%之间. 展开更多
关键词 ICP-AES法 金属硅 多元素
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稠油污水回用热采锅炉深度除硅实验研究 被引量:5
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作者 赵晓非 王磊 +2 位作者 杨腾飞 佘庆龙 刘立新 《化工科技》 CAS 2013年第1期24-27,共4页
对辽河曙光采油厂稠油污水进行除硅处理研究。提出用全硅法测定ρ(硅)作为稠油污水除硅剂研究的评价方法,并与活性硅法测定值进行了对比。优选除硅剂单剂,考察复配除硅效果,研究了不同复配比及加剂量对除硅效果的影响。用显微镜观察了... 对辽河曙光采油厂稠油污水进行除硅处理研究。提出用全硅法测定ρ(硅)作为稠油污水除硅剂研究的评价方法,并与活性硅法测定值进行了对比。优选除硅剂单剂,考察复配除硅效果,研究了不同复配比及加剂量对除硅效果的影响。用显微镜观察了聚合氯化铝(PAC)除硅前后沉积物的形态并分析了除硅机理。实验证明,采用活性硅法测定ρ(硅)时MgO与PAC除硅效果好,常用熟石灰及氯化钙无明显除硅效果。采用全硅法测水中的ρ(硅)证明氧化镁对水中溶解硅去除效果好,对不溶性硅聚沉去除效果差,而PAC对水中不溶性硅有较好的聚沉去除作用;最佳m(MgO)∶m(PAC)=3∶1,ρ(除硅剂)=400mg/L时,2种方法测得的ρ(硅)均低于50mg/L,复配强化了除硅效果,满足现场除硅指标。氧化镁主要是表面水化层与SiO23-结合生成MgSiO3而去除硅,PAC可吸附SiO23-并破坏胶体硅稳定性,将溶解硅与不溶硅聚集沉降去除。 展开更多
关键词 辽河稠油污水 全硅法 活性硅 除硅
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基于改进空间矢量PWM的AC/DC/AC准全硅变换器 被引量:1
7
作者 王汝田 王建赜 +1 位作者 谭光慧 纪延超 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第11期84-90,共7页
针对不控整流式的AC/DC/AC变换器,提出一种改进的空间矢量PWM方法应用于变换器的逆变级调制来取消或减小直流侧的大容量电容。其主要思想是根据负载功率因数角判断是否需要在直流侧放置一小容量续流电容,然后根据直流波动电压的采样值和... 针对不控整流式的AC/DC/AC变换器,提出一种改进的空间矢量PWM方法应用于变换器的逆变级调制来取消或减小直流侧的大容量电容。其主要思想是根据负载功率因数角判断是否需要在直流侧放置一小容量续流电容,然后根据直流波动电压的采样值和SVPWM控制策略下电容的充放电规律来修正调制比。文中给出了最小电容值的计算方法,此电容与传统的平波电容相比容量显著减小且仅作倒灌电流的续流通道,所以称此变换器为准全硅变换器。最后针对所提出的准全硅变换器用Matlab/Simulink进行了仿真,仿真和实验结果验证了其可行性。 展开更多
关键词 AC/DC/AC 空间矢量PWM 电容 准全硅变换器
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数字化直接和间接印模法在全瓷冠临床应用中的比较研究 被引量:10
8
作者 陈诚 张琳梅 +2 位作者 赵许兵 代泉 程政 《山西医科大学学报》 CAS 2018年第9期1117-1121,共5页
目的评价并比较数字化口内印模技术与传统精细印模技术在全瓷单冠修复中的临床效果。方法本研究将2016-12~2017-12在西安交通大学口腔医院综合科行二氧化锆全瓷单冠修复的74例患者纳入研究,其中35例采用3shape口内扫描仪直接法采集数据... 目的评价并比较数字化口内印模技术与传统精细印模技术在全瓷单冠修复中的临床效果。方法本研究将2016-12~2017-12在西安交通大学口腔医院综合科行二氧化锆全瓷单冠修复的74例患者纳入研究,其中35例采用3shape口内扫描仪直接法采集数据(直接组);39例采用硅橡胶制取印模后间接采集数据(间接组),完成最终修复,并记录取模和戴牙时间。戴牙后2周复诊时拟对患者进行满意度调查;戴牙完成2月后复诊,运用美国公共卫生署(USPHS)标准对修复体进行评价。结果共制作了135颗全瓷单冠,其中68颗为直接法,67颗间接法,直接组患者整体满意度高于间接组,在使用舒适度评价中直接法显著高于间接法,其差异有统计学意义(P<0.05);冠修复体边缘适合性评价中直接法显著优于间接法,其差异具有统计意义(P<0.05)。直接组平均取模时间长于间接组,其差异具有统计学意义(P<0.05);直接组平均戴牙时间小于间接组,其差异也具有统计学意义(P<0.05)。结论与间接法相比,直接数字化口内印模技术在全瓷单冠临床应用中效果更佳。 展开更多
关键词 全瓷冠 数字化口内印模技术 硅橡胶印模技术
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全硅光电子集成电路的研究进展 被引量:1
9
作者 宋登元 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期158-161,193,共5页
全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制备工艺,能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响... 全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制备工艺,能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上,叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。 展开更多
关键词 多孔硅 集成电路工艺 全硅光电子IC VLSI
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纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构 被引量:1
10
作者 李小明 韩伟华 +2 位作者 张严波 陈燕坤 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第11期689-696,共8页
介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应... 介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应变对能带结构的影响,从理论上论述了应变沟道可以显著提高载流子迁移率;最后介绍了悬浮硅纳米线通过热氧化诱导形成应变沟道的方法,并对应力来源进行了分析。纳米结构CMOS晶体管由平面沟道结构向立体沟道结构转变,将成为器件未来主流的发展方向。 展开更多
关键词 场效应晶体管 多栅结构 应变 硅纳米线 围栅
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基于PN结级联光源的全硅光电生物传感器 被引量:1
11
作者 杨永晖 艾康 +2 位作者 朱坤峰 赵建明 徐开凯 《光电技术应用》 2020年第6期43-49,共7页
基于硅基光源且与CMOS工艺兼容的全硅光电生物传感器,其光源低发光效率导致检测低灵敏度,尚不能大规模应用。对此,文中研究了多晶硅PN结级联光源及新型全硅光电生物传感器,包括PN结级联的多晶硅光源的发光机制、波导传输机理、波导生物... 基于硅基光源且与CMOS工艺兼容的全硅光电生物传感器,其光源低发光效率导致检测低灵敏度,尚不能大规模应用。对此,文中研究了多晶硅PN结级联光源及新型全硅光电生物传感器,包括PN结级联的多晶硅光源的发光机制、波导传输机理、波导生物检测技术。研制的多晶硅PN结级联光源发光效率高达4.3×10^-6,可与波导高效耦合。仿真表明,波导检测区域介质折射率在1.33-1.73之间变化时,介质折射率增加使得光能量更少回到波导内芯,波导内芯传输光强随介质折射率增加而下降,通过光强变化实现介质折射率传感。 展开更多
关键词 全硅光电生物传感器 CMOS工艺 发光效率 光源-波导耦合 PN结级联光源
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数字化印模技术与传统印模技术制作全瓷冠的临床效果评价 被引量:13
12
作者 韩晓谦 吕立霞 董志恒 《全科口腔医学电子杂志》 2019年第31期88-90,共3页
目的研究数字化口内扫描仪(3-shape)印模技术与传统硅橡胶印模技术在全瓷冠修复中的临床效果评价。方法将2018年在滨州医学院附属医院口腔修复科制作全瓷冠的90颗磨牙牙随机分为2组(45颗/组)。实验组使用3-shape口内扫描仪制取数字化模... 目的研究数字化口内扫描仪(3-shape)印模技术与传统硅橡胶印模技术在全瓷冠修复中的临床效果评价。方法将2018年在滨州医学院附属医院口腔修复科制作全瓷冠的90颗磨牙牙随机分为2组(45颗/组)。实验组使用3-shape口内扫描仪制取数字化模型,经CAD\CAM切割直接完成,对照组采用传统的硅橡胶(3M公司)印模技术制取印模后灌注石膏模型,口腔扫描仪扫描模型后加工厂制作完成,1年后统计90颗修复体全瓷冠的存留率并采用改良的美国公共卫生署(USPHS)标准对全瓷冠的患者舒适度、边缘密合度、继发龋、表面质地、邻面接触、颜色匹配、牙龈指数进行评估。结果数字化组患者舒适度及边缘密合度优于传统印模组(P<0.05);边缘密合度、继发龋、表面质地、邻面接触、颜色匹配、牙龈指数方面都达到B级以上水平,差异无统计学意义(p>0.05),结论数字化口内印模技术较传统的印模技术制作全瓷冠的临床效果更佳,值得临床广泛应用。 展开更多
关键词 数字化 3-shape 硅橡胶印模 全瓷冠
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硅基谐振结构中非线性光学效应导致的光学传播参数非互易分析
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作者 桂林 左健存 +3 位作者 吴中林 孙秋冬 张华 王胜利 《上海第二工业大学学报》 2017年第3期209-216,共8页
研究全硅基光学二极管,即在硅基芯片上实现非互易光学传输,是一项具有广泛应用前景并极具技术挑战的研究课题。采用硅基谐振结构微纳器件中非线性光学效应,完成光学非互易传输,是当前实现硅基光学二极管的重要方法。结合硅基波导中的非... 研究全硅基光学二极管,即在硅基芯片上实现非互易光学传输,是一项具有广泛应用前景并极具技术挑战的研究课题。采用硅基谐振结构微纳器件中非线性光学效应,完成光学非互易传输,是当前实现硅基光学二极管的重要方法。结合硅基波导中的非线性光学效应的基本原理,以及谐振结构微纳器件的基本模型,分析了硅基谐振结构微纳器件构成的光学二极管中的非互易传输问题。仿真结果表明,依靠谐振结构中的非线性光学效应产生的器件非互易特性仅存在于特定频率,这种非互易性在谐振波长附近的一段频率区域较为明显,考虑3 d B以上的非互易传输比率区间,区间宽度累计可以达到10.6 GHz以上。分析了微环耦合系数对硅基光学二极管的非互易传输比率的影响,得出结论:精确控制波导的耦合系数,使得微环工作在接近临界耦合的状态,有助于提升器件的非互易传输比率。 展开更多
关键词 硅光子学 全硅基光学二极管 非互易光传输 光学隔离器 非线性光学
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厚硅片的高速激光切片研究 被引量:10
14
作者 崔建丰 赵晶 +9 位作者 樊仲维 赵存华 张晶 牛岗 石朝晖 裴博 张国新 薛岩 毕勇 亓岩 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期829-834,共6页
基于激光切片原理的分析,给出了厚硅片的高速激光切片方法,采用平凸腔补偿工作物质的热透镜效应,利用Nd∶YAG棒本身的自孔径选模作用,获得了光束质量因子M2等于4.19的50 W 1.064μm激光输出。选取合适的扩束倍数、重复频率和出气孔直径... 基于激光切片原理的分析,给出了厚硅片的高速激光切片方法,采用平凸腔补偿工作物质的热透镜效应,利用Nd∶YAG棒本身的自孔径选模作用,获得了光束质量因子M2等于4.19的50 W 1.064μm激光输出。选取合适的扩束倍数、重复频率和出气孔直径,当切割0.75 mm厚的硅片时,切片速度达400 mm/min;当切割两层叠放的0.75 mm厚的硅片时,切片速度达到100 mm/min。切片的切口光滑,切缝较窄,重复精度高,切片质量好,达到用传统方法难以达到的切片效果。 展开更多
关键词 激光技术 全固体激光器 声光调Q 激光切片 硅片
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全碳化硅功率模块开关瞬态特性及损耗研究 被引量:3
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作者 徐文凯 朱俊杰 +2 位作者 聂子玲 韩一 孙军 《电机与控制应用》 2019年第5期100-106,119,共8页
为了加快全碳化硅功率模块的实际工程应用,针对全碳化硅模块开通关断过程中电压电流变化率、栅极电压耦合、开通损耗和关断损耗开展了分析,并与传统IGBT功率模块进行了对比分析。在全碳化硅功率模块双脉冲试验的基础之上,研究了不同电... 为了加快全碳化硅功率模块的实际工程应用,针对全碳化硅模块开通关断过程中电压电流变化率、栅极电压耦合、开通损耗和关断损耗开展了分析,并与传统IGBT功率模块进行了对比分析。在全碳化硅功率模块双脉冲试验的基础之上,研究了不同电压电流等级下开关瞬态特性和开关损耗,提取试验参数,获得了电压电流应力大小,为全碳化硅功率模块的工程应用提供有效参考。 展开更多
关键词 全碳化硅功率模块 双脉冲测试 开关瞬态特性 开关损耗
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与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究 被引量:1
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作者 刘海军 高鹏 +4 位作者 陈弘达 顾明 许奇明 刘金彬 黄北举 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期985-989,共5页
着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回... 着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产,具有广阔的实用前景. 展开更多
关键词 集成电路工艺 硅基光电子集成回路 全硅光互连
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不同印模方式在种植磨牙单冠中的应用比较
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作者 沈琳 彭国光 吴美珍 《中国美容医学》 CAS 2021年第11期128-130,共3页
目的:比较使用口内扫描法和传统硅橡胶法制取种植磨牙单冠的临床修复效果评价。方法:选择62例患者(共86颗后牙),随机分为试验组和对照组,每组43颗牙(其中前磨牙13颗,磨牙30颗)。临床分别采用硅橡胶法和口内扫描法制取印模,制作氧化锆全... 目的:比较使用口内扫描法和传统硅橡胶法制取种植磨牙单冠的临床修复效果评价。方法:选择62例患者(共86颗后牙),随机分为试验组和对照组,每组43颗牙(其中前磨牙13颗,磨牙30颗)。临床分别采用硅橡胶法和口内扫描法制取印模,制作氧化锆全瓷修复体,于治疗后2周复诊,采用VAS评分量表及改良的美国公共卫生总署(United states public health service,USPHS)评价系统对修复效果及舒适度进行评价。结果:口内扫描法组的患者满意度更高,舒适度更好,两组USPHS评分中除口内扫描组修复体的边缘适合性A级比例比对照组高外,其余指标的A级比例差异无统计学意义(P>0.05)。结论:口内扫描技术应用在种植磨牙单冠的印模制作中,修复效果良好、精度高外,患者满意度高,值得临床推广应用。 展开更多
关键词 3Shape Trios 种植单冠 硅橡胶印模技术 口内扫描 全瓷冠
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基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器 被引量:4
18
作者 郑泽宇 罗谦 +2 位作者 徐开凯 刘钟远 朱坤峰 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期40-45,共6页
本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高... 本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高了探测器在近红外波段响应特性。并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题,提出了解决方案。测试结果表明,该器件的量子效率可达80%,峰值波长为940 nm,光响应度达到0.55 A/W,暗电流降至700 pA,响应时间为200 ns。 展开更多
关键词 全硅PIN光电探测器 黑硅 量子效率 光响应度 响应速度 暗电流
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新型硅激光器系统的优化设计
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作者 尉然 郭志友 +1 位作者 张建中 刘松麟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期832-834,共3页
通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统。该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器。建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形。该系统可以... 通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统。该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器。建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形。该系统可以集成在很小的CMOS器件上,实现光电子器件的集成化,有着广泛的应用前景。 展开更多
关键词 全硅激光器 泵浦光源 波长可调 PIN硅波导 双光子吸收
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圆片级封装全硅梳齿电容式MEMS加速度计设计 被引量:6
20
作者 牛昊彬 孙国良 +1 位作者 王帅民 张方媛 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第5期672-676,共5页
针对小型化惯性测量单元对加速度计的集成需求,设计制作了一款全硅梳齿电容式MEMS加速度计。该加速度计采用"日"字型结构方案,检测和施力反馈电容由变间隙的梳齿组成,可动结构采用深硅反应离子干法刻蚀实现,芯片采用硅-硅键... 针对小型化惯性测量单元对加速度计的集成需求,设计制作了一款全硅梳齿电容式MEMS加速度计。该加速度计采用"日"字型结构方案,检测和施力反馈电容由变间隙的梳齿组成,可动结构采用深硅反应离子干法刻蚀实现,芯片采用硅-硅键合圆片级常压封装,芯片内部电信号通过深反应离子刻蚀和湿法腐蚀加工的硅通孔引出。该加速度计芯片最终和模拟ASIC电路采用陶瓷管壳封装,整表尺寸12.7×12.7×3.25 mm^3。小批量测试结果显示该加速度计标度因数约80 m V/g,0 g输出稳定性优于100mg(1σ),零偏稳定性和重复性优于100mg(1σ),-40°C^+70°C零偏漂移小于20 mg。 展开更多
关键词 MEMS加速度计 梳齿 全硅 TSV 圆片级
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