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Dielectric properties of spark plasma sintered AlN/SiC composite ceramics 被引量:4
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作者 Peng Gao Cheng-chang Jia +3 位作者 Wen-bin Cao Cong-cong Wang Dong Liang Guo-liang Xu 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第6期589-594,共6页
In this study, we have investigated how the dielectric loss tangent and permittivity of AlN ceramics are affected by factors such as powder mixing methods, milling time, sintering temperature, and the addition of a se... In this study, we have investigated how the dielectric loss tangent and permittivity of AlN ceramics are affected by factors such as powder mixing methods, milling time, sintering temperature, and the addition of a second conductive phase. All ceramic samples were pre-pared by spark plasma sintering (SPS) under a pressure of 30 MPa. AlN composite ceramics sintered with 30wt%-40wt%SiC at 1600℃ for 5 min exhibited the best dielectric loss tangent, which is greater than 0.3. In addition to AlN and β-SiC, the samples also contained 2H-SiC and Fe5Si3, as detected by X-ray difraction (XRD). The relative densities of the sintered ceramics were higher than 93%. Experimental results indicate that nano-SiC has a strong capability of absorbing electromagnetic waves. The dielectric constant and dielectric loss of AlN-SiC ce-ramics with the same content of SiC decreased as the frequency of electromagnetic waves increased from 1 kHz to 1 MHz. 展开更多
关键词 ceramic materials composite materials aluminum nitride silicon carbide spark plasma sintering dielectric losses
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Boron nitride microribbons strengthened and toughened alumina composite ceramics with excellent mechanical,dielectric,and thermal conductivity properties
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作者 Jilin Wang Dongping Lu +8 位作者 Weiping Xuan Yuchun Ji Ruiqi Chen Shaofei Li Wenbiao Li Wenzhuo Chen Shilin Tang Guoyuan Zheng Fei Long 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期496-506,共11页
Aluminum oxide(Al_(2)O_(3))ceramics have been widely utilized as circuit substrates owing to their exceptional performance.In this study,boron nitride microribbon(BNMR)/Al_(2)O_(3)composite ceramics are prepared using... Aluminum oxide(Al_(2)O_(3))ceramics have been widely utilized as circuit substrates owing to their exceptional performance.In this study,boron nitride microribbon(BNMR)/Al_(2)O_(3)composite ceramics are prepared using spark plasma sintering(SPS).This study examines the effect of varying the amount of toughened phase BNMR on the density,mechanical properties,dielectric constant,and thermal conductivity of BNMR/Al_(2)O_(3)composite ceramics while also exploring the mechanisms behind the toughening and increased thermal conductivity of the fabricated ceramics.The results showed that for a BNMR content of 5 wt%,BNMR/Al_(2)O_(3)composite ceramics displayed more enhanced characteristics than pure Al_(2)O_(3)ceramics.In particular,the relative density,hardness,fracture toughness,and bending strength were 99.95%±0.025%,34.11±1.5 GPa,5.42±0.21 MPa·m^(1/2),and 375±2.5 MPa,respectively.These values represent increases of 0.76%,70%,35%,and 25%,respectively,compared with the corresponding values for pure Al_(2)O_(3)ceramics.Furthermore,during the SPS process,BNMRs are subjected to high temperatures and pressures,resulting in the bending and deformation of the Al_(2)O_(3)matrix;this leads to the formation of special thermal pathways within it.The dielectric constant of the composite ceramics decreased by 25.6%,whereas the thermal conductivity increased by 45.6%compared with that of the pure Al_(2)O_(3)ceramics.The results of this study provide valuable insights into ways of enhancing the performance of Al_(2)O_(3)-based ceramic substrates by incorporating novel BNMRs as a second phase.These improvements are significant for potential applications in circuit substrates and related fields that require high-performance materials with improved mechanical properties and thermal conductivities. 展开更多
关键词 boron nitride microribbons/aluminum oxide(BNMRs/Al_(2)O_(3))composite ceramics boron nitride microribbon(BNMR) spark plasma sintering(SPS) strengthening and toughening thermal conductivity
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氮化硅陶瓷微波烧结几何参数对电磁场分布影响规律的研究
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作者 杨辉 徐伟伟 +2 位作者 石子雨 闫国栋 周钧豪 《材料研究与应用》 CAS 2024年第1期31-36,共6页
在微波烧结过程中,烧结试样内部电场分布情况对试样烧结过程起决定性的作用。采用HFSS仿真软件,对一种加载氮化硅试样的5馈口微波烧结腔进行模拟仿真。同时,研究了试样的半径、高度及放置位置对微波电场的影响规律。模拟结果表明:当试... 在微波烧结过程中,烧结试样内部电场分布情况对试样烧结过程起决定性的作用。采用HFSS仿真软件,对一种加载氮化硅试样的5馈口微波烧结腔进行模拟仿真。同时,研究了试样的半径、高度及放置位置对微波电场的影响规律。模拟结果表明:当试样半径在42—44 mm左右时,内部电磁场分布均匀;随着试样高度的增加,电场的均匀性先下降后上升到最大值后又下降,试样高度在92—94 mm处附近时内部电磁场分布较为均匀、场强梯度小;随着放置高度的增加,试样内均匀性上升,但超过一定高度后电磁场均匀性下降;经比较研究,得出电磁场分布均匀、符合烧结要求的最佳烧结试样尺寸为高度93 mm、半径44mm、放置高度215 mm。 展开更多
关键词 微波烧结 三维电磁仿真 加热均匀性 氮化硅 波导 电磁场 陶瓷材料 影响因素
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氮化铝陶瓷的微波烧结研究 被引量:9
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作者 徐耕夫 李文兰 +2 位作者 庄汉锐 徐素英 罗新宇 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期89-95,共7页
利用TE103单模腔微波烧结系统对SHS制备的AlN粉(添加3%(mas)Y2O3)的加热烧结特征,烧结样品的显微结构进行了研究。通过适当的保温措施和烧结工艺实现了AlN陶瓷的微波快速烧结。实验发现在相对较低的测量温... 利用TE103单模腔微波烧结系统对SHS制备的AlN粉(添加3%(mas)Y2O3)的加热烧结特征,烧结样品的显微结构进行了研究。通过适当的保温措施和烧结工艺实现了AlN陶瓷的微波快速烧结。实验发现在相对较低的测量温度(1600℃)保温4min,样品可达到98.7%的理论密度,SEM和TEM分析表明,试样内部晶粒细小。 展开更多
关键词 氧化铝陶瓷 微波烧结 烧成 陶瓷
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Li_20对AlN陶瓷低温烧结的影响 被引量:5
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作者 乔梁 周和平 +1 位作者 陈可新 王少洪 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期743-748,共6页
利用XRD,SEM和TEM研究了Li2O-CaF2-Y2O3体系在/AlN陶瓷低温烧结中的作用机理,研究发现,添加Li2O的/AlN陶瓷有着更低的收缩开始温度和更大的收缩率,这种收缩来自于含Li玻璃相与CaYAlO4液相的共同作用。在烧结过程中,Li2O不仅改变了AlN烧... 利用XRD,SEM和TEM研究了Li2O-CaF2-Y2O3体系在/AlN陶瓷低温烧结中的作用机理,研究发现,添加Li2O的/AlN陶瓷有着更低的收缩开始温度和更大的收缩率,这种收缩来自于含Li玻璃相与CaYAlO4液相的共同作用。在烧结过程中,Li2O不仅改变了AlN烧结过程中的相组成,而且改善了液相的性质。由于Li2O和Al2O3在l 100℃以下反应生成含Li玻璃相,使得AlN开始收缩的温度大为降低。在1 600℃以上,含Li玻璃相分解散失,有利于AlN晶界的纯化,同时,CaYAl3O7向CaYAlO4的转变以及液相CaYAlO4在烧结过程中稳定存在,保证了含Li玻璃相散失后AlN的持续收缩。 展开更多
关键词 LI2O ALN陶瓷 低温烧结 影响 氮化铝陶瓷 氧化锂 液相
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放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷的研究 被引量:18
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作者 刘军芳 傅正义 王皓 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期320-323,共4页
采用放电等离子烧结 (sparkplasmasintering ,SPS)技术烧结氮化铝 ,在不加任何添加剂的条件下 ,180 0℃ ,4~ 2 0min烧结制备了透明的氮化铝陶瓷。XRD ,SEM ,EPMA和TEM等测试结果表明 ,制备出的氮化铝陶瓷纯度较高、晶粒细小、结构均匀 ... 采用放电等离子烧结 (sparkplasmasintering ,SPS)技术烧结氮化铝 ,在不加任何添加剂的条件下 ,180 0℃ ,4~ 2 0min烧结制备了透明的氮化铝陶瓷。XRD ,SEM ,EPMA和TEM等测试结果表明 ,制备出的氮化铝陶瓷纯度较高、晶粒细小、结构均匀 ,具有良好的透光性能 ,充分说明SPS技术可应用于透明陶瓷的制备。与此同时 ,测试结果显示 ,AlN陶瓷中还含有少量的缺陷 ,包括位错、层错、气孔、第二相包裹体 。 展开更多
关键词 氮化铝 放电等离子烧结技术 透明陶瓷
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AlN多层共烧陶瓷微波外壳的设计与制作 被引量:12
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作者 刘俊永 孙文超 +1 位作者 崔嵩 张浩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1-4,共4页
使用Ansoft HFSS软件设计了一种微波多芯片组件(MCM)用陶瓷外壳,并采用AlN多层共烧陶瓷工艺制作了样品。微波输入输出(I/O)端子采用微带线直接穿墙形式,并与陶瓷外壳一体设计、制作。试验结果表明,在2~12 GHz内驻波比(VSWR)<1.3,测... 使用Ansoft HFSS软件设计了一种微波多芯片组件(MCM)用陶瓷外壳,并采用AlN多层共烧陶瓷工艺制作了样品。微波输入输出(I/O)端子采用微带线直接穿墙形式,并与陶瓷外壳一体设计、制作。试验结果表明,在2~12 GHz内驻波比(VSWR)<1.3,测量漏率R1≤1×10–3Pa.cm3/s(He)。 展开更多
关键词 氮化铝 多层共烧陶瓷 微波外壳 HFSS
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AlN-SiC复相微波衰减材料性能的研究 被引量:3
8
作者 程卫华 李晓云 +2 位作者 丘泰 贾杪蕾 张晓伟 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2009年第4期37-40,共4页
采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。通过XRD、SEM和网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当SiC含量小于40%时,复相材料的频谱特性表现为选频衰减且衰减量比较小;当SiC含量在40%-70%时,复相材... 采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。通过XRD、SEM和网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当SiC含量小于40%时,复相材料的频谱特性表现为选频衰减且衰减量比较小;当SiC含量在40%-70%时,复相材料的频谱特性表现为宽频衰减,且随着SiC含量的增加衰减量也逐渐增加,最大衰减量达到了-2.3 dB左右;当SiC含量大于70%时,复相材料的频谱特性表现仍为宽频衰减,但随着SiC含量的增加衰减量没有明显的变化。初步探讨了AlN-SiC复相材料微波衰减曲线的频谱特性与衰减机理。 展开更多
关键词 氮化铝 碳化硅 微波衰减 热压烧结
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放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷 被引量:2
9
作者 全峰 傅正义 +1 位作者 王玉成 熊焰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第6期12-14,共3页
利用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术开展对氮化铝透明陶瓷的研究。分析了原料粉的特性, 烧结工艺对烧结体的影响以及所制备的氮化铝透明陶瓷的显微结构。
关键词 透明陶瓷 氮化铝 放电等离子烧结 烧结体 制备 原料 烧结工艺 SPS
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AlN-Re_2O_3液相烧结碳化硅(英文) 被引量:2
10
作者 吴澜尔 陈宇红 +1 位作者 江涌 黄振坤 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期593-596,共4页
采用非氧化物AlN和Re2O3作为复合烧结助剂(Re2O3-La2O3与Y2O3)进行碳化硅液相烧结得到了致密的烧结体。烧结助剂占原料粉体总质量的20%,其中:AlN与(La0.5Y0.5)2O3的摩尔比为2:1,在30MPa压力下,1 850℃保温0.5 h热压烧结的碳化硅陶瓷,抗... 采用非氧化物AlN和Re2O3作为复合烧结助剂(Re2O3-La2O3与Y2O3)进行碳化硅液相烧结得到了致密的烧结体。烧结助剂占原料粉体总质量的20%,其中:AlN与(La0.5Y0.5)2O3的摩尔比为2:1,在30MPa压力下,1 850℃保温0.5 h热压烧结的碳化硅陶瓷,抗弯强度>800 MPa,断裂韧性>8 MPa.m1/2,明显高于同组分1 950℃无压烧结0.5 h的碳化硅陶瓷的抗弯强度(433.7 MPa)和断裂韧性(4.8 MPa.m1/2)。热压烧结的陶瓷晶粒呈单向生长,断裂模式为沿晶断裂。同组分无压烧结碳化硅陶瓷的显微结构可以观察到核壳结构。 展开更多
关键词 碳化硅 氮化铝 液相烧结 结构陶瓷 稀土氧化物
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AlN-TiB_2复相微波衰减材料的性能 被引量:2
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作者 程卫华 李晓云 +1 位作者 丘泰 贾杪蕾 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期754-756,共3页
采用热压烧结工艺制备了AIN—TiB2复相微波衰减材料。通过网络分析仪,研究了TiB2含量对材料微波衰减性能的影响。结果表明,当不加衰减剂TiB2时,材料几乎没有衰减性能;当TiB2含量低于10wt%时,材料呈现选频衰减且衰减量非常的小;当... 采用热压烧结工艺制备了AIN—TiB2复相微波衰减材料。通过网络分析仪,研究了TiB2含量对材料微波衰减性能的影响。结果表明,当不加衰减剂TiB2时,材料几乎没有衰减性能;当TiB2含量低于10wt%时,材料呈现选频衰减且衰减量非常的小;当TiB2含量在25wt%~50wt%时,材料呈现良好的多点选频衰减,且随着TiB2含量的增加,材料的衰减量增加。初步探讨了AIN—TiB2复相材料微波衰减机理。 展开更多
关键词 氮化铝 硼化钛 微波衰减 热压烧结
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喷雾造粒制备SiC-AlN复合粉体特性及烧结性能 被引量:1
12
作者 郭兴忠 杨辉 +4 位作者 张玲洁 马奇 李海淼 高黎华 傅培鑫 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1846-1851,共6页
采用水基料浆与流态化喷雾造粒相结合制备SiC-AlN复合粉体,分析复合粉体的粉体特性、成形性能及烧结特性,探讨SiC-AlN复相陶瓷的增强增韧机制。结果表明:喷雾造粒后,复合粉体的流动特性显著提高,粒度级配合理;随着压强增加,坯体密度在4... 采用水基料浆与流态化喷雾造粒相结合制备SiC-AlN复合粉体,分析复合粉体的粉体特性、成形性能及烧结特性,探讨SiC-AlN复相陶瓷的增强增韧机制。结果表明:喷雾造粒后,复合粉体的流动特性显著提高,粒度级配合理;随着压强增加,坯体密度在40~80、80~160和160~220MPa范围内呈现阶梯式增长,160MPa以上成形后素坯均匀致密,无硬球颗粒存在;无压烧结SiC-AlN复相陶瓷具有优越的烧结性能和力学性能,这是由于AlN对SiC晶粒形成生长势垒,并反应生成2H型固溶体,从而细化晶粒,导致裂纹扩展产生了绕道与偏转效应,呈现晶粒撕裂与拨出现象,协同改善了复相陶瓷的强度及断裂韧性。 展开更多
关键词 碳化硅 氮化铝 喷雾造粒 复相陶瓷 粉体 烧结
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Li_2O对SPS烧结AlN陶瓷致密化、显微结构和导热性的影响 被引量:1
13
作者 李美娟 沈强 +1 位作者 罗国强 张联盟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期659-663,共5页
研究了低温烧结助剂Li2O对SPS烧结AlN陶瓷烧结致密化过程、烧结体显微结构和导热性的影响.研究表明:在SPS烧结过程中,烧结助剂Li2O和Sm2O3(或Y2O3)的加入使AlN试样开始收缩并进入烧结初期阶段的温度从1550℃左右下降到1200℃以下;同时L... 研究了低温烧结助剂Li2O对SPS烧结AlN陶瓷烧结致密化过程、烧结体显微结构和导热性的影响.研究表明:在SPS烧结过程中,烧结助剂Li2O和Sm2O3(或Y2O3)的加入使AlN试样开始收缩并进入烧结初期阶段的温度从1550℃左右下降到1200℃以下;同时Li2O使AlN试样的烧结温度显著降低,完全致密化温度降低到1650℃左右.烧结体的显微结构表明:Li2O的加入有助于形成润湿性良好的液相,促进AlN陶瓷的液相烧结;但不利于快速烧结坯体中气体的扩散与逸出,使试样的致密度受到影响.同时,Li2O影响AlN晶粒的发育,使液相润湿性提高,晶界相均匀分布,增加了晶粒界面上的声子散射,对AlN材料的热导率产生不利影响.同时,添加1.0wt%Li2O和1.5wt%Sm2O3的AlN试样的热导率低于仅添加1.5wt%Sm2O3的试样. 展开更多
关键词 烧结助剂 ALN陶瓷 SPS烧结 显微结构
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陶瓷材料的微波烧结工艺研究 被引量:2
14
作者 陈利祥 张宏图 《青岛大学学报(自然科学版)》 CAS 1997年第3期94-96,共3页
关键词 陶瓷 微波 烧结 氧化铝 氧化锆 氨化硅
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两面顶技术低温超高压烧结AlN陶瓷的研究 被引量:2
15
作者 李丹 卢忠远 范辉 《新技术新工艺》 北大核心 2004年第8期44-46,共3页
研究了掺杂不同质量分数的Y2 O3的AlN陶瓷在超高压状态下烧结的第二相组成和微观结构。研究表明 ,Y2 O3是有效的低温烧结助剂 ,在低温超高压烧结下 ,掺杂不同比例烧结助剂的AlN陶瓷的第二相均为Al5Y3O12 ,在 4 .4× 10 3MPa ,15 0 0... 研究了掺杂不同质量分数的Y2 O3的AlN陶瓷在超高压状态下烧结的第二相组成和微观结构。研究表明 ,Y2 O3是有效的低温烧结助剂 ,在低温超高压烧结下 ,掺杂不同比例烧结助剂的AlN陶瓷的第二相均为Al5Y3O12 ,在 4 .4× 10 3MPa ,15 0 0℃ ,1h的实验条件下 ,超高压烧结AlN陶瓷有着较好的微观结构 ,热导率可达到 130W /(m·K)。 展开更多
关键词 Y2O3 陶瓷 烧结助剂 研究 微观结构 质量分数 相组成 第二相 超高压 掺杂
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纳米碳管复合陶瓷微波衰减材料的研究 被引量:2
16
作者 杨艳玲 鲁燕萍 +1 位作者 田志英 刘征 《真空电子技术》 2009年第4期94-97,100,共5页
采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石(M2S)粉作为基体制备了纳米碳管(CNT)复合陶瓷。制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN-CNT复合微波衰减陶瓷。制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代用在真空电子器件中的氧化... 采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石(M2S)粉作为基体制备了纳米碳管(CNT)复合陶瓷。制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN-CNT复合微波衰减陶瓷。制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代用在真空电子器件中的氧化铝多孔渗碳微波吸收材料。 展开更多
关键词 氮化铝 纳米碳管 镁橄榄石瓷 微波衰减材料
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W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
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作者 胡永达 蒋明 +2 位作者 杨邦朝 崔嵩 张经国 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期311-315,共5页
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板... 氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度 .导带方阻达到 10mΩ/□ ,基板的翘曲度在 5 0mm中小于 5 0 μm ,导带焊盘的键合强度大于 2 9.4MPa . 展开更多
关键词 W-SiO2浆料 共烧界面 微观结构 氮化铝 多层共烧 导带浆料 烧结应力 陶瓷 二氧化硅 集成电路 封装 基板材料
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氮化铝陶瓷及其金属化工艺 被引量:1
18
作者 高陇桥 《真空电子技术》 北大核心 1992年第4期23-27,54,共6页
本文综述了最近几年来 A1N 陶瓷的发展动态,介绍了国内外有关 A1N 陶瓷的金属化工艺,指出了A1N 陶瓷进一步发展和实用化所必须注意以及要解决的几个技术关键问题。
关键词 氮化铝 陶瓷 金属化
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TiO_2添加剂对AlN-C复相材料微波衰减性能的影响
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作者 吴华忠 李晓云 丘泰 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2008年第3期258-260,共3页
在AlN-C复相材料中加入TiO_2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-C-TiO_2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-C复相材料微波衰减性能与石墨(C)含量之间的关系,以及添加剂TiO_2对AlN-C复相材料微波衰减特性... 在AlN-C复相材料中加入TiO_2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-C-TiO_2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-C复相材料微波衰减性能与石墨(C)含量之间的关系,以及添加剂TiO_2对AlN-C复相材料微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,石墨是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO_2的添加大大促进了AlN-C复相材料的烧结性能。初步探讨了AlN-C-TiO_2复相材料的微波衰减机理,极化损耗、介电损耗是其主要的微波衰减机理。 展开更多
关键词 AlN—C TIO2 微波衰减材料 热压烧结
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原位反应制备Al_2O_3弥散强化ZrO_2基复合陶瓷
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作者 何文 艾云龙 +2 位作者 陈卫华 梁炳亮 刘长虹 《南昌航空大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第4期37-42,共6页
为降低氧化锆基陶瓷烧结温度和提高其力学性能,在氧化锆中加入不同含量的纳米铝粉并采用在不同微波烧结温度使铝发生原位反应生成氧化铝弥散强化氧化锆基体的方法制备了Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷。通过XRD物相分析、SEM显微结构观察和力学... 为降低氧化锆基陶瓷烧结温度和提高其力学性能,在氧化锆中加入不同含量的纳米铝粉并采用在不同微波烧结温度使铝发生原位反应生成氧化铝弥散强化氧化锆基体的方法制备了Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷。通过XRD物相分析、SEM显微结构观察和力学性能等测试,得到了纳米铝粉含量和微波烧结温度对Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷力学性能和显微结构的影响规律。结果表明:ZrO_2基复合陶瓷素坯较适合的排塑温度为400℃。在保温时间30 min条件下,纯ZrO_2陶瓷和Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷的较佳微波烧结温度为1 350℃。纳米铝粉添加体积含量为0.5%的Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷具有较佳的综合性能,其致密度为98.56%,硬度为14.92 GPa,抗弯强度为607.07 MPa,断裂韧性为15.09 MPa·m^(1/2),抗弯强度和断裂韧性分别提高了10.46%和16.62%。 展开更多
关键词 纳米铝粉 原位反应 ZrO2基复合陶瓷 微波烧结 力学性能
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