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Research on Silicon Carbide Dispersion-Reinforced Hypereutectic Aluminum-Silicon Electronic Packaging Materials
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作者 Ruixi Guo Yunhao Hua Tianze Jia 《Journal of Electronic Research and Application》 2024年第2期86-94,共9页
The objective of this study is to improve the mechanical properties and machining performance of high thermal conductivity and low expansion silicon carbide dispersion-strengthened hypereutectic aluminum-silicon elect... The objective of this study is to improve the mechanical properties and machining performance of high thermal conductivity and low expansion silicon carbide dispersion-strengthened hypereutectic aluminum-silicon electronic packaging materials to meet the needs of aviation,aerospace,and electronic packaging fields.We used the powder metallurgy method and high-temperature hot pressing technology to prepare SiC/Al-Si composite materials with different SiC contents(5vol%,10vol%,15vol%,and 20vol%).The results showed that as the SiC content increased,the tensile strength of the composite material first increased and then decreased.The tensile strength was the highest when the SiC content was 15%;the sintering temperature significantly affected the composite material’s structural density and mechanical properties.Findings indicated 700℃was the optimal sintering and the optimal SiC content of SiC/Al-Si composite materials was between 10%and 15%.Besides,the sintering temperature should be strictly controlled to improve the material’s structural density and mechanical properties. 展开更多
关键词 silicon carbide electronic packaging materials Powder metallurgy Mechanical properties Composite materials
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Microstructure and properties of electronic packaging shell with high silicon carbide aluminum-base composites by semi-solid thixoforming
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作者 郭明海 刘俊友 +2 位作者 贾成厂 贾琪瑾 果世驹 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2014年第11期4053-4058,共6页
The electronic packaging shell with high silicon carbide aluminum-base composites was prepared by semi-solid thixoforming technique. The flow characteristic of the Si C particulate was analyzed. The microstructures of... The electronic packaging shell with high silicon carbide aluminum-base composites was prepared by semi-solid thixoforming technique. The flow characteristic of the Si C particulate was analyzed. The microstructures of different parts of the shell were observed by scanning electron microscopy and optical microscopy, and the thermophysical and mechanical properties of the shell were tested. The results show that there exists the segregation phenomenon between the Si C particulate and the liquid phase during thixoforming, the liquid phase flows from the shell, and the Si C particles accumulate at the bottom of the shell. The volume fraction of Si C decreases gradually from the bottom to the walls. Accordingly, the thermal conductivities of bottom center and walls are 178 and 164 W·m-1·K-1, the coefficients of thermal expansion(CTE) are 8.2×10-6 and 12.6×10-6 K-1, respectively. The flexural strength decreases slightly from 437 to 347 MPa. The microstructures and properties of the shell show gradient distribution. 展开更多
关键词 high silicon carbide aluminum-base composites electronic packaging semi-solid thixoforming thermal conductivity coefficient of thermal expansion
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电子封装用硅铝合金镀金黑点分析
3
作者 田阳 杨洋 +3 位作者 唐勇刚 吕滨草 李枘 高天乐 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第1期42-45,共4页
针对某硅铝合金微波组件表面镀金黑点问题,采用扫描电镜、能谱和金相显微镜分析了缺陷区域基材和镀层的微观形貌与元素组成。其原因是前处理后基材中弥散分布的硅颗粒脱落,附着于表面而难于除净,在电镀Au后才脱落,留下了坑洞。通过调整... 针对某硅铝合金微波组件表面镀金黑点问题,采用扫描电镜、能谱和金相显微镜分析了缺陷区域基材和镀层的微观形貌与元素组成。其原因是前处理后基材中弥散分布的硅颗粒脱落,附着于表面而难于除净,在电镀Au后才脱落,留下了坑洞。通过调整粗化液组分和缩短粗化时间,延长超声清洗时间,问题得到解决。 展开更多
关键词 电子封装 微波组件 硅铝合金 电镀金 黑点 硅颗粒 故障排除
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AlSiC电子封装基片的制备与性能 被引量:11
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作者 熊德赣 刘希从 +3 位作者 鲍小恒 白书欣 杨盛良 赵恂 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1913-1917,共5页
采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术,成功制备出AISiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律,并对所制备的AISiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明,在磷酸铝含量为0... 采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术,成功制备出AISiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律,并对所制备的AISiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明,在磷酸铝含量为0.8%,成形压力为200MPa时,经600℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为8.46MPa,孔隙率为37%。当温度为100~500℃时,AISiC电子封装基片的热膨胀系数介于6.88×10^-6和8.14×10^-6℃^-1之间,热导率为170W/(m·K),抗弯强度为398MPa,气密性小于1×10^-8Pa·m^3/s。用钯盐活化进行化学镀镍,得到光亮、完整的镀层。镀层于450℃恒温120s后,镀层不变色,未见起皮和鼓泡。 展开更多
关键词 AISiC电子封装基片 气密性 真空压力浸渗 化学镀镍
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高硅铝合金电子封装材料研究进展 被引量:46
5
作者 解立川 彭超群 +3 位作者 王日初 王小锋 蔡志勇 刘兵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2578-2587,共10页
阐述电子封装材料的基本要求,论述高硅铝合金材料的研究概况及其性能特点,分析熔炼铸造、浸渗法、快速凝固/粉末冶金和喷射沉积制备方法的优缺点,并指出高硅铝合金电子封装材料的发展方向。
关键词 高硅铝合金 电子封装 性能 熔炼铸造 浸渗法 喷射沉积
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AlSiC电子封装材料及构件研究进展 被引量:18
6
作者 熊德赣 程辉 +4 位作者 刘希从 赵恂 鲍小恒 杨盛良 堵永国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期111-115,共5页
AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装。综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制... AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装。综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展。 展开更多
关键词 AlSiC电子封装材料 预制件 液相浸渗 机械加工 表面处理 构件连接
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电子封装陶瓷基片材料的研究进展 被引量:41
7
作者 李婷婷 彭超群 +2 位作者 王日初 王小锋 刘兵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1365-1374,共10页
总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较... 总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较强;指出陶瓷基片材料和薄片陶瓷成型工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 电子封装材料 AL2O3陶瓷 ALN陶瓷 BeO陶瓷 SIC陶瓷 SI3N4陶瓷 流延成型 凝胶注模成型
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铜基封装材料的研究进展 被引量:19
8
作者 蔡辉 王亚平 +1 位作者 宋晓平 丁秉钧 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期24-28,共5页
具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料。综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材... 具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料。综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题。指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向。 展开更多
关键词 铜基复合材料 电子封装 碳化硅
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电子封装用高硅铝合金热膨胀性能的研究 被引量:17
9
作者 张伟 杨伏良 +1 位作者 甘卫平 刘泓 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期348-350,共3页
采用雾化喷粉与真空包套热挤压工艺制备了高硅铝合金电子封装材料,测定了合金在100-400℃间的热膨胀系数值,并运用理论模型对该温度区间的热膨胀系数进行了计算,分析了高硅铝合金材料热膨胀性能的影响因素。结果表明:Si相作为增强... 采用雾化喷粉与真空包套热挤压工艺制备了高硅铝合金电子封装材料,测定了合金在100-400℃间的热膨胀系数值,并运用理论模型对该温度区间的热膨胀系数进行了计算,分析了高硅铝合金材料热膨胀性能的影响因素。结果表明:Si相作为增强体能显著改善Al—Si合金的微观组织与热膨胀性能,430℃热挤压下的高硅铝合金材料在100-400℃之间的热膨胀系数平均值与Turner模型很接近。 展开更多
关键词 电子封装 高硅铝合金 热膨胀系数 理论模型
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新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料研究 被引量:5
10
作者 林锋 冯曦 +2 位作者 李世晨 任先京 贾贤赏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期107-110,115,共5页
微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点。高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯... 微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点。高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配,连通分布的金属(铝)确保了复合材料的高导热、散热性,两者的低密度又保证了复合材料的轻质,尤其适用于高新技术领域。重点探讨了硅基铝金属铝复合材料的主要制备技术及其组织性能机理,并对其未来发展作出展望。 展开更多
关键词 电子封装 铝金属 硅基复合材料
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注射成形制备SiCp/Al复合材料电子封装盒体的预成形坯 被引量:6
11
作者 褚克 贾成厂 +1 位作者 梁雪冰 曲选辉 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期470-474,共5页
对碳化硅陶瓷注射喂料进行流变性能分析后得到合适的注射喂料.通过注射工艺和后续的脱脂-预烧结工艺成功制备出压渗用SiCp封装盒体的预成形坯.结果表明:SiCp装载量为65%,粘结剂成分为70%PW(石蜡)+29%HPDE(高密度聚乙烯)+1%SA(硬脂酸)的... 对碳化硅陶瓷注射喂料进行流变性能分析后得到合适的注射喂料.通过注射工艺和后续的脱脂-预烧结工艺成功制备出压渗用SiCp封装盒体的预成形坯.结果表明:SiCp装载量为65%,粘结剂成分为70%PW(石蜡)+29%HPDE(高密度聚乙烯)+1%SA(硬脂酸)的喂料在较宽的剪切速率和温度范围内均具有良好的注射性能;在合适的注射参数下可以制得完整无缺陷的注射坯;采用溶剂脱脂与热脱脂两步脱脂工艺,可以成功脱除注射坯体中的粘结剂,在1150℃进行预烧结,制备出了具有良好外观形貌、足够强度以及适中连通孔隙的预成形坯,可以满足后续加压渗铝制备SiCp/Al复合材料的封装盒体实验的要求. 展开更多
关键词 电子封装材料 碳化硅(SiC) 喂料 注射成形 脱脂
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电子封装SiCp/356Al复合材料制备及热膨胀性能 被引量:14
12
作者 张建云 孙良新 +1 位作者 王磊 华小珍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期507-508,512,共3页
 采用无压渗透法制备了SiCp/356Al复合材料,用SEM和XRD对复合材料组织形貌和物相进行了研究,测定了复合材料在50~400℃温度区间的热膨胀系数,分析了复合材料热膨胀性能的影响因素。结果表明SiCp/356Al复合材料中SiC颗粒分布均匀,无明...  采用无压渗透法制备了SiCp/356Al复合材料,用SEM和XRD对复合材料组织形貌和物相进行了研究,测定了复合材料在50~400℃温度区间的热膨胀系数,分析了复合材料热膨胀性能的影响因素。结果表明SiCp/356Al复合材料中SiC颗粒分布均匀,无明显新相形成,复合材料的热膨胀系数比基体合金的热膨胀系数显著降低,复合材料热应力引起热膨胀性能的变化随温度的不同而不同。 展开更多
关键词 电子封装 无压渗透 SiCp/356Al复合材料 热膨胀系数
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真空压力浸渗法制备SiCp/Al的研究 被引量:6
13
作者 俞剑 喻学斌 张国定 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期6-10,共5页
用真空压力浸渗法制备了SiCp/Al复合材料。研究表明,这种工艺的优点是制备的Sip/Al复合材料颗粒含量高,热膨胀系数低且可调整。如能提供精密模具,该工艺对于开发SiCp/Al复合材料作为一种新兴电子封装材料是极具... 用真空压力浸渗法制备了SiCp/Al复合材料。研究表明,这种工艺的优点是制备的Sip/Al复合材料颗粒含量高,热膨胀系数低且可调整。如能提供精密模具,该工艺对于开发SiCp/Al复合材料作为一种新兴电子封装材料是极具竞争力的。研究还发现,将真空压力浸渗法制备的颗粒含量高的复合材料通过重熔稀释可制成颗粒含量适中、气孔率低、无氧化夹杂和界面反应的最终复合材料。与复合铸造法制备的同样材料相比,这种材料具有低的气孔率和较高的拉伸强度。 展开更多
关键词 碳化硅 电子封装材料 复合材料
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Al-35Si 高硅铝合金热变形行为的研究 被引量:8
14
作者 张伟 杨伏良 +1 位作者 甘卫平 欧定斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期136-138,共3页
采用 Gleeble-1500热模拟机对电子封装用 Al-35Si 高硅铝合金进行了恒温和恒应变速率下的热压缩变形实验,温度范围为370~550℃,应变速率为0.05~0.45s^(-1),得到了其真应力-真应变曲线。结果表明:在实验范围内,此合金的流变应力随变形... 采用 Gleeble-1500热模拟机对电子封装用 Al-35Si 高硅铝合金进行了恒温和恒应变速率下的热压缩变形实验,温度范围为370~550℃,应变速率为0.05~0.45s^(-1),得到了其真应力-真应变曲线。结果表明:在实验范围内,此合金的流变应力随变形温度的升高、应变速率的降低而降低,在不同变形条件下真应力软化机制分别受动态回复和动态再结晶控制,并且应变速率敏感性指数 m 随温度的升高呈上升趋势。 展开更多
关键词 电子封装 高硅铝合金 热压缩变形 流变应力 应变速率敏感指数 热变形行为 应变速率敏感性指数 恒应变速率 变形实验 温度范围
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高硅铝合金粉末的高温空气氧化预处理工艺 被引量:7
15
作者 杨伏良 易丹青 +1 位作者 刘泓 张伟 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1166-1171,共6页
通过对铝硅合金粉末采用高温空气氧化预处理,然后进行包套热挤压,制备了Al-12Si共晶及Al-30Si过共晶高硅铝合金材料。利用氧分析仪、金相显微镜、扫描电镜及透射电镜等分析检测设备,对预处理粉末的氧含量与组织及所制备材料组织进行分... 通过对铝硅合金粉末采用高温空气氧化预处理,然后进行包套热挤压,制备了Al-12Si共晶及Al-30Si过共晶高硅铝合金材料。利用氧分析仪、金相显微镜、扫描电镜及透射电镜等分析检测设备,对预处理粉末的氧含量与组织及所制备材料组织进行分析比较。结果表明:铝硅合金粉末氧含量随氧化时间延长而逐渐增加,氧化速度随氧化时间延长而下降;粉末颗粒表面氧含量明显高于颗粒内部的;在相同氧化时间内,Al-30Si粉末氧含量的增加大于Al-12Si的,Al-30Si粉末的氧化速度更快;合金粉末经高温空气氧化预处理后,晶粒出现不同程度的长大,Al-12Si共晶合金的晶粒长大不明显,而Al-30Si过共晶合金晶粒长大十分明显。 展开更多
关键词 高硅铝合金 电子封装 高温空气预氧化
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SiCp/Al电子封装复合材料预成形坯的制备 被引量:5
16
作者 平延磊 贾成厂 +1 位作者 曲选辉 李志刚 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期301-303,329,共4页
在本实验中将SiC颗粒与粘结剂混合,温压制备成坯块,进行了热脱脂与预烧结,研究了热脱脂一预烧结后坯块的线性膨胀率、孔隙度、强度与工艺条件的关系,对预成形坯的显微组织形貌进行分析.结果表明,通过有效地控制成形、脱脂与烧结等工艺参... 在本实验中将SiC颗粒与粘结剂混合,温压制备成坯块,进行了热脱脂与预烧结,研究了热脱脂一预烧结后坯块的线性膨胀率、孔隙度、强度与工艺条件的关系,对预成形坯的显微组织形貌进行分析.结果表明,通过有效地控制成形、脱脂与烧结等工艺参数,能制备出具有适合强度和孔隙度的预成形坯. 展开更多
关键词 SICP/AL复合材料 预成形坯 孔隙度 强度 线性膨胀率
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粉末粒度对高硅铝合金显微组织及性能的影响 被引量:6
17
作者 甘卫平 陈招科 杨伏良 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期721-726,共6页
通过对快速凝固高硅铝合金粉末(Al30%Si)进行真空包套热挤压,制备出高硅铝合金电子封装材料,研究了粉末粒度对高硅铝合金材料组织及性能的影响。利用金相显微镜、扫描电镜、万能电子拉伸机、差热分析仪、TR2热物性测试仪等设备系统测试... 通过对快速凝固高硅铝合金粉末(Al30%Si)进行真空包套热挤压,制备出高硅铝合金电子封装材料,研究了粉末粒度对高硅铝合金材料组织及性能的影响。利用金相显微镜、扫描电镜、万能电子拉伸机、差热分析仪、TR2热物性测试仪等设备系统测试和分析了该材料的显微组织、力学和物理性能。结果表明原始粉末颗粒尺寸大小能显著影响材料热挤压后的显微组织和性能。原始粉末颗粒越细小,其硅相越细小、抗拉强度和致密度越高、气密性越好、热导率和热膨胀系数越低。 展开更多
关键词 高硅铝合金 电子封装材料 快速凝固 热挤压 热膨胀系数 热导率
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粉末球磨预处理对高硅铝合金材料组织与物理性能的影响 被引量:13
18
作者 杨伏良 易丹青 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期253-257,共5页
为制备出能满足使用要求的高硅铝合金电子封装材料,采用高能球磨对Al-Si合金粉末进行氧化预处理,结合包套热挤压制备Al_2O_3与SiO_2增强的弥散强化型铝硅复合材料,并采用透射电镜、金相显微镜及热物性测试仪,对材料显微组织、密度、气... 为制备出能满足使用要求的高硅铝合金电子封装材料,采用高能球磨对Al-Si合金粉末进行氧化预处理,结合包套热挤压制备Al_2O_3与SiO_2增强的弥散强化型铝硅复合材料,并采用透射电镜、金相显微镜及热物性测试仪,对材料显微组织、密度、气密性、热膨胀系数及热导率进行分析测试。试验结果表明:与高温空气氧化相比,粉末高能球磨后,所制备材料的晶粒更加细小,特别是硅粒子已明显细化:粉末球磨后所制备材料密度接近于理论密度,其致密度在99%左右:材料气密性很好,在1 nPa·m^3·s^(-1)以下;材料热膨胀系数随粉末球磨时间延长而下降,当球磨时间超过24 h后,材料膨胀系数小于13μK^(-1);随着球磨时间延长材料热导率增加,球磨32 h后,材料热导率高达145.5 W·m^(-1)·K^(-1)。 展开更多
关键词 高硅铝合金 电子封装 高能球磨 铝硅复合材料
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包覆轧制过共晶高硅铝合金材料的性能研究 被引量:3
19
作者 杨伏良 甘卫平 陈招科 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第10期94-96,共3页
针对应用广泛的过共晶高硅铝合金,采用熔炼铸造与包覆轧制相结合的方法,制备了Si含量>26%的高硅铝合金材料,通过电子金相显微镜和扫描电镜时合金材料的微观组织进行了分析,并对材料进行了热膨胀系数、气密性及抗拉强度的测定。实验... 针对应用广泛的过共晶高硅铝合金,采用熔炼铸造与包覆轧制相结合的方法,制备了Si含量>26%的高硅铝合金材料,通过电子金相显微镜和扫描电镜时合金材料的微观组织进行了分析,并对材料进行了热膨胀系数、气密性及抗拉强度的测定。实验结果表明:包覆轧制可有效阻止脆性材料裂纹的扩展;在100~400℃,Si含量为28.49%的高硅铝合金材料在纵向的热膨胀系数的平均值为16.3×10^(-6),横向为16.2×10^(-6),气密性为0.9966×10^(-7),材料纵向的室温抗拉强度为135.610MPa;Si含量为32.08%的材料,在100~400℃,纵向的热膨胀系数的平均值为15.9×10^(-6),横向为15.8×10^(-6),气密性为3.4×10^(-7),材料纵向的室温抗拉强度为93.96MPa。 展开更多
关键词 过共晶 轧制 高硅铝合金 铸造 金相显微镜 微观组织 熔炼 包覆 性能研究 热膨胀系数
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Al-Si合金粉末的高能球磨及其表征 被引量:9
20
作者 杨伏良 易丹青 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期29-34,共6页
为制备能满足使用要求的高硅铝合金电子封装材料,采用高能球磨对Al-Si合金粉末进行氧化预处理,结合包套热挤压制备Al2O3与SiO2增强的弥散强化型铝硅复合材料,并利用粉末粒度分析仪、氧分析仪、金相显微镜及扫描电镜对球磨粉末氧含量、... 为制备能满足使用要求的高硅铝合金电子封装材料,采用高能球磨对Al-Si合金粉末进行氧化预处理,结合包套热挤压制备Al2O3与SiO2增强的弥散强化型铝硅复合材料,并利用粉末粒度分析仪、氧分析仪、金相显微镜及扫描电镜对球磨粉末氧含量、粉末粒度及材料组织进行分析。研究结果表明:Al-Si合金粉末经24 h球磨后,粉末粒度明显减小,部分粒径从3~5μm减小到0.1~0.2μm;球磨后粉末形状从原来的长条状转变为细小的球状;粉末氧含量随着球磨时间延长而增加,且与球磨时间接近于呈线性关系;粉末经高能球磨后,所制备材料晶粒更加细小,特别是硅粒子已明显细化,材料组织更均匀、更致密;随着粉末球磨时间延长,材料热导率增加,球磨32 h后,材料热导率高达145.5 W·m-1·K-1。 展开更多
关键词 高硅铝合金 铝硅复合材料 电子封装 球磨
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