期刊文献+
共找到38篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Design and Analysis of MEMS Based Aluminum Nitride (AlN), Lithium Niobate (LiNbO<sub>3</sub>) and Zinc Oxide (ZnO) Cantilever with Different Substrate Materials for Piezoelectric Vibration Energy Harvesters Using COMSOL Multiphysics Software
1
作者 Ahmad M.Alsaad Ahmad A.Ahmad +2 位作者 Qais M.Al-Bataineh Nermeen S.Daoud Mais H.Khazaleh 《Open Journal of Applied Sciences》 2019年第4期181-197,共17页
Interest in energy harvesters has grown rapidly over the last decade. The cantilever shaped piezoelectric energy harvesting beam is one of the most employed designs, due to its simplicity and flexibility for further p... Interest in energy harvesters has grown rapidly over the last decade. The cantilever shaped piezoelectric energy harvesting beam is one of the most employed designs, due to its simplicity and flexibility for further performance enhancement. The research effort in the MEMS Piezoelectric vibration energy harvester designed using three types of cantilever materials, Lithium Niobate (LiNbO3), Aluminum Nitride (AlN) and Zinc Oxide (ZnO) with different substrate materials: aluminum, steel and silicon using COMSOL Multiphysics package were designed and analyzed. Voltage, mechanical power and electrical power versus frequency for different cantilever materials and substrates were modeled and simulated using Finite element method (FEM). The resonant frequencies of the LiNbO3/Al, AlN/Al and ZnO/Al systems were found to be 187.5 Hz, 279.5 Hz and 173.5 Hz, respectively. We found that ZnO/Al system yields optimum voltage and electrical power values of 8.2 V and 2.8 mW, respectively. For ZnO cantilever on aluminum, steel and silicon substrates, we found the resonant frequencies to be 173.5 Hz, 170 Hz and 175 Hz, respectively. Interestingly, ZnO/steel yields optimal voltage and electrical power values of 9.83 V and 4.02 mW, respectively. Furthermore, all systems were studied at different differentiate frequencies. We found that voltage and electrical power have increased as the acceleration has increased. 展开更多
关键词 MEMS PIEZOELECTRIC Energy Harvester CANTILEVER Lithium Niobate (LiNbO3) aluminum Nitride (aln) Zinc Oxide (ZnO) Aluminium substrate Steel substrate Silicon substrate COMSOL Finite Element Method
下载PDF
AlN/W多层体共烧过程中的应力 被引量:7
2
作者 梁彤翔 朱钧国 +4 位作者 杨冰 张秉忠 彭新立 王英华 李恒德 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期286-291,共6页
研究了1850℃高温烧结AlN/W多层体烧结应力状态和产生原因,结果表明AlN与W在1850℃共烧时,不同阶段下烧结应力状态有所不同:在升温阶段,W层受平面拉应力作用,W层烧结速率降低,导致表面W膜内存在大量空洞;而... 研究了1850℃高温烧结AlN/W多层体烧结应力状态和产生原因,结果表明AlN与W在1850℃共烧时,不同阶段下烧结应力状态有所不同:在升温阶段,W层受平面拉应力作用,W层烧结速率降低,导致表面W膜内存在大量空洞;而内部W布线受到径向拉应力的作用.在保温阶段,与表面W焊盘接触的AlN受到拉应力的作用;与内部W线接触的AlN受到环向拉应力的作用.由于环向拉应力的存在,导致AlN的烧结速度和烧结密度显著降低。 展开更多
关键词 应力 多层基板 电子封装 氮化铝陶瓷 烧结
下载PDF
AlN-Y_2O_3陶瓷注射成形研究 被引量:4
3
作者 林健凉 曲选辉 +3 位作者 黄栋生 李益民 邱光汉 李笃信 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2000年第2期106-112,共7页
研究了添加5%(质量分数,下同)和7%Y_2O_3的AlN陶瓷的注射成形工艺,制备了热导率达162.5 W/(m·K)的AlN陶瓷,利用XRD,SEM,XPS等方法初步分析了注射成形中Y_2O_3的添加量、烧结工艺与第二相组成的关系,并在此基础上分析了晶界第二相... 研究了添加5%(质量分数,下同)和7%Y_2O_3的AlN陶瓷的注射成形工艺,制备了热导率达162.5 W/(m·K)的AlN陶瓷,利用XRD,SEM,XPS等方法初步分析了注射成形中Y_2O_3的添加量、烧结工艺与第二相组成的关系,并在此基础上分析了晶界第二相对AlN材料热导率的影响,结果表明,注射成形AlN陶瓷的晶界第二相对AlN的热导性能有显著的影响。 展开更多
关键词 陶瓷粉末注射成形(CIM) 氮化铝(aln) 晶界第二相
下载PDF
AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化 被引量:2
4
作者 吕帅帅 倪威 +3 位作者 倪红军 马立斌 陶建兵 康文秀 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2018年第7期62-66,共5页
研究了AlN陶瓷基片烧结曲线中液相烧结升温速率、保温时间、烧结温度对基片性能的影响。测定不同液相烧结升温速率下试样的翘曲度,确定最佳升温速率范围为0.2~0.5℃/min;同时,根据不同保温时间下试样密度的变化优选保温时间为5h,并协调... 研究了AlN陶瓷基片烧结曲线中液相烧结升温速率、保温时间、烧结温度对基片性能的影响。测定不同液相烧结升温速率下试样的翘曲度,确定最佳升温速率范围为0.2~0.5℃/min;同时,根据不同保温时间下试样密度的变化优选保温时间为5h,并协调出最高烧结温度为1 830℃。通过对比烧结曲线优化前后AlN陶瓷基片主要性能及组织结构,结果表明烧结曲线优化后效果明显。 展开更多
关键词 aln陶瓷基片 液相烧结 保温时间 烧结温度 烧结曲线
下载PDF
W 浆料中 SiO_2含量对 AlN 共烧基板烧结性能的影响 被引量:1
5
作者 胡永达 蒋明 +2 位作者 杨邦朝 崔嵩 张经国 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第6期88-90,共3页
研究了在 AlN 多层布线共烧基板中,W-SiO_2浆料体系中 SiO_2含量对共烧基板烧结性能的影响。结果表明 SiO_2的质量分数在0.45%时,AlN 多层布线共烧基板的导带方阻达到10moΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/50mm。
关键词 氮化铝 多层共烧 导带浆料 烧结性能 集成电路
下载PDF
基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术
6
作者 杨欢 张鹤 +1 位作者 杨振涛 刘林杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期156-161,共6页
针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫... 针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和剥离强度测试仪分析和研究了界面的微观结构和力学性能。研究结果表明:与氮化铝/钛钨(TiW)/Cu相比,氮化铝/钛(Ti)/Cu界面的缺陷更少,金属Ti的黏附性能更优,拉脱断裂面在陶瓷基板上。当采用厚度为400 nm的Ti作为黏附层时,表面金属化剥离强度高达592 MPa,实现了高界面结合力,保证了产品封装性能的稳定性。 展开更多
关键词 氮化铝 高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板 直接镀铜(DPC) 黏附层 钛(Ti) 剥离强度
下载PDF
W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
7
作者 胡永达 蒋明 +2 位作者 杨邦朝 崔嵩 张经国 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期311-315,共5页
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板... 氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度 .导带方阻达到 10mΩ/□ ,基板的翘曲度在 5 0mm中小于 5 0 μm ,导带焊盘的键合强度大于 2 9.4MPa . 展开更多
关键词 W-SiO2浆料 共烧界面 微观结构 氮化铝 多层共烧 导带浆料 烧结应力 陶瓷 二氧化硅 集成电路 封装 基板材料
下载PDF
AMB陶瓷基板铝线键合强度的研究
8
作者 郭珍云 王强 +1 位作者 黄建国 谭永红 《印制电路资讯》 2024年第1期94-97,共4页
AMB陶瓷基板铝线键合强度对IGBT功率模块的可靠性影响非常大,通常此类产品的可靠性测试项目包括机械振动、机械冲击、高温老化、低温老化、温度循环和功率循环等。长时间的机械和温度循环实验很容易导致键合线脱落和断裂,而键合线失效... AMB陶瓷基板铝线键合强度对IGBT功率模块的可靠性影响非常大,通常此类产品的可靠性测试项目包括机械振动、机械冲击、高温老化、低温老化、温度循环和功率循环等。长时间的机械和温度循环实验很容易导致键合线脱落和断裂,而键合线失效会直接导致模块无法正常工作。为了提高IGBT功率模块的可靠性,在实际的AMB陶瓷基板生产过程中,就需要控制好产品的铝线键合强度。本文从分析铝线焊点的根部断裂过程和机理入手,结合生产实际,针对铝线关键焊接参数对键合强度的影响程度进行研究,对实验结果使用数理统计的方法进行分析计算,得到了比较稳定的工艺参数。 展开更多
关键词 IGBT 陶瓷基板 键合强度 铝线 焊接参数
下载PDF
机械活化燃烧合成AlN-Al_2O_3复合陶瓷粉 被引量:3
9
作者 刘建平 张晖 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期38-40,43,共4页
在催化剂氯化铵的作用下,将高能球磨机械活化后的工业铝粉置于空气中自燃,制备出了AlN质量分数约为80%的AlN-Al2O3复合粉体。通过对原始铝粉和球磨铝粉的形貌进行对比分析,探讨了球磨对铝粉的机械力化学效应。借助XRD和扫描电镜分析了... 在催化剂氯化铵的作用下,将高能球磨机械活化后的工业铝粉置于空气中自燃,制备出了AlN质量分数约为80%的AlN-Al2O3复合粉体。通过对原始铝粉和球磨铝粉的形貌进行对比分析,探讨了球磨对铝粉的机械力化学效应。借助XRD和扫描电镜分析了燃烧产物的物相、形貌和结构,结果表明,生成的AlN颗粒主要集中于燃烧产物中心部,粒径为2μm;生成的Al2O3颗粒则主要分布于燃烧产物外表面,粒径为100nm。 展开更多
关键词 aln-Al2O3复合陶瓷粉 铝粉 机械活化 燃烧合成
下载PDF
含C源AlN陶瓷基片烧结工艺研究
10
作者 薄睿恬 姜宏伟 +2 位作者 黄海亮 付斯年 郑友进 《佛山陶瓷》 2018年第2期19-21,35,共4页
采用石墨发热体高温炉,对流延工艺成型的AlN陶瓷基片进行了几种烧结温度、时间的实验,并与金属发热体常压高温烧结炉烧制的AlN陶瓷基片进行了体积密度、硬度、气孔率、表面形貌和晶体结构的对比。实验表明,石墨发热体高温条件下形成的C... 采用石墨发热体高温炉,对流延工艺成型的AlN陶瓷基片进行了几种烧结温度、时间的实验,并与金属发热体常压高温烧结炉烧制的AlN陶瓷基片进行了体积密度、硬度、气孔率、表面形貌和晶体结构的对比。实验表明,石墨发热体高温条件下形成的C源,对AlN陶瓷基片烧结影响不大;高温烧结条件下助剂的烧结作用明显,会提升助剂晶相的含量;可以选择性引导AlN晶面的生长;保持低温烧结条件,有利于保持AlN晶相结构。 展开更多
关键词 aln陶瓷基片 常压烧结 晶相控制 石墨加热体
下载PDF
瓦片式TR组件用AlN陶瓷基板制造工艺研究 被引量:4
11
作者 王颖麟 钱超 +1 位作者 李俊 赵明 《电子工艺技术》 2020年第4期208-210,229,共4页
AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作... AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作了微波传输线测试用AlN基板样件和瓦片式TR组件用AlN基板。对样件的电性能和物理性能进行测试,满足瓦片式TR组件使用要求。 展开更多
关键词 TR组件 瓦片式 aln陶瓷基板 多层共烧
下载PDF
Binder composition and debinding process in PIM of AlN
12
作者 林健凉 曲选辉 +2 位作者 黄栋生 李笃信 秦明礼 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2001年第3期345-349,共5页
The thermal degradation behaviors of AlN green specimens were studied by thermogravimetry analysis during the ceramic powder injection molding debinding process. The optimum binder composition and the debinding cycle ... The thermal degradation behaviors of AlN green specimens were studied by thermogravimetry analysis during the ceramic powder injection molding debinding process. The optimum binder composition and the debinding cycle were demonstrated by observing the TGA and DTA plots of AlN green specimens and analyzing the microstructure at different temperatures. By adding HDPE into the PW EVA binder used in powder injection molding AlN can effectively reduce the mass lose rate in debinding process and improve the shape retention ability. At last, aluminum nitride ceramic with high room temperature thermal conductivity of 162.5?W·m -1 ·K -1 was produced. [ 展开更多
关键词 aluminum nitride (aln) ceramic powder injection molding (CIM) BINDER DEBINDING
下载PDF
氮化铝基板嵌入式微流道设计及激光刻蚀研究 被引量:1
13
作者 马预谱 魏涛 +5 位作者 王力 赵俊熠 张鑫磊 陈妮 李亮 何宁 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第20期2496-2503,共8页
氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)基板具有热导率高、热稳定性好等优点,在氮化铝基板中嵌入微流道可以大幅提高散热能力并减小封装厚度,但小尺寸、硬脆性氮化铝微流道精密加工难度较高。基于某阵列功率器件的散热需求,开展了氮化铝嵌入式... 氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)基板具有热导率高、热稳定性好等优点,在氮化铝基板中嵌入微流道可以大幅提高散热能力并减小封装厚度,但小尺寸、硬脆性氮化铝微流道精密加工难度较高。基于某阵列功率器件的散热需求,开展了氮化铝嵌入式微流道设计研究;为解决氮化铝陶瓷基板微流道加工难题,开展激光刻蚀氮化铝陶瓷工艺研究,探索氮化铝陶瓷基板的线刻蚀阈值及激光参数对线刻蚀槽尺寸和形貌的影响规律,并提出了激光与化学铣切的复合加工方法。实验结果表明:线刻蚀中激光刻蚀的功率阈值与扫描速度成正相关;随着激光功率的增大,线刻蚀槽宽度将大于光斑直径,会造成过度加工;激光与化学铣切复合加工得到的微流道结构尺寸精度误差均小于50μm,表面粗糙度可以达到5.6μm。 展开更多
关键词 氮化铝 高温共烧陶瓷基板 微流道 激光加工 化学铣切 激光功率 扫描速度
下载PDF
工艺参数对氮化铝陶瓷表面激光金属化层电阻的影响 被引量:1
14
作者 徐帅 赵兴科 赵增磊 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期398-404,共7页
目的 提高氮化铝陶瓷表面激光金属化层的导电性能。方法 采用正交试验设计方案,使用30 W纳秒光纤激光打标机制备了氮化铝陶瓷表面激光金属化试样,测量了金属层的电阻。通过极差分析和方差分析方法分析了激光工艺参数及其交互作用对氮化... 目的 提高氮化铝陶瓷表面激光金属化层的导电性能。方法 采用正交试验设计方案,使用30 W纳秒光纤激光打标机制备了氮化铝陶瓷表面激光金属化试样,测量了金属层的电阻。通过极差分析和方差分析方法分析了激光工艺参数及其交互作用对氮化铝陶瓷表面激光金属化层电阻值的影响规律。结果 在本研究激光工艺参数及其取值范围内,激光功率对氮化铝表面激光金属化层电阻的影响最为显著,增大激光功率有利于降低氮化铝表面激光金属化层的电阻值。采用优化工艺参数(激光功率30 W、频率30 kHz、扫描速度100mm/s)单次激光扫描制备激光金属化层的电阻为2.25Ω/mm。随着重复扫描次数的增加,功率不同的激光表面金属层的电阻值向相反方向转变:小功率激光表面金属层电阻值随扫描次数增加而迅速减小,大功率激光表面金属层电阻值随扫描次数增加而增大。经10次重复扫描后,激光功率3 W(相应的激光能量密度约为15.3 J/cm^(2))激光金属化层的电阻值低于功率分别为30 W和18.75 W激光金属化层的电阻值。结论 采用30 W激光单次扫描,或者采用3 W激光多次扫描,有利于提高氮化铝表面激光金属化层的导电性。 展开更多
关键词 氮化铝 陶瓷基板 表面金属化 电阻 正交试验 激光能量密度 扫描次数
下载PDF
LTCC基板金锡焊接的返修过程质量控制 被引量:1
15
作者 杨钊 任小良 +2 位作者 陈娜 唐旭 朱佳明 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第23期56-63,共8页
低温共烧陶瓷(LTCC)基板与硅铝壳体的一体化烧结在航天T/R组件领域具有成熟而广泛的应用,但在实际生产中不可避免地存在因组件性能不达标而需要返修LTCC基板的情况。本文对LTCC基板的金锡返修焊接进行失效分析,指出在多个基板紧密贴合... 低温共烧陶瓷(LTCC)基板与硅铝壳体的一体化烧结在航天T/R组件领域具有成熟而广泛的应用,但在实际生产中不可避免地存在因组件性能不达标而需要返修LTCC基板的情况。本文对LTCC基板的金锡返修焊接进行失效分析,指出在多个基板紧密贴合的组件中,各LTCC基板的间距应大于0.1 mm;对于需返修焊接的硅铝壳体,推荐采用化学镍+电镀镍的工艺制备镍层,并且电镀镍层的厚度应大于2μm。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷基板 硅铝壳体 金锡焊接 返修
下载PDF
陶瓷基板抛光技术研究现状
16
作者 姚忠樱 常逸文 +4 位作者 崔鸽 张洪波 任瑞康 任佳乐 旷峰华 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1093-1102,共10页
随着集成电路和半导体行业的快速发展,具有高表面精度和低粗糙度的陶瓷基板成为封装基板的最佳选择,而抛光工序作为陶瓷基板生产过程中最为关键的环节,决定了产品整体质量的好坏。围绕着陶瓷基板抛光,包括化学机械抛光、磨料流抛光、超... 随着集成电路和半导体行业的快速发展,具有高表面精度和低粗糙度的陶瓷基板成为封装基板的最佳选择,而抛光工序作为陶瓷基板生产过程中最为关键的环节,决定了产品整体质量的好坏。围绕着陶瓷基板抛光,包括化学机械抛光、磨料流抛光、超声振动辅助磨料流抛光、电泳抛光、电解抛光以及磁流变抛光等常见抛光技术的基本原理和适用范围,总结了氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化铍、氮化铝等陶瓷基板常用的抛光技术及其研究现状,并展望了陶瓷基板抛光技术的发展趋势。 展开更多
关键词 陶瓷基板 抛光技术 氧化铝 氮化硅 碳化硅 氧化铍 氮化铝
下载PDF
高热导率氮化铝陶瓷研究进展 被引量:23
17
作者 燕东明 高晓菊 +4 位作者 刘国玺 常永威 乔光利 牟晓明 赵斌 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期602-607,共6页
氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一... 氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一些氮化铝陶瓷的应用实例。 展开更多
关键词 氮化铝 流延成型 注射成型 基片 透明陶瓷
下载PDF
DBC 电子封装基板研究进展 被引量:11
18
作者 陈大钦 林锋 +3 位作者 肖来荣 蔡和平 蒋显亮 易丹青 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第6期76-78,82,共4页
综述了 DBC 电子封装基板的研究进展,介绍了 DBC 电子封装基板材料的选择、敷接的关键技术及其在电子封装中的使用特点,并展望了 DBC 电子封装基板的应用前景。
关键词 氮化铝 陶瓷金属化 电子封装材料 DBC 直接敷铜基板
下载PDF
氮化铝陶瓷基片的传热机理研究 被引量:6
19
作者 梁广川 梁金生 林舜旺 《河北工业大学学报》 CAS 1998年第1期94-99,共6页
用流延成形法制造高热导率氮化铝陶瓷基片.对烧结后的样品进行了性能测试,用扫描电子显微镜、电子探针等实验手段进行了观测,分析了影响烧结样品密度和热导率的因素,提出优化生产工艺.
关键词 氮化铝 热导率 密度 基片 陶瓷 传热
下载PDF
高导热氮化铝基片材料的研究现状 被引量:7
20
作者 石功奇 王健 丁培道 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期37-42,共6页
本文介绍了氮化铝(AIN)陶瓷基片材料的性能以及研究现状;论述了AIN基片材料的制备工艺以及影响其导热性的主要因素;分析了当前AIN基片材料研制过程中存在的问题。
关键词 材料 导热性 氮化铝陶瓷
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部