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Enhanced Work Function of Al-Doped Zinc-Oxide Thin Films by Oxygen Inductively Coupled Plasma Treatment 被引量:1
1
作者 李泽斌 吴忠航 +6 位作者 居家奇 何孔多 陈枕流 杨曦露 颜航 区琼荣 梁荣庆 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第1期79-82,共4页
Al-doped zinc-oxide (AZO) thin films treated by oxygen and chlorine inductively coupled plasma (ICP) were compared. Kelvin probe (KP) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were employed to characterize th... Al-doped zinc-oxide (AZO) thin films treated by oxygen and chlorine inductively coupled plasma (ICP) were compared. Kelvin probe (KP) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were employed to characterize the effect of treatment. The results of KP measurement show that the surface work function of AZO thin films can increase up to 5.92 eV after oxygen ICP (O-ICP)'s treatment, which means that the work function was increased by at least 1.1 eV. However, after the treatment of chlorine ICP (CI-ICP), the work function increased to 5.44 eV, and the increment was 0.6 eV. And 10 days later, the work function increment was still 0.4 eV after O-ICP's treatment, while the work function after Cl-ICP's treatment came back to the original value only after 48 hours. The XPS results suggested that the O-ICP treatment was more effective than CI-ICP for enhancing the work function of AZO films, which is well consistent with KP results. 展开更多
关键词 oxygen inductively coupled plasma Al-doped zinc-oxide azo work function
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A Back-Gated Ferroelectric Field-Effect Transistor with an Al-Doped Zinc Oxide Channel
2
作者 贾泽 徐建龙 +2 位作者 吴肖 张明明 刘俊杰 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第2期152-156,共5页
We report a back-gated metal-oxide-ferroelectric-metal (MOFM) field-effect transistor (FET) with lead zirconate titanate (PZT) material, in which an Al doped zinc oxide (AZO) channel layer with an optimized do... We report a back-gated metal-oxide-ferroelectric-metal (MOFM) field-effect transistor (FET) with lead zirconate titanate (PZT) material, in which an Al doped zinc oxide (AZO) channel layer with an optimized doping concentration of 1% is applied to reduce the channel resistance of the channel layer, thus guaranteeing a large enough load capacity of the transistor. The hysteresis loops of the Pt/PZT/AZO/Ti/Pt capacitor are measured and compared with a Pt/PZT/Pt capacitor, indicating that the remnant polarization is almost 40 μC/cm^2 and the polarization is saturated at 20 V. The measured capacitance-voltage properties are analyzed as a result of the electron depletion and accumulation switching operation conducted by the modulation of PZT on AZO channel resistance caused by the switchable remnant polarization of PZT. The switching properties of the AZO channel layer are also proved by the current-voltage transfer curves measured in the back-gated MOFM ferroelectric FET, which also show a drain current switching ratio up to about 100 times. 展开更多
关键词 PZT azo Pt A Back-Gated Ferroelectric Field-Effect Transistor with an Al-Doped zinc oxide Channel Al
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AZO陶瓷靶材粉体冷压-烧结致密化研究 被引量:3
3
作者 童义平 黄秀娟 何午琳 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期22-25,共4页
采用冷压-烧结法制备氧化锌铝陶瓷靶材(ZnO:Al,简称AZO靶材)。用正交实验法设计实验,探讨氧化铝质量分数、压制靶材的压力、烧结温度和烧结时间对靶材致密度的影响,确定最佳制备工艺参数。研究结果表明最佳制备工艺参数是:氧化铝质量分... 采用冷压-烧结法制备氧化锌铝陶瓷靶材(ZnO:Al,简称AZO靶材)。用正交实验法设计实验,探讨氧化铝质量分数、压制靶材的压力、烧结温度和烧结时间对靶材致密度的影响,确定最佳制备工艺参数。研究结果表明最佳制备工艺参数是:氧化铝质量分数为4%,压制靶材的压力为11 MPa,烧结温度为1300℃,烧结时间为2 h。在此条件下,靶材的相对密度可达98%以上,即可实现AZO靶材的超高致密度化。 展开更多
关键词 azo靶材 相对致密度 冷压-烧结法 氧化锌铝
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直流磁控溅射制备大面积AZO透明导电薄膜 被引量:3
4
作者 郭杏元 许生 +3 位作者 曾鹏举 谭晓华 严松涛 范垂祯 《真空》 CAS 北大核心 2010年第4期46-50,共5页
采用直流磁控溅射工艺于200℃的玻璃基板制备了大面积AZO透明导电薄膜。重点研究了样品晶体结构、方阻、可见光透过率、样品形貌等随其位置变化的情况。研究表明,大面积AZO薄膜的晶体结构、可见光透过率、样品形貌等随样品位置变化比较... 采用直流磁控溅射工艺于200℃的玻璃基板制备了大面积AZO透明导电薄膜。重点研究了样品晶体结构、方阻、可见光透过率、样品形貌等随其位置变化的情况。研究表明,大面积AZO薄膜的晶体结构、可见光透过率、样品形貌等随样品位置变化比较小,大面积AZO样品均按C轴取向生长,表面平整,晶粒尺寸为20 nm左右。在本实验条件下获得的大面积AZO薄膜方阻在86~110Ω/□范围内,方阻线性变动率为28%,样品电阻率为6.34~7.26×10-4Ω·cm,可见光平均透过率均高于87%。 展开更多
关键词 薄膜太阳能电池 大面积镀膜 掺铝氧化锌 磁控溅射
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AZO超高致密度化工艺研究 被引量:2
5
作者 童义平 赖秀红 黄秀娟 《中国陶瓷工业》 CAS 2013年第2期8-10,共3页
以ZnO和Al2O3为原料,采用冷压成型-高温烧结致密的方法制备超高致密度的AZO靶材。通过实验优化得到的最佳制备AZO靶材的工艺参数是:WAl2O3为2%、锻压压力11MPa、高温烧结温度1200℃,烧结时间5小时,按此条件,制备的AZO靶材相对密度最大(9... 以ZnO和Al2O3为原料,采用冷压成型-高温烧结致密的方法制备超高致密度的AZO靶材。通过实验优化得到的最佳制备AZO靶材的工艺参数是:WAl2O3为2%、锻压压力11MPa、高温烧结温度1200℃,烧结时间5小时,按此条件,制备的AZO靶材相对密度最大(96.63%)。其次是:WAl2O3为4%、锻压压力13MPa、高温烧结温度1300℃、烧结时间2小时,得到的AZO靶材相对密度96.04%。 展开更多
关键词 氧化锌铝 靶材 azo 透明导电薄膜 致密化
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有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响
6
作者 李超 王超 +1 位作者 杨帆 王艳杰 《日用电器》 2022年第8期92-96,116,共6页
在室温下,采用射频磁控溅射法在聚酰亚胺(Polyimide PI)衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,AZO薄膜厚度分别为53 nm,62 nm,79 nm,94 nm。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)测试分析了不同厚度AZO薄... 在室温下,采用射频磁控溅射法在聚酰亚胺(Polyimide PI)衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,AZO薄膜厚度分别为53 nm,62 nm,79 nm,94 nm。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)测试分析了不同厚度AZO薄膜的表面形貌、晶粒生长情况,并利用半导体参数仪对柔性AZO-TFT的电学性能进行了测试,研究了有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响。结果表明:AZO薄膜为非晶结构,随着薄膜厚度的增加,薄膜成膜质量提高,均匀致密,当厚度为79 nm时器件获得最佳性能,其饱和迁移率达到2.21 cm^(2)·(Vs),开关比为6.62×10^(4),亚阈值摆幅为1.31 V·dec,阈值电压为10.76 V。 展开更多
关键词 柔性 厚度 铝掺杂氧化锌(azo) 薄膜晶体管
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退火处理对高阻AZO纳米叠层薄膜电学性能的影响 被引量:6
7
作者 关钧 拜晓峰 端木庆铎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期136-141,共6页
采用原子层沉积技术及退火处理工艺制备高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜。通过原子力显微镜、X射线衍射仪、高阻测试仪对不同退火工艺处理后的AZO纳米叠层薄膜进行表征和分析,并研究了退火温度、退火时间对薄膜形貌、结构及电学稳定性... 采用原子层沉积技术及退火处理工艺制备高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜。通过原子力显微镜、X射线衍射仪、高阻测试仪对不同退火工艺处理后的AZO纳米叠层薄膜进行表征和分析,并研究了退火温度、退火时间对薄膜形貌、结构及电学稳定性的影响。研究结果表明,经退火处理后的AZO纳米叠层薄膜电阻率明显增大,且适当的时间退火处理有助于薄膜结构的优化。经400℃,6 h退火处理后的AZO纳米叠层薄膜,表面平整连续,粗糙度仅有0.185 nm,且电学稳定性最好。在测试电压为25~1 000 V时,测得薄膜的方块电阻最大值为5.76×10^(12)Ω/,最小值为5.55×10^(12)Ω/,其方块电阻基本稳定。该工艺制备的AZO纳米叠层薄膜在微通道板电子倍增器中具有一定的应用价值。 展开更多
关键词 氧化锌铝(azo)纳米叠层薄膜 原子层沉积(ALD) 电学特性 退火处理 微通道板(MCP)
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沉积温度及热处理对AZO纳米叠层薄膜性能的影响 被引量:3
8
作者 丁铮 关钧 端木庆铎 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第2期140-144,共5页
采用原子层沉积技术(ALD)在石英片和n型(100)Si上沉积高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜,通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)和体积表面电阻率测试仪对薄膜的表面形貌、晶体结构及电学性能进行表征分析,分别研究了不... 采用原子层沉积技术(ALD)在石英片和n型(100)Si上沉积高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜,通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)和体积表面电阻率测试仪对薄膜的表面形貌、晶体结构及电学性能进行表征分析,分别研究了不同沉积温度及退火温度对薄膜结构及性质的影响。研究结果表明AZO薄膜存在最优的生长温度窗口为170~200℃,同时发现,经过退火处理的薄膜电阻率明显增大,且适当的退火有助于薄膜结构的优化,经过400℃下退火4 h后的薄膜电阻趋于稳定,可作为微通道板(MCP)打拿极高阻导电层材料。 展开更多
关键词 微通道板(MCP) 氧化锌铝(azo)纳米薄膜 原子层沉积(ALD) 热处理 电学特性
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紫外吸收光谱法研究ZnO/碳纳米管复合材料催化降解偶氮染料 被引量:8
9
作者 徐静 宋小杰 魏先文 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2510-2513,共4页
以Zn(NO3)2和酸化多壁碳纳米管为原料采用水热法合成了ZnO/碳纳米管复合材料,产物经X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征,表明六方晶相的ZnO颗粒大小约为28 nm。紫外吸收光谱研究表明,该复合材料在太阳光照下具有较高的光催化... 以Zn(NO3)2和酸化多壁碳纳米管为原料采用水热法合成了ZnO/碳纳米管复合材料,产物经X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征,表明六方晶相的ZnO颗粒大小约为28 nm。紫外吸收光谱研究表明,该复合材料在太阳光照下具有较高的光催化降解偶氮染料的活性。探究了光照时间?催化剂用量?染料浓度以及不同的染料结构等因素对催化效率的影响,结果表明随光照时间的延长,偶氮染料位于400 nm的特征峰强度逐渐减弱,且偶氮染料的降解呈准一级的反应。该复合材料对三种染料:酸性橙?酸性大红?酸性嫩黄的溶液都具有较好的降解能力,反应速率分别为0.09,0.28,0.22 mg.L-1.min-1,此光催化降解速率的差异是由于偶氮染料分子中有机官能团的不同所造成。当选用最优条件时,该复合材料可以迅速降解染料,且经过五次循环后,其催化效率仍高于50%。 展开更多
关键词 ZNO 碳纳米管 偶氮染料 吸收光谱 光催化
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改善玻璃衬底上ZnO薄膜特性的方法 被引量:2
10
作者 张彩珍 陈永刚 周庆华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期454-458,共5页
利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜。重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,玻璃衬底上加入厚度为... 利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜。重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,玻璃衬底上加入厚度为1μm的AZO缓冲层后,提高了衬底材料和ZnO薄膜之间的晶格匹配程度,有助于增大ZnO薄膜晶粒尺寸,提高其(002)取向择优生长特性、薄膜结晶特性及晶格结构完整性。室温下的透射光谱结果表明玻璃/AZO和玻璃衬底上ZnO薄膜的透光特性没有显著不同。光致发光(PL)谱研究结果表明AZO缓冲层可以有效阻止衬底表面硅原子从ZnO薄膜中"俘获"氧原子,减少ZnO薄膜中的缺陷,改善ZnO薄膜的结晶质量。 展开更多
关键词 铝掺杂氧化锌(azo) ZNO薄膜 磁控溅射 扫描电子显微镜(SEM) X射线衍射(XRD)
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超高致密度氧化锌铝陶瓷靶的研究
11
作者 童义平 赖秀红 何午琳 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期6-8,共3页
采用冷压-烧结法制备掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶材。用正交试验法设计实验,探究WAl O2 3(%)、压机压力(MPa)、烧结温度(℃)和烧结时间(h)四个因素对相对密度的影响,确定最佳的WAl O2 3(%)、压力(MPa)、烧结温度(℃)以及烧结时间(h)。研究结... 采用冷压-烧结法制备掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶材。用正交试验法设计实验,探究WAl O2 3(%)、压机压力(MPa)、烧结温度(℃)和烧结时间(h)四个因素对相对密度的影响,确定最佳的WAl O2 3(%)、压力(MPa)、烧结温度(℃)以及烧结时间(h)。研究结果发现,四个因素对相对密度的影响程度大小依次为:烧结温度>>压力>WAl 2 O3>烧结时间;最佳的工艺组合为WAl O2 34%、压力10Mpa、烧结温度1300℃和烧结时间2h。在此条件下,靶材的相对密度最大,可达到97%左右。 展开更多
关键词 冷压-烧结法 陶瓷靶材 正交试验 氧化锌铝(azo)
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溅射功率对掺铝氧化锌薄膜晶体管性能的影响 被引量:2
12
作者 李慧 杨小天 +3 位作者 王艳杰 王超 杨帆 聂晓渊 《吉林建筑大学学报》 CAS 2022年第6期78-81,共4页
本文采用射频磁控溅射法在P型Si衬底上沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜,并用原子束蒸镀技术制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电镜、原子力显微镜、紫外可见分光光度计等手段对薄膜进行表征,研究铝的不同溅射功率对AZO薄膜晶体管电学和光学性能的... 本文采用射频磁控溅射法在P型Si衬底上沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜,并用原子束蒸镀技术制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电镜、原子力显微镜、紫外可见分光光度计等手段对薄膜进行表征,研究铝的不同溅射功率对AZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响.结果表明,当Al掺杂功率15 W时,薄膜晶体管的开关比达到10^(7),阈值电压7.525 V,迁移率0.04 cm^(2)/(V·S),平均透过率为92%. 展开更多
关键词 薄膜晶体管(TFT) 铝锌氧(azo) 磁控溅射 溅射功率
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铝掺杂量对于铝锌氧薄膜晶体管的电学性能的影响 被引量:1
13
作者 王冶 王超 杨帆 《吉林建筑大学学报》 CAS 2021年第2期83-88,共6页
本文利用磁控溅射法在硅片上制备了不同铝掺杂量的铝锌氧薄膜晶体管,并研究了铝掺杂量对铝锌氧薄膜晶体管电学性能的影响,可以看出不同铝掺杂量对于薄膜晶体管电学性能存在影响,当Al掺杂功率为15 W时,薄膜晶体管开关比达到5.7×10^(... 本文利用磁控溅射法在硅片上制备了不同铝掺杂量的铝锌氧薄膜晶体管,并研究了铝掺杂量对铝锌氧薄膜晶体管电学性能的影响,可以看出不同铝掺杂量对于薄膜晶体管电学性能存在影响,当Al掺杂功率为15 W时,薄膜晶体管开关比达到5.7×10^(5),亚阈值摆幅为3 V·dec^(-1),阈值电压3 V,迁移率1.6 cm^(2).(V·s)^(-1). 展开更多
关键词 薄膜晶体管(TFT) 铝掺杂量 铝锌氧(azo) 电学性能
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ZnO膜膜厚对ZnO/p-Si异质结光电转换性能的影响
14
作者 卢沛洪 杨元政 +1 位作者 邓子谦 谢致薇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第7期425-429,共5页
采用射频磁控溅射法在p型Si衬底上制备了不同膜厚的氧化锌中掺杂氧化铝(AZO)薄膜。测试了电阻率、结构性质、光透过率、单色光光子-电子转换效率(IPCE)和电池性能谱,研究了膜厚对电池光电转换性能的影响。结果表明,在适当的膜厚内,随着... 采用射频磁控溅射法在p型Si衬底上制备了不同膜厚的氧化锌中掺杂氧化铝(AZO)薄膜。测试了电阻率、结构性质、光透过率、单色光光子-电子转换效率(IPCE)和电池性能谱,研究了膜厚对电池光电转换性能的影响。结果表明,在适当的膜厚内,随着膜厚的增大,异质结对波长300~400 nm的光的光电转换效率逐渐增大,对400 nm以上波长段光的光电转换效率逐渐减小;而膜厚过薄或过厚会导致光电转换率降低;溅射时间为30 min的样品膜厚最适中,为153.0 nm,样品的电池开路电压为0.399 V,短路电流为361.5μA,最大功率为40.8μW。 展开更多
关键词 氧化锌中掺杂氧化铝(azo) 硅(Si) 太阳电池 光电转换 膜厚
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埋栅TCO薄膜的制备及在太阳电池上的应用
15
作者 王文贤 蔡伦 +3 位作者 陈涛 俞健 黄跃龙 沈辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期125-131,共7页
提出新型金属埋栅结构来改良透明导电氧化物薄膜(TCO)的光电性能,并分别采用AZO和ITO这2种TCO材料制备和对比3类薄膜(单层TCO薄膜、TCO/金属薄膜/TCO以及TCO/金属栅线/TCO三明治结构的薄膜)的光学和电学性能。本文制备的新型叠层AZO/Mg... 提出新型金属埋栅结构来改良透明导电氧化物薄膜(TCO)的光电性能,并分别采用AZO和ITO这2种TCO材料制备和对比3类薄膜(单层TCO薄膜、TCO/金属薄膜/TCO以及TCO/金属栅线/TCO三明治结构的薄膜)的光学和电学性能。本文制备的新型叠层AZO/Mg栅线/AZO和ITO/Ag栅线/ITO结构在300~1200 nm范围内光学透过率保持约在85%,方阻分别降低至1.94和91Ω/□。将ITO/Ag栅线/ITO作为TCO用在n-CdS/p-Si异质结电池上取得了9.31%的效率,相比单层ITO的电池转换效率提高了6.03%。该工作为低方阻、高光学透过率TCO的制备提供了一种行之有效的思路,在光电子器件上也具有一定的应用前景。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 硫化镉太阳电池 半导体异质结器件 ITO/Ag栅线/ITO 掺铝氧化锌(azo)
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低温下蛋白质基底薄膜晶体管的制备
16
作者 张含悦 王超 +2 位作者 杨帆 王艳杰 刘芙男 《吉林建筑大学学报》 CAS 2022年第4期78-83,共6页
本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响... 本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响规律.结果表明,磁控溅射的氩氧比为80∶20时,AZO薄膜表面的粗糙度较小,其值RMS=1.867 nm;制备的AZO-TFT均为n-沟道增强型器件,且呈现良好的饱和特性.该晶体管的电学性能较优,其亚阈值摆幅为2.64 V/decade,阈值电压为1.2 V,电流开关比可达4.08×10^(3),为新型可生物降解薄膜晶体管技术奠定了实验基础. 展开更多
关键词 玉米蛋白膜 可降解薄膜晶体管 铝掺杂氧化锌(azo) 氩氧比
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Development of aluminum-doped ZnO films for a-Si:H/μc-Si:H solar cell applications
17
作者 雷志芳 陈光羽 +5 位作者 谷士斌 代玲玲 杨荣 孟原 郭铁 李立伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第6期32-37,共6页
This study deals with the optimization of direct current(DC) sputtered aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films and their incorporation into a-Si:H/μc-Si:H tandem junction thin film solar cells aiming for hig... This study deals with the optimization of direct current(DC) sputtered aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films and their incorporation into a-Si:H/μc-Si:H tandem junction thin film solar cells aiming for high conversion efficiency.Electrical and optical properties of AZO films,i.e.mobility,carrier density,resistivity, and transmittance,were comprehensively characterized and analyzed by varying sputtering deposition conditions, including chamber pressure,substrate temperature,and sputtering power.The correlations between sputtering processes and AZO thin film properties were first investigated.Then,the AZO films were textured by diluted hydrochloric acid wet etching.Through optimization of deposition and texturing processes,AZO films yield excellent electrical and optical properties with a high transmittance above 81%over the 380-1100 nm wavelength range,lowsheet resistance of 11Ω/□and high haze ratio of 41.3%.In preliminary experiments,the AZO films were applied to a-Si:H/μc-Si:H tandem thin film solar cells as front contact electrodes,resulting in an initial conversion efficiency of 12.5%with good current matching between subcells. 展开更多
关键词 aluminum-doped zinc oxide magnetron sputtering tandem silicon thin film solar cell
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AZO透明导电膜电磁散射光电参数影响试验 被引量:4
18
作者 刘战合 王晓璐 +3 位作者 姬金祖 王菁 黄沛霖 周鹏 《工程科学学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期1259-1266,共8页
采用常温镀膜技术在浮法玻璃表面沉积了不同方块电阻的氧化锌铝(Al-doped zinc oxide,AZO)透明导电膜,建立了透明导电膜的雷达散射截面(radar cross section,RCS)测试和研究方法;提出了基于雷达散射截面均值的相对反射率概念,结合... 采用常温镀膜技术在浮法玻璃表面沉积了不同方块电阻的氧化锌铝(Al-doped zinc oxide,AZO)透明导电膜,建立了透明导电膜的雷达散射截面(radar cross section,RCS)测试和研究方法;提出了基于雷达散射截面均值的相对反射率概念,结合方块电阻和可见光透过率综合分析了氧化锌铝透明导电膜的电磁散射特性.在微波暗室对不同方块电阻的氧化锌铝透明导电膜进行了测试,得到了10 GHz和15 GHz入射频率,水平(horizontal horizontal,HH)、垂直(vertical vertical,VV)极化的雷达散射截面曲线;从飞行器座舱隐身角度出发,研究了前向20°和60°角域雷达散射截面曲线分布特点,并分析了雷达散射截面均值影响特性;基于氧化锌铝透明导电膜雷达散射截面测试结果,研究了方块电阻对雷达散射截面相对反射率和可见光透过率的影响规律.研究表明,方块电阻较低时雷达散射截面曲线分布特性与对应金属相似,方块电阻增大时,前向两个角域内的RCS均值减小,隐身性能减弱,雷达散射截面相对反射率降低而可见光透过率增加,相对反射率降低速率大小与方块电阻相关,合适的方块电阻可同时满足隐身及采光需求.暗室测试结果表明,在满足座舱可见光透过率前提下,氧化锌铝透明导电膜方块电阻为18~45Ω时,具有外形隐身作用,方块电阻18Ω为最优,对应RCS相对反射率Rem2和Red B分别为84%和0.73 d B. 展开更多
关键词 氧化锌铝 薄膜 电磁散射 隐身 雷达散射截面
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Highly stable Al-doped ZnO by ligand-free synthesis as general thickness-insensitive interlayers for organic solar cells 被引量:2
19
作者 Yilin Wang Zhongyou Peng +7 位作者 Shuqin Xiao Jia Yang Huanyu Zhou Liqiang Huang Lulu Sun Yinhua Zhou Licheng Tan Yiwang Chen 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第1期127-134,共8页
Highly conductive and dispersible Al-doped ZnO(AZO) nanoparticles(NPs) have been successfully prepared by ligand-free colloidal synthesis at low temperature and stabilization by surfactant-aid including ethanolamine(E... Highly conductive and dispersible Al-doped ZnO(AZO) nanoparticles(NPs) have been successfully prepared by ligand-free colloidal synthesis at low temperature and stabilization by surfactant-aid including ethanolamine(EA), ethylenediamine(EDA),diethylenetriamine(DETA) and triethylenetetramine(TETA). Due to the strong intermolecular hydrogen-bonding interactions between AZO NPs and the amino groups from surfactants, the inevitable aggregation was suppressed and the surface defect sites were passivated obviously. The existence of electron transfer from the nitrogen of the amino groups to the zinc of AZO,led to a dramatic increase in electrical conductivity. A homogeneous current intensity value up to ~2200 pA for AZO tread by DETA was characterized by conductive atomic force microscopy(C-AFM), which was more superior than that of the reported sol-gel synthesized AZO with the assistance of EA surfactant(refer to 170.7 pA). Furthermore, non-fullerenes solar cells based on PBDB-T:ITIC with AZO-DETA(80 nm) yielded a best device efficiency of 10.7% and kept up prominent PCE exceeding 10%even with more thicker interlayer(95 nm). 展开更多
关键词 aluminum-doped zinc oxide organic solar cells CONDUCTIVITY DISPERSIBILITY nanoparticles
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Lossy mode resonance-based uniform core tapered fiber optic sensor for sensitivity enhancement
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作者 Vikas Keshav Walia R K Verma 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第9期104-110,共7页
A lossy mode resonance(LMR)-supported fiber optic sensor in which a uniform fiber core is placed among two identical tapered regions, is investigated numerically. Indium tin oxide(ITO)and aluminum-doped zinc oxide(AZO... A lossy mode resonance(LMR)-supported fiber optic sensor in which a uniform fiber core is placed among two identical tapered regions, is investigated numerically. Indium tin oxide(ITO)and aluminum-doped zinc oxide(AZO) are considered as LMR active materials used to excite several lossy modes and gold and silver are used as surface plasmon resonance(SPR) active materials. In this probe design, a central uniform core coated with ITO/AZO is the active sensing region, whereas tapered regions are meant for bringing the incident angle close to the critical angle. The sensitivity of the present fiber optic bio-sensor is evaluated for first two LMRs utilizing both ITO and AZO separately, along with its variation with the taper ratio(TR). For ITO, the maximum sensitivity values are observed to be 18.425 μm RIU^(-1)(refractive index unit)and 0.825 μm RIU^(-1), corresponding to the first and second LMRs, respectively, at a TR of 1.6 and for AZO, equivalent values are 0.79 μm RIU^(-1) and 0.35 μm RIU^(-1), respectively, at a TR of2.0. The results illustrate that the first LMR is more sensitive than the second LMR and the ITOcoated probe possesses greater sensitivity than the AZO-coated probe for both LMRs. Similarly,for the fiber optic SPR sensor, the maximum value of sensitivity is 5.6425 μm RIU^(-1), in the case of gold and 5.0615 μm RIU^(-1) in the case of silver, at a TR of 1.6. Hence, the result shows that the sensor with the present fiber optic probe design has around a 3-fold enhancement in sensitivity compared with conventional SPR sensors. This study will have applications in many sensing schemes where the requirement of large sensitivity is vital. 展开更多
关键词 fiber optic sensors lossy modes surface plasmons indium tin oxide aluminum-doped zinc oxide sensitivity
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