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非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
1
作者
张世斌
孔光临
+3 位作者
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期794-799,共6页
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄...
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
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关键词
硅薄膜
非晶硅
瞬态光电导
光致变化
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职称材料
a-Si:H的光电导衰退与微结构的关系
2
作者
魏爱香
周心明
+3 位作者
冯良桓
郑家贵
蔡伯埙
谢蕙
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1989年第4期497-500,共4页
目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的...
目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的微观机制作了简短讨论.
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关键词
A-SI:H
光电导
衰退
微观结构
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职称材料
微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化
被引量:
6
3
作者
张世斌
孔光临
+3 位作者
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期111-114,共4页
利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作...
利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,估算了陷阱能级的位置 .曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降 ,而且还有所上升 ,薄膜的光敏性有所改善 .很可能曝光过程引起了硼受主的退激活 ,导致费米能级向导带边移动 ,使有效的复合中心减少 ,样品的光电导上升 .
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关键词
非晶硅薄膜
光致变化
硼掺杂
光电导衰退
瞬态响应
原文传递
题名
非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
1
作者
张世斌
孔光临
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
机构
中国科学院半导体所表面物理实验室凝聚态物理中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期794-799,共6页
基金
国家重点基础研究资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~
文摘
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
关键词
硅薄膜
非晶硅
瞬态光电导
光致变化
Keywords
amorphous silicon
transient
photoconduct
ivity
light-induced
change
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
a-Si:H的光电导衰退与微结构的关系
2
作者
魏爱香
周心明
冯良桓
郑家贵
蔡伯埙
谢蕙
机构
四川大学材料科学系
四川大学分析测试中心
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1989年第4期497-500,共4页
文摘
目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的微观机制作了简短讨论.
关键词
A-SI:H
光电导
衰退
微观结构
Keywords
amorphous silicon
,
photoconduct
,
light-induced change
,
microstructore.
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化
被引量:
6
3
作者
张世斌
孔光临
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
机构
中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期111-114,共4页
基金
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~
文摘
利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,估算了陷阱能级的位置 .曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降 ,而且还有所上升 ,薄膜的光敏性有所改善 .很可能曝光过程引起了硼受主的退激活 ,导致费米能级向导带边移动 ,使有效的复合中心减少 ,样品的光电导上升 .
关键词
非晶硅薄膜
光致变化
硼掺杂
光电导衰退
瞬态响应
Keywords
amorphous silicon
, transient
photoconduct
ivity, light induced
change
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
张世斌
孔光临
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
2
a-Si:H的光电导衰退与微结构的关系
魏爱香
周心明
冯良桓
郑家贵
蔡伯埙
谢蕙
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1989
0
下载PDF
职称材料
3
微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化
张世斌
孔光临
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
6
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