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STUDY OF THE EXCHANGE BIAS FIELD OF NiFe/FeMn BILAYERS 被引量:1
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作者 M.H. Li1’2), G.H. Yu1). F. W. Zhu1) and W.Y. Lai2) 1)Department of Material Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China 2)State Key Laboratory for Magnetism. Institute of Physics, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期238-242,共5页
The exchange bias field of NiFe/FeMn films with Ta/ Cu buffer was proved tobe lower than that of the films with Ta buffer. The crystallographic texture, surface roughness andelements distribution were examined in thes... The exchange bias field of NiFe/FeMn films with Ta/ Cu buffer was proved tobe lower than that of the films with Ta buffer. The crystallographic texture, surface roughness andelements distribution were examined in these two sets of samples, and there is no apparentdifference for the texture and roughness. However, the segregation of Cu atoms above NiFe surface inthe multilayer of Ta/Cu/NiFe has been observed by using the angle-resolved X-ray photoelectronspectroscopy (XPS). The decrease of the exchange bias field for NiFe/FeMn films with Ta/ Cu bufferlayers is mainly caused by the Cu atoms segregation at the interface between NiFe and FeMn. 展开更多
关键词 NiFe/FeMn exchange bias field texture surface roughness SURFACESEGREGATION
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退火对IrMn基自旋阀结构和磁性能的影响 被引量:1
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作者 祁先进 王寅岗 +1 位作者 周广宏 李子全 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期68-71,共4页
采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Cu(2.5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的顶钉扎自旋阀多层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对自旋阀的结构及... 采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Cu(2.5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的顶钉扎自旋阀多层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对自旋阀的结构及磁性能的影响。结果表明:退火使得IrMn(111)织构减弱,表面/界面粗糙度在低温退火后增大,而较高温度退火后减小;退火后交换偏置场和被钉扎层矫顽力减小,而自由层矫顽力增加;退火后自旋阀多层膜交换偏置场随样品在反向饱和场下停留时间的增加而不发生变化。 展开更多
关键词 退火 织构 界面粗糙度 自旋阀 交换偏置场
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退火对CoFe/IrMn双层膜结构和磁性能的影响 被引量:1
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作者 祁先进 李国华 +1 位作者 王寅岗 李子全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期14-16,共3页
采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的双层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对双层膜的结构及磁性能的影响;并通过样品在反向饱和场下... 采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的双层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对双层膜的结构及磁性能的影响;并通过样品在反向饱和场下停留不同的时间,研究了退火对双层膜的磁稳定性的影响。结果表明,退火使得IrMn(111)织构减弱,表面/界面粗糙度增大,交换偏置场减小,矫顽力增加,退火降低了双层膜的磁稳定性。 展开更多
关键词 退火 织构 界面粗糙度 交换偏置场
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不同缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换耦合场的影响
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作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 姜宏伟 赖武彦 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期65-68,共4页
采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙... 采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙度、界面偏聚等几方面对其中的原因进行了分析。除不同缓冲层引起的织构、界面粗糙度不同对交换耦合场有影响外 。 展开更多
关键词 交换耦合场 织构 界面粗糙度 界面偏聚 NiFe/FeMn双层膜 磁控溅射 镍铁合金 铁锰合金
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低剂量Ga^+辐照对CoFe/IrMn双层膜结构和磁性能的影响
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作者 祁先进 祝星 +1 位作者 黄晓艳 刘泛函 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期21081-21084,21088,共5页
采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)双层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)等分析测试手段,研究了低剂量Ga+离子辐照对双层膜结构和磁性能的影响;... 采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)双层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)等分析测试手段,研究了低剂量Ga+离子辐照对双层膜结构和磁性能的影响;通过样品在反向饱和场下停留时间研究了低剂量Ga+离子辐照对双层膜的磁稳定性的影响;并利用SRIM2003软件模拟分析了离子辐照后Ga元素在IrMn层中的深度分布。结果表明,低剂量Ga+离子辐照对双层膜中反铁磁层IrMn的〈111〉方向织构影响甚微;而双层膜的交换偏置场以及界面粗糙度随着Ga+离子辐照剂量的增大而减小;低剂量Ga+离子辐照后双层膜磁稳定性降低。 展开更多
关键词 离子辐照 交换偏置场 界面粗糙度 织构 磁性能
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