基于蒽核深蓝光材料的合成及电致发光性能

以蒽作为三线态‐三线态湮灭(TTA)型蓝光材料的基元,通过在蒽的9和10位分别引入弱给电子基团二苯并噻吩和弱吸电子基团苯氰,设计合成了两个给体‐受体型深蓝光TTA材料4‐(10‐(二苯并[b,d]噻吩‐4‐基)蒽‐9‐基)苯腈(2)和4‐(10‐(二苯并[b,d]噻吩‐2‐基)蒽‐9‐基)苯腈(3),并对它们的热稳定性、电化学性质、光物理性质及电致发光性质进行了系统表征。在纯膜状态下,两个化合物的光致发光峰分别位于445 nm和451 nm处,光致发光量子产率分别为40.2%和57.9%。基于化合物2和3的非掺杂器件的电致发光峰分别位于448 nm和458 nm处,实现了深蓝光发射。两个器件获得了较好的发光效率,其最大电流效率分别为4.2 cd·A^(-1)和6.9 cd·A^(-1),最大功率效率分别为2.3 lm·W^(-1)和3.6 lm·W^(-1),最大外量子效率分别为3.8%和5.6%。即使在1 000 cd·m^(-2)亮度下,两个器件的外量子效率依然保持在3.7%和5.4%,表现出极低的效率滚降。

掺杂B,Cr,Mo,Ti,W,Zr后金刚石中正电子湮灭寿命计算

金属基金刚石复合材料被广泛应用和研究,但金刚石表面预处理所导致的空位、掺杂等缺陷对金属基与金刚石界面性能有很大影响.尽管透射电子显微镜和能谱分析等技术已用于缺陷检测,但这些方法存在局限性.通过计算金刚石中正电子湮灭寿命,可以准确评估金刚石的界面缺陷.本文利用第一性原理计算方法,采用多种正电子湮灭算法和增强因子,计算了金刚石理想晶体、单空位、掺杂B,Cr,Mo,Ti,W和Zr后的正电子湮灭寿命.结果显示,在采用局域密度泛函时,结合Boronski&Nieminen算法以及随机相位近似限制作为湮灭增强因子时,计算得到的正电子湮灭寿命与文献的实验结果更吻合.同时,金刚石中B和Cr的掺杂使正电子湮灭寿命从由单空位119.87 ps增加为148.57 ps和156.82 ps.总体来说,金刚石中的空位和掺杂原子缺陷都会引起正电子湮灭寿命的变化.这些发现为理解和优化金刚石界面提供了有价值的理论依据.

改进型TTA在三相四线制SVG中的应用

首先介绍了三相四线制系统中负荷的特殊情况,接着简要分析了静止无功发生器(SVG)的工作原理。针对三相四线制系统的特征,将应用于三相三线制的基于时域变换算法(TTA)的电流检测算法进行改进后,得到了一种用于三相四线制系统的TTA。该算法具有检测精度高、动态性能好的优点,能够检测出负载电流的正序、负序、零序、有功、无功和谐波分量。实验和现场运行结果表明,将该算法运用于SVG中,不但具有良好的无功补偿能力,并且能够很好地补偿谐波和抑制不平衡电流,中线电流也基本能够消除。

Eu(TTA)_3/MCM-41介孔复合体的溶胶凝胶法组装

利用溶胶 凝胶法将稀土配合物Eu(TTA) 3 组装到MCM 41介孔分子筛的孔道中 ,并初步认定客体分子Eu(TTA) 3 是以加合物形式包裹于表面活性剂胶束中。该法制得的介孔复合体Eu(TTA) 3/MCM 41,用XRD、HRTEM技术证实具有短程有序的、规整的六方介孔结构和大小分布均匀的纳米晶粒。对其光致发光和荧光寿命的研究发现 :与乙醇溶液中相比 ,Eu3 +的荧光寿命没有发生改变 ,但Stokes位移却明显增大 ;复合体中 ,能量是从主体MCM 41传递到客体Eu(TTA) 3 上。

Pb^(2+)-TTA-偶氮磺Ⅲ高灵敏反应用于测定食品添加剂中的Pb

研究了3,6-双(4-溴-2-磺基-苯偶氮)-4,5-二羟基-2,7-萘二磺酸(溴代磺酸偶氮Ⅲ)、噻吩甲酰三氟丙酮(TTA)与Pb(Ⅱ)的显色反应。结果表明,Pb(Ⅱ)与溴代磺酸偶氮Ⅲ、TTA形成1∶1∶1的蓝绿色络合物,其最大吸收波长为659.8nm,络合物的表观摩尔吸光系数ε=6.42×105L.min-1.cm-1,Pb量在0~2.49μg/mL范围内符合比耳定律,检出限为5.27×10-3μg/mL,相对标准偏差(RSD)为0.4%~4.4%(n=5)。该方法灵敏度高,操作简便,用于市售色素和香精样品中铅的测定,加标回收率为84.96%~100.5%。

双核双配体稀土配合物Tb_(1-x)Eu_x(TTA)_3Phen的合成及光学性能研究

合成了系列铕铽双核稀土有机稀土配合物Tb1-xEux(TTA)3Phen,通过差热-热重分析、XRD、红外光谱、紫外光谱和荧光光谱等测试手段研究了配合物的组成、结构和发光性质。由紫外可见光谱可以看出,稀土有机配合物的吸收峰主要来自有机配体HTTA和1,10-Phen;差热-热重分析证明,稀土有机配合物热稳定性较好。荧光光谱和电致发光表明,铽对铕配合物的发光有协同作用。在该系列配合物中,不仅有机配体可以将吸收的能量传递给发光的铕离子使其发光,而且铽离子也可将其吸收的能量通过分子内能量传递给铕离子,增强铕的发光强度。同时就双核稀土有机配合物光致发光和电致发光的特性及掺杂体系的能量传递过程进行了讨论。

配合物Eu_xM_(1-x)(TTA)_3(H_2O)_2(M=La,Gd)光致发光特性

合成了一系列组成为Eu_xM_(1-x)(TTA)_3(H_2O)_2(M=La,Gd)的固体配合物,利用红外光谱和荧光光谱研究了配合物结构和发光性质随Eu^(3＋)浓度的变化规律.红外光谱的结果表明,配合物的成份为Eu_xM_(1-x)(TTA)_3(H_2O)_2和M(TTA)_3(H_2O)_2,没有新化合物生成.而荧光光谱的结果显示配合物的发光强度与Eu^(3＋)浓度不成线性关系,其中不发光的M(TTA)_3组分对发光有增益作用.对其可能的发光机制进行了探讨.

Eu(TTA)_3复合体系荧光性能和FTIR研究

合成Eu(TTA)

本体聚合制备Sm(OPr^i)(TTA)_2/PMMA光致发光材料

合成了(异丙氧基)二(α-噻吩甲酰三氟丙酮基)钐[Sm(OPri)(TTA)2]配合物,并通过本体聚合制备Sm(OPri)(TTA)2/PMMA光致发光材料,采用IR1、H-NMR、XRD、DMTA、FS、ESEM对其进行表征.结果表明,Sm-(OPri)(TTA)2/PMMA在396 nm波长激发下在562、598、644 nm处发射很强的Sm3+离子4G5/2→6H5/2,4G5/2→6H7/2,4G5/2→6H9/2跃迁的特征荧光,其发光强度与Sm(TTA)3/PMMA相当;其储能模量E′、玻璃化温度Tg和粘流温度Tf均比PMMA有所提高;Sm(OPri)3/PMMA形成类似交联结构聚合物,而Sm(OPri)(TTA)2/PMMA为线型无定型结构聚合物.

TTA化学发光新体系测定镍的研究

研究了TTA新体系的化学发光特性。依据Ni^(2+)的催化作用,通过条件优化实验,建立了测定Ni^(2+)的化学发光新方法。方法检出限为3.0ng/ml Ni^(2+),线性范围为4×10^(-9)-4×10^(-6)g/mL;对0.1μg/ml Ni^(2+)进行10次重复测定的相对标准偏差为0.94%。方法应用于水中镍的测定,结果良好。

光固化EA体系中Eu(TTA)(AA)_2Phen配合物的原位法合成及荧光性能

利用"原位法"合成技术,在EA(双酚A环氧丙烯酸酯树脂)中,合成了稀土荧光配合物Eu(TTA)(AA)2Phen(TTA:噻吩甲酰基三氟丙酮;AA:丙烯酸;Phen:邻菲咯啉),利用红外光谱、紫外-可见光谱和荧光光谱对体系进行了表征。红外光谱的研究表明,配合物在EA体系中的特征吸收峰被基质树脂所掩盖,主要表现为基质树脂的特征吸收;紫外-可见光谱的研究表明,该体系在350nm附近出现配体TTA的强特征吸收,在低于300nm时,吸收峰被基质树脂掩盖;荧光光谱的研究表明,配合物在EA体系中能发出强的铕离子的特征荧光,并且低于铕质量分数为0.4%的范围内,荧光强度与稀土离子含量接近线性关系。

聚合物对Eu(TTA)_3·2NMP发光性能的影响

研究了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)三种共混膜材料之间对铕/α-噻吩甲酰三氟丙酮/N-甲基吡咯烷酮[Eu(TTA)3·2NMP]三元配合物发光性能的差异.实验发现,无论是溶液状态,还是共混膜材料,三元配合物/聚合物的荧光强度均大于三元配合物的荧光强度,为稀土荧光物质的成膜与加工提供了重要的实验依据.

B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响

-用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.通过正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,结合常规表征手段如X射线衍射(XRD),电子扫描显微镜(SEM),介电、铁电和压电性能测量,研究缺陷对陶瓷压电性能的影响.XRD结果显示所有陶瓷均为纯钙钛矿相,掺杂诱导了菱方-四方(R-T)相变,准同型相界位于Sm掺杂量x=0.010.02.电学测量结果反映:介电、铁电和压电性能均先增强后减弱,MPB附近两个样品都有优异的介电和铁电性能,但其压电性能差别很大.x=0.01给出最优压电性能d_(33)=572 p C/N,较未掺杂样品增强了一倍.PALS结果表明掺杂使陶瓷中缺陷类型发生变化,x≤0.01,样品中同时含有A位空位与B位空位;x≥0.02,样品中以A位相关缺陷为主,B位空位浓度很低.CDBS结果进一步证实x=0.01和0.02中B位空位浓度分别是该体系中最高和最低的.由以上结果推断出:x=0.01获得的最优压电性能与其中较高浓度的B位空位有关,B位空位可稀释A位空位浓度,降低氧空位浓度,从而降低A位空位与氧空位形成缺陷偶极子的几率,促进畴壁运动,使压电性能增强.

Eu-TTA体系测定条件的优化及其在小麦代谢研究中的应用

研究了铕(Ⅲ)-TTA(邻-A噻吩甲酰三氟丙酮)体系在有机溶剂和邻菲啰啉衍生物存在下的荧光性质,发现醇类有机溶剂能使Eu(Ⅲ)-TTA体系荧光强度大幅度提高;三种邻菲啰啉衍生物中,4,7-二苯基-2,9-二甲基-1,10-邻菲啰啉的加入也能提高体系灵敏度,优化了反应条件,并用此法研究了小麦根施Eu^(3+)数天后,Eu^(3+)在根和叶片细胞膜和细胞内的分布定位,为稀土元素的植物代谢研究提供了一种重要的辅助研究手段.

一种Eu^(3+)-AAO-TTA新型复合发光材料的研究

合成了一种共聚型低聚物的新型三元复合物Eu3+-AAO-TTA（AAO:低聚丙烯酰胺丙烯酸，n（丙烯酰胺）/n（丙烯酸）=7∶3，数均相对分子质量为10000; TTA：荧光敏化剂2噻吩甲酰三氟丙酮）并测定了其荧光光谱.三元复合物的荧光强度是二元复合物Eu3+AAO荧光强度的21倍，并且比强发光物质NaEu(TTA)4的荧光强度更强.研究了pH值、Eu3+低聚物物质的量比、Eu3+-TTA物质的量比对复合物荧光强度的影响.所得三元复合物具有作为优良发光材料的应用前景.

希土硝酸盐与TTA和TPPO三元配合物的合成、表征和晶体结构

本文报道在无水乙醇中合成了TTA和TPPO与除Tm和Lu外的整个系列希土离子的三元配合物。实验发现,对于La、Ce形成组成为RE（NO3）2（TTA）（TPPO）3的配合物;而对于其余希土离子则得到组成为RE（NO3）（TTA）2（TPPO）2的配合物。培养出了Pr（NO3）（TTA）2（TPPO）2配合物的单晶,测定了它的分子和晶体结构。根据结构数据讨论了配合物的红外和紫外光谱。

Sm-La-TTA-Phen-Triton X-100荧光体系的研究及其分析应用

本文对Sm-La-2-噻吩甲酰三氟丙酮（TTA）-邻菲罗啉（Phen）-Triton X-100荧光体系进行了详细研究,发现在有La存在时,Sm-TTA-Phen-Triton X-100体系的荧光强度提高了近50倍。我们将这种新的荧光增强效应暂称为共发光效应。本体系的最佳条件如下:La3+浓度为2.0×10-5—3.0×10-5mol/L,pH为5.8—7.0。荧光强度和Sm3+浓度呈线性关系的范围为1.0×10-8—8.0×10-6mol/L。

PMBP和TTA协萃剂负载泡沫塑料萃取Sc^(3+)、Y^(3+)、Nd^(3+)、Er^(3+)的性能研究

论述了将ＰＭＢＰ和ＴＴＡ协萃剂负载于聚醚型聚氨酯泡沫塑料上，萃取微量稀土元素钪、钇、钕、铒的最佳实验条件（萃取剂浓度、温度、酸度）。研究了它们的萃取性能（萃取百分率、分配比、萃取容量）。说明这是可行的萃取方法。

一种新型共掺杂稀土配合物Gd_(0.5)Eu_(0.5)(TTA)_3Dipy的电致发光特性

制备了一类以α-噻吩甲酰基三氟丙酮(TTA)为第一配体、2,2′-联吡啶(Dipy)为第二配体的共掺杂铕钆配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy。用其作为发光层材料制作了电致发光器件:ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al。讨论并证明了Gd3+与Eu3+之间存在F rster能量传递。研究了铕钆配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,发现两者之间存在着能量转移,说明Gd3+的加入抑制了PVK自身的本征发光,促进了PVK到Eu3+的能量传递,得到了单色性很好的红光。

稀土配合物Eu(TTA)_3(TPPO)_2的合成、表征及发光性质研究

制备了Eu(TTA)3(TPPO)2二元及三元稀土配合物,通过热重差热分析、红外光谱、紫外光谱和元素分析对配合物的组成、结构进行了表征.研究了配合物溶解性、热稳定性和TPPO第2配体加入对配合物发光性的影响.荧光光谱的研究表明,第2配体的加入能有效地增强铕离子发光强度,配合物具有良好的发光性能,在紫外光激发下显示出Eu3+的特征发射峰,发出很强的红色荧光,是一种有潜在应用前景的红光发光材料.