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Analysis of the interdigitated back contact solar cells:The n-type substrate lifetime and wafer thickness
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作者 张巍 陈晨 +5 位作者 贾锐 孙昀 邢钊 金智 刘新宇 刘晓文 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期638-643,共6页
The n-type silicon integrated-back contact(IBC) solar cell has attracted much attention due to its high efficiency,whereas its performance is very sensitive to the wafer of low quality or the contamination during hi... The n-type silicon integrated-back contact(IBC) solar cell has attracted much attention due to its high efficiency,whereas its performance is very sensitive to the wafer of low quality or the contamination during high temperature fabrication processing, which leads to low bulk lifetime τbulk. In order to clarify the influence of bulk lifetime on cell characteristics, two-dimensional(2D) TCAD simulation, combined with our experimental data, is used to simulate the cell performances, with the wafer thickness scaled down under various τbulk conditions. The modeling results show that for the IBC solar cell with high τbulk,(such as 1 ms-2 ms), its open-circuit voltage V oc almost remains unchanged, and the short-circuit current density J sc monotonically decreases as the wafer thickness scales down. In comparison, for the solar cell with low τbulk(for instance, 〈 500 μs) wafer or the wafer contaminated during device processing, the V oc increases monotonically but the J sc first increases to a maximum value and then drops off as the wafer's thickness decreases. A model combing the light absorption and the minority carrier diffusion is used to explain this phenomenon. The research results show that for the wafer with thinner thickness and high bulk lifetime, the good light trapping technology must be developed to offset the decrease in J sc. 展开更多
关键词 LIFETIME wafer thickness interdigitated back contact solar cells technology computer-aided de- sign
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The Comparison of Thick and Thin Intermediate Wafer in Maxillary Le Fort I Osteotomies
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作者 Farnoush Mohammadi Naghmeh Bahrami Aref Darvishi 《International Journal of Clinical Medicine》 2018年第1期23-27,共5页
Background: Osteotomy wafers were routinely used in orthognathic surgery for repositioning the mobilized maxilla to achieve the planned final occlusion. Objectives: The aim of the current study was to determine compar... Background: Osteotomy wafers were routinely used in orthognathic surgery for repositioning the mobilized maxilla to achieve the planned final occlusion. Objectives: The aim of the current study was to determine comparison of thick and thin intermediate wafer in maxillary Le Fort I osteotomies. Methods: This study was done in 9 patients who had maxillary prognathism or retrognathism abnormality. The maxillary cast was oriented using articulator after facebow transfer. Then photographic and cephalometric data was used to determine proper dental arch segments. All 9 patients had Le Fort I combined with mandibular sagittal split osteotomies. The Le Fort I surgery was done on lateral, septum and medial sinus of nasal and trigomaxillary. The cast was removed from the base articulator and think and thick wafers were fabricated for each. Then the wafers were fixed in 1, 2 and 3 mm anterior (A1, A2 and A3, respectively). After mobilization of the maxilla and adequate bone removal, the jaws were held in occlusion with the thin intermediate wafer. The maxilla was then located against the stable part of the facial skeleton above using the yet unoperated mandible as an autorotated guide. Then the superior reposition >1 or Results: According to the results, the superior reposition was higher in thin wafers fixed in A3 > A2 compared to A1. Also, the same result was detected in thick wafers fixed in A3 > A2 compared to A1, respectively. However, there was no significant difference in both thin and thick wafers in each fixed locations. Conclusion: These results suggest thick wafers have acceptable results in maxillary Le Fort I osteotomies. 展开更多
关键词 thick wafer Thin wafer Le FORT I MAXILLARY OSTEOTOMY
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双向拉伸聚乙烯薄膜专用料的结构剖析 被引量:1
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作者 关莉 杨帆 《现代塑料加工应用》 CAS 北大核心 2024年第1期52-55,共4页
利用凝胶渗透色谱仪(GPC)、差示扫描量热仪(DSC)和核磁共振波谱仪(NMR)等对2种进口双向拉伸聚乙烯(BOPE)薄膜专用料(SP3022和TF80)和国产茂金属线型低密度聚乙烯(mLLDPE)薄膜专用料(EZP2010HA)的结构和性能进行了分析对比。结果表明:与E... 利用凝胶渗透色谱仪(GPC)、差示扫描量热仪(DSC)和核磁共振波谱仪(NMR)等对2种进口双向拉伸聚乙烯(BOPE)薄膜专用料(SP3022和TF80)和国产茂金属线型低密度聚乙烯(mLLDPE)薄膜专用料(EZP2010HA)的结构和性能进行了分析对比。结果表明:与EZP2010HA相比,SP3022和TF80的熔体流动速率更低,相对分子质量及其分布更宽,密度、熔融温度、结晶温度、结晶度均更高,厚晶片含量更多,剪切黏度更小,更适合双向拉伸加工。 展开更多
关键词 双向拉伸聚乙烯 共聚单体 热分级 晶片厚度
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基于小样本数据驱动模型的硅片线切割质量预测 被引量:1
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作者 李博文 张宏帅 +2 位作者 赵华东 胡晓亮 田增国 《机床与液压》 北大核心 2024年第1期66-73,共8页
在单晶硅加工中,硅片多线切割质量检测耗时和检测成本高造成硅片质量检测难。因此,提出一种基于生成对抗网络(WGAN-GP)数据处理与自注意力残差网络(SeResNet)的硅片质量预测方法。分析多线切割的机制,确定影响硅片质量的工艺参数,建立... 在单晶硅加工中,硅片多线切割质量检测耗时和检测成本高造成硅片质量检测难。因此,提出一种基于生成对抗网络(WGAN-GP)数据处理与自注意力残差网络(SeResNet)的硅片质量预测方法。分析多线切割的机制,确定影响硅片质量的工艺参数,建立数据样本,使用WGAN-GP对样本数据进行数据增强。在此基础上,建立基于SeResNet的硅片总体厚度偏差预测模型。以硅片的多线切割加工过程监控数据为模型验证数据,对构建的硅片总体厚度偏差预测模型进行验证。实验结果表明:该模型具有良好泛化性和高准确率,有效解决了小样本数据下的预测难题,实现了平均相对误差小于10%的硅片总体厚度偏差预测,所以基于数据驱动的硅片质量预测来代替硅片加工中的质量检测具有重要的现实意义。 展开更多
关键词 硅片 线切割 总体厚度偏差预测 生成对抗网络 数据增强
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高精度激光共焦半导体晶圆厚度测量
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作者 李兆宇 刘子豪 +2 位作者 王瑶莹 邱丽荣 杨帅 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期956-965,共10页
针对半导体晶圆厚度的高精度非接触测量问题与需求,提出了基于激光共焦的高精度晶圆厚度测量方法。该方法利用高分辨音圈纳米位移台驱动激光共焦光探针轴向运动扫描,利用激光共焦轴向响应曲线的峰值点对应物镜聚焦焦点的特性,分别对被... 针对半导体晶圆厚度的高精度非接触测量问题与需求,提出了基于激光共焦的高精度晶圆厚度测量方法。该方法利用高分辨音圈纳米位移台驱动激光共焦光探针轴向运动扫描,利用激光共焦轴向响应曲线的峰值点对应物镜聚焦焦点的特性,分别对被测晶圆上下表面进行高精度瞄准定位;通过光线追迹算法精确计算出晶圆表面每个采样点的物理坐标,实现了晶圆厚度的高精度非接触测量。基于该方法构建了激光共焦半导体晶圆厚度测量传感器,实验和分析表明,该传感器的轴向分辨力优于5 nm,轴向扫描范围可达5.7 mm,6种晶圆厚度测量重复性均优于100 nm,单次测量时长小于400 ms。将共焦定焦技术有效地应用于半导体测量领域,为晶圆厚度的高精度、无损在线测量提供了一种新技术。 展开更多
关键词 激光共焦 厚度测量 半导体晶圆 光线追迹 高精度 无损测量
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多晶钙钛矿材料的制备及其性能表征
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作者 于吉 罗寅先 +5 位作者 田宁 谭雯竹 郑若宁 王诚源 屈燕梅 黄永涛 《沈阳师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第2期180-185,共6页
金属卤化物钙钛矿由于具有较多的优点而有望成为下一代直接X射线探测器的候选材料。目前报道的钙钛矿基射线探测器大多以单晶材料为主,单晶材料往往生长条件严苛、生长过程不可控,并且制备大面积高质量钙钛矿单晶材料仍面临巨大挑战。... 金属卤化物钙钛矿由于具有较多的优点而有望成为下一代直接X射线探测器的候选材料。目前报道的钙钛矿基射线探测器大多以单晶材料为主,单晶材料往往生长条件严苛、生长过程不可控,并且制备大面积高质量钙钛矿单晶材料仍面临巨大挑战。多晶钙钛矿材料制备工艺简单、周期短,且被广泛应用于光电领域。但在宏观尺度上制备大面积高质量的钙钛矿多晶材料也面临着诸多问题。在此,分别通过机械热压制和浆料刮涂的方法制备尺寸可控的(CH_(3)NH_(3))3Bi_(2)I_(9)多晶片和CH_(3)NH_(3)PbI_(3)多晶厚膜,分别对它们的微观形貌、晶体结构和电学性质等进行了表征。结果表明,通过热压法和浆料刮涂法制备的(CH_(3)NH_(3))3Bi_(2)I_(9)多晶片和CH_(3)NH_(3)PbI_(3)多晶厚膜具有较高的晶体质量、致密性和较好的电学性质。 展开更多
关键词 金属卤化物钙钛矿 X射线探测器 多晶片 多晶厚膜
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AT切型石英晶圆抛光工艺对材料去除速率及厚度非均匀性的影响 被引量:1
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作者 万杨 陈庚豪 +2 位作者 栾兴贺 周龙早 吴丰顺 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第3期427-434,共8页
通过双面抛光工艺研究了抛光盘转速、抛光盘压力及抛光垫材质与厚度等对AT切型石英晶圆材料去除速率(MRR)与厚度非均匀性(TNU)的影响。实验结果表明,抛光盘压力越大、转速越高,材料去除速率越高;晶圆厚度非均匀性随抛光盘压力增加先减... 通过双面抛光工艺研究了抛光盘转速、抛光盘压力及抛光垫材质与厚度等对AT切型石英晶圆材料去除速率(MRR)与厚度非均匀性(TNU)的影响。实验结果表明,抛光盘压力越大、转速越高,材料去除速率越高;晶圆厚度非均匀性随抛光盘压力增加先减小后增加,随抛光盘转速增加而增加;杨氏模量越大、厚度越薄的抛光垫在晶圆表面产生的压力分布越均匀,有助于提高抛光均匀性。最后基于上述实验结果对抛光工艺参数进行了优化,优化后晶圆的材料去除速率为0.9μm/h、单片晶圆厚度非均匀性小于1.5‰、表面粗糙度为0.6 nm。该研究结果适用于石英晶圆的批量抛光工艺,对石英晶圆加工企业的抛光工艺优化有较高的参考价值。 展开更多
关键词 石英晶圆 双面抛光 材料去除速率(MRR) 厚度非均匀性(TNU) 有限元分析
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铝背场对单晶硅太阳电池输出特性的影响 被引量:6
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作者 周继承 李斐 +1 位作者 陈勇民 赵保星 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期838-841,共4页
利用PC1D软件模拟了n+/p-p+结构的单晶硅太阳电池铝背场与硅片厚度对其输出特性的影响。结果表明,有铝背场时太阳电池获得明显的开路电压、短路电流以及光电转换效率的增益;硅片厚度越小,铝背场对其输出特性的影响越大;在有铝背场情况下... 利用PC1D软件模拟了n+/p-p+结构的单晶硅太阳电池铝背场与硅片厚度对其输出特性的影响。结果表明,有铝背场时太阳电池获得明显的开路电压、短路电流以及光电转换效率的增益;硅片厚度越小,铝背场对其输出特性的影响越大;在有铝背场情况下,硅片厚度为120μm时,可获得最大的光电转换效率。 展开更多
关键词 单晶硅太阳电池 铝背场 硅片厚度 输出特性
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硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的测量 被引量:2
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作者 霍凤伟 康仁科 +2 位作者 赵福令 金洙吉 郭东明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2006年第5期69-73,共5页
分析了硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的特点,采用基于扫描白光干涉原理的三维表面轮廓仪对磨削后硅片表面的磨削沟槽的深度和宽度进行了测量,进而对磨削沟槽的深度和未变形切屑的横截面的宽高比进行了统计分析。研究表明,采用硅片... 分析了硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的特点,采用基于扫描白光干涉原理的三维表面轮廓仪对磨削后硅片表面的磨削沟槽的深度和宽度进行了测量,进而对磨削沟槽的深度和未变形切屑的横截面的宽高比进行了统计分析。研究表明,采用硅片自旋转磨削方法对硅片进行纳米磨削时,参与切削的磨粒数量极少,起主要切削作用的磨粒只占有效磨粒数量的一小部分,此部分磨粒的切削深度大于砂轮的切削深度,甚至可达后者的2倍;未变形切屑的截面为三角形,其宽高比在21~153之间,平均值为69。 展开更多
关键词 硅片 纳米磨削 磨粒切削深度 未变形切屑厚度 未变形切屑宽高比
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GaAs/InP的键合界面热应力分析 被引量:5
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作者 于丽娟 晏磊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期120-125,共6页
采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对... 采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对较小。而按照一定的比例适度剪薄两侧晶片的厚度,可以使得两侧的双轴形变能减小到原来的一半以下。通过减薄键合晶片的厚度可以得到较好的键合质量。另外,不管那一种应力都随退火温度的升高而快速增加,所以实验中一定保持低的退火温度,通常小于300°C为宜。 展开更多
关键词 砷化镓/磷化铟 键合 热应力 退火温度 晶片厚度
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厚圆片超声换能器电路系统设计 被引量:2
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作者 王成 宋寿鹏 +1 位作者 张恒 卢翠娥 《测控技术》 CSCD 北大核心 2013年第3期111-114,共4页
针对水果超声检测时存在声波穿透性能差,致使无法实现水果特征参数有效检测的问题,设计了一种用于水果超声检测的电路系统,用于解决这一技术瓶颈。该系统中,换能器采用厚径比为R/H=2.59的厚圆片压电陶瓷作为敏感元件,通过AT89S52控制的... 针对水果超声检测时存在声波穿透性能差,致使无法实现水果特征参数有效检测的问题,设计了一种用于水果超声检测的电路系统,用于解决这一技术瓶颈。该系统中,换能器采用厚径比为R/H=2.59的厚圆片压电陶瓷作为敏感元件,通过AT89S52控制的MOS管半桥对DC/DC升压转换电路产生的幅值为450 V的直流高压进行调制,将得到的高压方波信号(可调脉宽范围3~12μs)对换能器进行激励,以产生高能低频的超声波。通过将该电路系统应用于苹果中声速的测定,验证了该电路系统的有效性。该检测系统可为水果特征参数、水果品质以及损伤的超声检测提供技术参考。 展开更多
关键词 厚圆片超声换能器 高能低频 超声波 电路 水果
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Cu CMP过程中背压对膜厚一致性影响 被引量:2
12
作者 串利伟 刘玉岭 王辰伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第5期340-344,共5页
在极大规模集成电路Cu布线的化学机械平坦化过程中,抛光后表面薄膜厚度的一致性是检验平坦化能力的重要参数。从抛光过程中晶圆所受背压方面着手,研究了在不同背压参数情况下抛光后表面薄膜的一致性,得出了在工作压力为103 mdaN/cm2(1 k... 在极大规模集成电路Cu布线的化学机械平坦化过程中,抛光后表面薄膜厚度的一致性是检验平坦化能力的重要参数。从抛光过程中晶圆所受背压方面着手,研究了在不同背压参数情况下抛光后表面薄膜的一致性,得出了在工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2)时,最佳的背压参数为108 mdaN/cm2。采用此工艺参数进行抛光后得到的晶圆表面薄膜非均匀性为5.04%,即一致性可以达到94.96%,而且此时表面粗糙度为0.209 nm,从而得到了良好的抛光效果,为极大规模集成电路Cu布线化学机械平坦化的进一步发展提供了新的途径。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 铜布线 膜厚 一致性 背压
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8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法 被引量:9
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作者 张志勤 袁肇耿 薛宏伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期531-535,560,共6页
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗... 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。 展开更多
关键词 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布
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钢管厚度及分层自动超声检测工艺和校准方法研究 被引量:3
14
作者 王哲 崔西明 +1 位作者 濮海明 康宜华 《中国测试》 CAS 北大核心 2017年第3期1-4,共4页
钢管厚度及分层超声检测系统中,检测工艺和校准方法对检测精度有较大影响。该文首先探讨探头晶片尺寸对分层检测的影响,选取小尺寸探头晶片进行钢管分层的识别;针对钢管超声自动化测厚工艺,采用钢管螺旋前进以及超声探头阵列扫查的方式... 钢管厚度及分层超声检测系统中,检测工艺和校准方法对检测精度有较大影响。该文首先探讨探头晶片尺寸对分层检测的影响,选取小尺寸探头晶片进行钢管分层的识别;针对钢管超声自动化测厚工艺,采用钢管螺旋前进以及超声探头阵列扫查的方式,保证全覆盖的管体厚度和分层检测;设计一种检测水箱带动探头主动气浮跟踪的装置,提高探头对中精度和检测稳定性。最后提出一种基于最小二乘法的超声测厚仪器校准方法,通过斜率修正钢管的温度、材质等因数对声速的影响,通过截距修正系统误差,壁厚测量误差在0.1 mm以内;实验进一步验证校准方法的可靠性。 展开更多
关键词 测厚工艺 分层检测 晶片尺寸 最小二乘法 校准方法
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薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术 被引量:1
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作者 魏星 王湘 +4 位作者 陈猛 陈静 张苗 王曦 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1350-1353,共4页
在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别... 在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术. 展开更多
关键词 薄膜厚埋层SOI材料 注氧键合技术 剖面透射电镜
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300mm直径硅外延片均匀性控制方法 被引量:1
16
作者 吴会旺 刘建军 +2 位作者 米姣 薛宏伟 袁肇耿 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第12期942-945,991,共5页
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一。使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片。相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面... 随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一。使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片。相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性。实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性。通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8%,电阻率不均匀性为1.62%(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm直径硅外延片的外延层厚度和电阻率均匀性控制水平。 展开更多
关键词 300 mm直径 硅外延片 五路进气结构 厚度均匀性 电阻率均匀性
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碳化硅粒径变化对多晶硅片总厚度偏差的影响 被引量:2
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作者 杨兴林 陶大庆 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2013年第3期44-49,共6页
在简述多晶硅片加工技术的基础上,重点阐述了碳化硅这个因素对于多晶硅片切片的影响。通过实验设计方法设计出来一组单因素的实验,把碳化硅粒径作为变量,总厚度偏差(TTV)和过程能力指数(CPK)作为输出,使用Mintab软件对实验结果进行分析... 在简述多晶硅片加工技术的基础上,重点阐述了碳化硅这个因素对于多晶硅片切片的影响。通过实验设计方法设计出来一组单因素的实验,把碳化硅粒径作为变量,总厚度偏差(TTV)和过程能力指数(CPK)作为输出,使用Mintab软件对实验结果进行分析,得到相关的分析结果。经过理论分析和实验结果进行对比可知:1 500#碳化硅切割出来多晶硅片的TTV值比1 200#碳化硅的减小了3.72%,即1 500#碳化硅切割出的多晶硅片TTV明显优于1 200#碳化硅。 展开更多
关键词 碳化硅颗粒 多晶硅片 总厚度偏差 过程能力指数
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硅化学腐蚀片电容法测厚与机械法测厚差异的原因分析 被引量:3
18
作者 田原 杨静 王云彪 《电子工艺技术》 2016年第3期168-170,186,共4页
在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的... 在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的数值并计算出其差值。针对这一差值,在分别对硅化学腐蚀片及硅抛光片的表面状况进行分析后,认为较粗糙和平整度较差的表面状况是造成硅化学腐蚀片采用电容法测厚与机械法测厚出现差异的主要原因。 展开更多
关键词 电容法测厚 机械法测厚 硅化学腐蚀片 硅抛光片
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低应力厚膜SOI晶片研究
19
作者 颜秀文 刘恺 +1 位作者 刘东明 蓝镇立 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期41-41,59,共2页
利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于... 利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大于13.54J/m2;表面应力小于12.6MPa,适用于MEMS器件。 展开更多
关键词 厚膜工艺 晶片/SOI晶片 低应力
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自支撑金刚石厚膜脱离基体前后的残余应力研究
20
作者 唐达培 高庆 +2 位作者 李映辉 吕反修 吴兰鹰 《真空》 CAS 北大核心 2010年第2期52-56,共5页
运用ANSYS软件建立了有限元模型,对直流等离子体喷射制备的自支撑金刚石厚膜在脱离基体前、后的残余应力分别进行了数值模拟。为了使模拟更接近于金刚石膜的真实制备环境,本文取消了以往对金刚石膜或基体内的温度场常作的均匀或线性的... 运用ANSYS软件建立了有限元模型,对直流等离子体喷射制备的自支撑金刚石厚膜在脱离基体前、后的残余应力分别进行了数值模拟。为了使模拟更接近于金刚石膜的真实制备环境,本文取消了以往对金刚石膜或基体内的温度场常作的均匀或线性的人为假设,而采用对从磁控直流等离子体炬内喷射出的射流仿真计算结果。结论如下(:1)金刚石膜脱离基体之前,金刚石厚膜内的热残余应力呈空间应力状态,第一主应力在膜层中心以外的大部分地方均为拉应力,易引起膜开裂破坏;膜/基界面上极大的剪切应力是引起金刚石膜从基体上脱离的主要原因。(2)金刚石膜脱离基体之后,热残余应力绝大部分被释放,膜内最终的残余应力可认为是本征应力。 展开更多
关键词 自支撑金刚石厚膜 残余应力 本征应力 有限元法
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