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一步电沉积法制备Ni_3S_2纳米片阵列作为高性能非对称超级电容器的研究(英文) 被引量:5
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作者 许家胜 孙誉东 +3 位作者 鲁明俊 王琳 张杰 刘晓旸 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第5期699-710,共12页
本文采用一步电沉积法制备了Ni_3S_2纳米片阵列超级电容器电极. Ni_3S_2纳米片彼此互连能够为电子传导提供快速通道,有利于电子与离子传输,提供了丰富的赝电容反应位点.采用不同电沉积次数探究了不同负载量的Ni_3S_2对其电化学性能的影... 本文采用一步电沉积法制备了Ni_3S_2纳米片阵列超级电容器电极. Ni_3S_2纳米片彼此互连能够为电子传导提供快速通道,有利于电子与离子传输,提供了丰富的赝电容反应位点.采用不同电沉积次数探究了不同负载量的Ni_3S_2对其电化学性能的影响.性能最好的Ni_3S_2电极在1 A g^(-1)下展示出773.6 F g^(-1)的单位比电容,在10 A g^(-1)时具有84.3%的优异倍率性能.组装的非对称超级电容器(Ni_3S_2//rGO)表现出优良的使用性能.这些结果表明了所制备的Ni_3S_2超级电容器电极材料具有广阔的应用前景.电沉积法控制Ni_3S_2负载量的策略能够为电极材料制备提供一种新思路. 展开更多
关键词 超级电容器 电化学性能 电沉积法 材料制备 纳米片 非对称 电极材料 电子传导
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