组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .

GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究

用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。

组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究

用分子束外延系统 (MBE)生长了GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱 (ACDQW ) ,采用组合注入质子的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入剂量的GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱单元 ,没有经过快速热退火的过程 ,在常温下测量了不同注入剂量量子阱单元的显微光荧光谱和光调制反射光谱 ,发现了各区域子带间跃迁能量最大变化范围达到 81meV .由于样品未作高温热退火处理 ,为此由Al组分误差函数模型推导的扩散长度要大大高于扩散系数公式 .耦合量子阱的界面混合效应对于质子注入非常敏感 .