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辅助加热PCVD-TiN薄膜的性能及结构分析
被引量:
2
1
作者
彭红瑞
石玉龙
+2 位作者
谢雁
李世直
赵程
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期15-17,共3页
研究了反应气体对辅助加热PCVD-TiN薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中TiCl4的含量TiN薄膜内的氯含量基本不变。提高反应气体中的H2/N2比可以略降低薄膜内的氯含量,在H2/N2=2、TiCl4约为10...
研究了反应气体对辅助加热PCVD-TiN薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中TiCl4的含量TiN薄膜内的氯含量基本不变。提高反应气体中的H2/N2比可以略降低薄膜内的氯含量,在H2/N2=2、TiCl4约为10%时TiN薄膜的硬度最高,TiN薄膜仍呈柱状结构,具有较强的(200)晶面织构。
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关键词
辅助加热
P
cvd
反应气体
薄膜
氮化钛
高速钢
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职称材料
辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素
2
作者
彭红瑞
石玉龙
+2 位作者
谢雁
李世直
赵程
《青岛化工学院学报(自然科学版)》
1998年第3期273-277,共5页
研究了反应气体对辅助加热PCVDTiN薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中TiCl4的含量可以提高薄膜的沉积速率,而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的V(H2)/V(N2)可以略降低薄膜内的氯含量,在V...
研究了反应气体对辅助加热PCVDTiN薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中TiCl4的含量可以提高薄膜的沉积速率,而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的V(H2)/V(N2)可以略降低薄膜内的氯含量,在V(H2)/V(N2)=2,TiCl4的体积分数为10%左右时TiN薄膜的硬度最高。随着反应气压的升高,沉积速率呈正比上升而显微硬度却下降。
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关键词
辅助加热
P
cvd
TIN薄膜
薄膜
制备
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职称材料
题名
辅助加热PCVD-TiN薄膜的性能及结构分析
被引量:
2
1
作者
彭红瑞
石玉龙
谢雁
李世直
赵程
机构
青岛化工学院等离子体表面技术研究所
出处
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期15-17,共3页
文摘
研究了反应气体对辅助加热PCVD-TiN薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中TiCl4的含量TiN薄膜内的氯含量基本不变。提高反应气体中的H2/N2比可以略降低薄膜内的氯含量,在H2/N2=2、TiCl4约为10%时TiN薄膜的硬度最高,TiN薄膜仍呈柱状结构,具有较强的(200)晶面织构。
关键词
辅助加热
P
cvd
反应气体
薄膜
氮化钛
高速钢
Keywords
auxiliary heating
,
plasma cvd
,
reaction gases
分类号
O484 [理学—固体物理]
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素
2
作者
彭红瑞
石玉龙
谢雁
李世直
赵程
机构
青岛化工学院等离子体表面技术研究所
出处
《青岛化工学院学报(自然科学版)》
1998年第3期273-277,共5页
文摘
研究了反应气体对辅助加热PCVDTiN薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中TiCl4的含量可以提高薄膜的沉积速率,而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的V(H2)/V(N2)可以略降低薄膜内的氯含量,在V(H2)/V(N2)=2,TiCl4的体积分数为10%左右时TiN薄膜的硬度最高。随着反应气压的升高,沉积速率呈正比上升而显微硬度却下降。
关键词
辅助加热
P
cvd
TIN薄膜
薄膜
制备
Keywords
auxiliary heating
plasma cvd
reaction gases
分类号
TG174.442 [金属学及工艺—金属表面处理]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
辅助加热PCVD-TiN薄膜的性能及结构分析
彭红瑞
石玉龙
谢雁
李世直
赵程
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
下载PDF
职称材料
2
辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素
彭红瑞
石玉龙
谢雁
李世直
赵程
《青岛化工学院学报(自然科学版)》
1998
0
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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