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耐高压大电流IGBT管芯的设计与工艺关键技术研究
1
作者
朱国夫
余庆
+2 位作者
李晓敏
章志明
周家泉
《绍兴文理学院学报》
2014年第8期4-8,共5页
IGBT广泛应用于电子、新能源、铁路交通、智能电网等领域.由于难以克服IGBT关键的减薄工艺与背面集电极工艺难题,1 200 V以上的耐高压IGBT领域还是少有产品问世.文章主要研究1 700 V高压的IGBT管芯结构设计和制造的关键工艺,包括双面深...
IGBT广泛应用于电子、新能源、铁路交通、智能电网等领域.由于难以克服IGBT关键的减薄工艺与背面集电极工艺难题,1 200 V以上的耐高压IGBT领域还是少有产品问世.文章主要研究1 700 V高压的IGBT管芯结构设计和制造的关键工艺,包括双面深结扩散工艺、背面透明集电极工艺、结终端结构设计及版图设计等.这些关键技术的应用提升了IGBT管芯的耐高压性能和工作稳定性、可靠性.
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关键词
IGBT
双面深结扩散
背面透明集电极
结终端结构
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职称材料
题名
耐高压大电流IGBT管芯的设计与工艺关键技术研究
1
作者
朱国夫
余庆
李晓敏
章志明
周家泉
机构
绍兴市华越微电子有限公司
国家纺织机械质量监督检验(绍兴)中心
浙江方圆机电有限公司
出处
《绍兴文理学院学报》
2014年第8期4-8,共5页
文摘
IGBT广泛应用于电子、新能源、铁路交通、智能电网等领域.由于难以克服IGBT关键的减薄工艺与背面集电极工艺难题,1 200 V以上的耐高压IGBT领域还是少有产品问世.文章主要研究1 700 V高压的IGBT管芯结构设计和制造的关键工艺,包括双面深结扩散工艺、背面透明集电极工艺、结终端结构设计及版图设计等.这些关键技术的应用提升了IGBT管芯的耐高压性能和工作稳定性、可靠性.
关键词
IGBT
双面深结扩散
背面透明集电极
结终端结构
Keywords
IGBT
duplicated deep knot diffusion process
back clearlook collector region
the end of knot design and layout
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
耐高压大电流IGBT管芯的设计与工艺关键技术研究
朱国夫
余庆
李晓敏
章志明
周家泉
《绍兴文理学院学报》
2014
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