Structural and band tail state photoluminescence properties of amorphous SiC films with different amounts of carbon

Amorphous silicon carbide films are deposited by the plasma enhanced chemical vapour deposition technique,and optical emissions from the near-infrared to the visible are obtained.The optical band gap of the films increases from 1.91 eV to 2.92 eV by increasing the carbon content,and the photoluminescence（PL） peak shifts from 1.51 eV to 2.16 eV.The band tail state PL mechanism is confirmed by analysing the optical band gap,PL intensity,the Stocks shift of the PL,and the Urbach energy of the film.The PL decay times of the samples are in the nanosecond scale,and the dependence of the PL lifetime on the emission energy also supports that the optical emission is related to the radiative recombination in the band tail state.

MOCVD生长GaN中带尾和激子发光特性研究

采用低压ＭＯＣＶＤ生长技术制备ＧａＮ，对其界面附近的发光特性及其温度行为进行了研究．实验表明界面附近ＧａＮ的发光呈一宽带发射．并对叠加于宽带发射上的尖锐发光峰及其温度行为进行了讨论．

氧化锌薄膜的紫外光致发光的低能带尾发射

利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜 ,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光 .氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成 ,峰的中心位置分别是在 3.31和 3.2 2eV ,它们分别为自由激子发射和自由激子的一阶声子伴线( 1 -LO) .而在 82K下 ,紫外发射谱是由光子能量分别在 3.371eV ,3.35 8eV ,3.31 6eV ,3.2 35eV和 3.1 66eV峰组成 .它们分别是自由激子 ,束缚激子和自由激子的一阶 ( 1 -LO)、二阶 ( 2 -LO)和三阶 ( 3-LO)的声子伴线 .根据变温光谱结果 ,我们提出室温下的紫外发射的低能带尾是来自自由激子的一阶声子 ( 1 -LO)

Direct Observation of NN Pairs Transfer in GaP1-xNx （x=0.12%）

解决时间的光致发光(TRPL ) 被使用在 GaP1-xNx 调查短暂过程(x =0.12%) 合金。在氮对之中充满，转和腐烂过程直接被观察。NN4 对，不在场的任何一个或仅仅在合适的刺激下面的一座小阴暗山峰在不变的光致发光光谱调节，被 TRPL 很好解决。

异质结构材料的傅立叶变换光萤光谱的测试与分析

介绍了傅立叶交换光萤光谱测试的基本原理；报道了用ＰＬ６１２０设备测得的一些典型的异质结构材料光萤光谱；分析和讨论了光萤光双峰结构、光萤光谱异常温度特性等问题；指出了异质界面上原子排列无序和内应力是造成这些异常现象的物理原因。

非晶氧化硅薄膜带尾发光特性

采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变CO2流量制备了不同氧含量的非晶氧化硅薄膜。利用紫外可见吸收谱、傅里叶红外吸收谱和稳态/瞬态光致发光谱等技术研究了薄膜的微观结构和光学特性。实验结果表明,随着氧含量的增加,薄膜的带隙增大,光致发光强度增加、峰值朝高能方向移动、光谱半峰全宽展宽。时间分辨光谱显示薄膜发光峰值处的衰减时间随氧含量的增加从6.2ns单调增加到21ns,而同一样品的发光寿命随发射波长能量增加而减小。综合分析光学吸收、发射及发光衰减特性表明,薄膜的发光机制主要归结为非晶材料带尾态之间的辐射复合。