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Preparation and characterization of barium strontium titanate/silicon nanoporous pillar array composite thin films by a sol-gel method
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作者 Shun-hua Xiao Wei-fen Jiang 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第8期762-767,共6页
Barium strontium titanate (Ba0.5Sr0.5TiO3, BST)/silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) thin films were prepared by a spin-coating/annealing technique based on Si-NPA with micro/nano-structure. Both the isomer co... Barium strontium titanate (Ba0.5Sr0.5TiO3, BST)/silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) thin films were prepared by a spin-coating/annealing technique based on Si-NPA with micro/nano-structure. Both the isomer conversion of acetylacetone and the network structure combined by enol and Ti-alkoxide facilitate the formation of the BST sol and the subsequent crystallization. Before the perovskite BST begins to form, the intermediate phase (Ba, Sr)Ti2OsCO3 is found. The boundary between BST and Si-NPA is of clarity and little interface diffusion, disclosing that Si-NPA is an ideal template substrate in the preparation of multifunctional composite films. 展开更多
关键词 barium strontium titanate SILICON nanoporous materials composite films sol-gel process
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钛酸锶钡(BST)薄膜的制备与应用研究进展 被引量:15
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作者 符春林 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 胡文成 李文远 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期47-50,共4页
介绍了钛酸锶钡(BST)薄膜的四种制备方法(脉冲激光沉积、磁控溅射、溶胶–凝胶、金属有机化学气相沉积)及BST薄膜在介质移相器、动态随机存储器、热释电红外探测器、H2探测器中的应用等方面的研究进展。提出了需进一步开展的研究课题如... 介绍了钛酸锶钡(BST)薄膜的四种制备方法(脉冲激光沉积、磁控溅射、溶胶–凝胶、金属有机化学气相沉积)及BST薄膜在介质移相器、动态随机存储器、热释电红外探测器、H2探测器中的应用等方面的研究进展。提出了需进一步开展的研究课题如:晶粒晶界控制、界面控制、漏电导机制、疲劳机制、非线性效应及大面积高质量薄膜的制备技术等。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 铁电薄膜 制备技术 bst 应用
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钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能机理研究进展 被引量:10
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作者 符春林 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 胡文成 李文远 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第3期187-194,共8页
钛酸锶钡 (BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜 ,应用广泛 ,是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍BST薄膜的制备方法和应用 ,重点讨论BST薄膜的极化、电压非线性、漏电流的机理、表征及影响因素 ,并综述了铁电薄膜的疲劳机制和消除疲劳... 钛酸锶钡 (BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜 ,应用广泛 ,是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍BST薄膜的制备方法和应用 ,重点讨论BST薄膜的极化、电压非线性、漏电流的机理、表征及影响因素 ,并综述了铁电薄膜的疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展 。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 铁电薄膜 极化 电压非线性 漏电流 疲劳
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交替中间热处理BST薄膜介电性能研究 被引量:4
4
作者 廖家轩 魏雄邦 +3 位作者 潘笑风 张佳 傅向军 王洪全 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期962-966,共5页
用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了三种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜:常规的四层薄膜,在逐层制备过程中,对首层薄膜进行中间热处理(Preheat-treatment,PT)的四层薄膜及间隔或交替地对奇数层薄膜进行中间热处理(称为交替中间热处理(Alte... 用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了三种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜:常规的四层薄膜,在逐层制备过程中,对首层薄膜进行中间热处理(Preheat-treatment,PT)的四层薄膜及间隔或交替地对奇数层薄膜进行中间热处理(称为交替中间热处理(Alternate-preheat-treatment,APT))的八层薄膜.用XPS研究薄膜表面成分化学态,用SEM和AFM观察表面形貌及晶化,并进行了介电性能测试.结果表明,常规薄膜介电性能差;经PT,薄膜裂纹和缩孔显著减少,形貌明显改善,表面非钙钛矿结构显著减少,介电性能明显提高;经APT,薄膜形貌进一步改善,平均晶粒大小约30nm,非钙钛矿结构进一步减少,介电损耗明显降低,介电稳定性和介电强度大幅度提高.APT为制备退火温度低及结构均匀致密的纳米晶BST薄膜提供了新方法,可满足低频实用要求.退火温度对薄膜厚度的影响也进行了讨论. 展开更多
关键词 中间热处理 交替中间热处理 钛酸锶钡薄膜 介电性能
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钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能研究 被引量:5
5
作者 陈宏伟 杨传仁 +2 位作者 符春林 赵莉 高志强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期615-617,共3页
 采用射频磁控溅射法制备了BaxSr1-xTiO3(简称BST)薄膜材料,研究了不同膜厚、晶粒尺寸的BST薄膜的介电系数温度特性(εr T)、频率特性(εr f)、电压特性(εr U)及损耗的温度特性(tgδ T)、频率特性(tgδ f),找出了BST薄膜的非线性、损...  采用射频磁控溅射法制备了BaxSr1-xTiO3(简称BST)薄膜材料,研究了不同膜厚、晶粒尺寸的BST薄膜的介电系数温度特性(εr T)、频率特性(εr f)、电压特性(εr U)及损耗的温度特性(tgδ T)、频率特性(tgδ f),找出了BST薄膜的非线性、损耗随尺度变化的规律。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 薄膜 膜厚 晶粒尺寸 介电性能
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钛酸锶钡(BST)薄膜的组成、结构与性能研究进展 被引量:12
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作者 符春林 杨传仁 陈宏伟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期255-263,共9页
钛酸锶钡 (BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜 ,应用广泛 ,是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍了BST薄膜的制备方法和应用 ,对此薄膜的基片、电极、晶界、界面、热处理、膜厚及组成、结构、性能等方面作了重点讨论 。
关键词 钛酸锶钡 铁电薄膜 基片 电极 晶界 界面 介电性能
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钛酸锶钡(BST)薄膜的XPS研究 被引量:4
7
作者 陈宏伟 杨传仁 符春林 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第2期149-151,共3页
采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜,对BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构进行了XPS深度分析。研究结果表明:制备的BST薄膜内部化学成分基本一致;氧缺位在薄膜体内比表面更严重;Pt底电极向薄膜、衬底之间扩散,BST... 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜,对BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构进行了XPS深度分析。研究结果表明:制备的BST薄膜内部化学成分基本一致;氧缺位在薄膜体内比表面更严重;Pt底电极向薄膜、衬底之间扩散,BST/Pt及Pt/SiO2之间存在明显的界面过渡层。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 薄膜 X-射线光电子能谱(XPS)
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Y掺杂BST薄膜介电性能研究 被引量:1
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作者 潘笑风 廖家轩 +3 位作者 王洪全 张佳 傅向军 魏雄邦 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期621-623,共3页
用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响。XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用。SEM和AFM结果表明,Y掺杂... 用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响。XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用。SEM和AFM结果表明,Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒,进而改善薄膜的表面结构。在进行Y掺杂后,薄膜的介电性能得到明显提高,40V外加电压下的介电调谐率大于40%及零偏压下介电损耗为0.0210,优化因子大于20。 展开更多
关键词 掺杂 钛酸锶钡薄膜 溶胶-凝胶法 介电性能
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BST/Si-NPA复合薄膜的湿敏电容特性研究 被引量:1
9
作者 肖顺华 李隆玉 +1 位作者 姜卫粉 李新建 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1369-1374,共6页
本文采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以Si-NPA为衬底,制备了钛酸锶钡(BST)/Si-NPA复合薄膜,并对其形貌、结构及湿敏电容特性进行了研究。结果表明,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率和退火温度均对湿敏电容特性具有较大影响。在100Hz的测试... 本文采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以Si-NPA为衬底,制备了钛酸锶钡(BST)/Si-NPA复合薄膜,并对其形貌、结构及湿敏电容特性进行了研究。结果表明,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率和退火温度均对湿敏电容特性具有较大影响。在100Hz的测试信号频率下,当环境的相对湿度从11%上升到95%时,BST/Si-NPA湿敏元件的电容增量可达起始值的4400%,显示出较高的湿度敏感性。同时,元件的响应时间和恢复时间均约为42s,表现出较快的时间响应和均衡的吸附/脱附。最后,通过复阻抗法讨论了元件的感湿机理。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 硅纳米孔柱阵列 复合薄膜 湿敏电容特性
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溶胶-凝胶法制备硼硅玻璃掺杂BST陶瓷的研究 被引量:2
10
作者 王疆瑛 吴宇平 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期93-96,共4页
研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响。实验结果表明,当x(SiO_2)>10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相。x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相... 研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响。实验结果表明,当x(SiO_2)>10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相。x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度大于等于600℃,不存在第二相。Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的烧结温度低于传统工艺。Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的显微结构呈细晶结构(晶粒尺寸<1μm)。随玻璃含量的增加,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷介电常数ε降低,介电峰变低,平坦,峰形宽化,介电损耗降低,居里温度T_C向低温移动。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 Si—B-O 溶胶-凝胶工艺 玻璃 介电性能
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BST铁电薄膜的制备、应用及其研究进展 被引量:2
11
作者 丁历 廖恒成 姜云峰 《化工时刊》 CAS 2005年第11期54-57,共4页
综述了钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的4种制备工艺:磁控溅射(Magnetron sputtering)法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法、脉冲激光淀积(PLD)法,以及溶胶—凝胶(Sol—Gel)法。并介绍了BST铁电薄膜在动态随机存储器、非致冷红外探测器热成像... 综述了钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的4种制备工艺:磁控溅射(Magnetron sputtering)法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法、脉冲激光淀积(PLD)法,以及溶胶—凝胶(Sol—Gel)法。并介绍了BST铁电薄膜在动态随机存储器、非致冷红外探测器热成像、移相器等方面的应用及其研究进展。 展开更多
关键词 钛酸锶钡(bst) 铁电薄膜 制备
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BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺优化及应用初探
12
作者 黄鹤 章天金 +2 位作者 潘瑞琨 陈仁 范生强 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第4期418-421,共4页
采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜... 采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列. 展开更多
关键词 钛酸锶钡 湿法化学刻蚀 溶胶凝胶法 工艺优化 应用
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以BST为介质基片的电调谐微带天线研究
13
作者 吴昌英 李洁 +1 位作者 韦高 许家栋 《计算机仿真》 CSCD 2008年第8期312-314,共3页
在电子侦察和电子对抗领域的快速发展过程中,人们逐渐需要有性能优良的高速电调谐天线出现。制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡(Barium Strontium Titanate,BST)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料作为缝隙耦... 在电子侦察和电子对抗领域的快速发展过程中,人们逐渐需要有性能优良的高速电调谐天线出现。制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡(Barium Strontium Titanate,BST)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料作为缝隙耦合微带天线的辐射层介质基片,利用其介电常数随外加偏压改变的性质,设计了以BST为介质基片的电调谐微带天线,并采用时域有限差分法(FDTD)进行了数值仿真,发现在一定偏压下天线的调谐性在C波段达到17%,方向图和阻抗的性能保持不变。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 铁电体 电调谐天线 微带天线
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BST薄膜非线性特性及机理研究
14
作者 符春林 杨传仁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期73-74,共2页
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)薄膜具有非线性强、漏电流小、居里温度可调等特点,因而在介质移相器、压控滤波器等方面有着广泛的应用前景。笔者对BaxSr1-xTiO3(x=0.45—0.90)系列陶瓷的晶体结构和介电性能、膜厚均匀性控制、... 钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)薄膜具有非线性强、漏电流小、居里温度可调等特点,因而在介质移相器、压控滤波器等方面有着广泛的应用前景。笔者对BaxSr1-xTiO3(x=0.45—0.90)系列陶瓷的晶体结构和介电性能、膜厚均匀性控制、BST薄膜的微结构(包括组成、晶体结构和电畴等)和介电非线性尺度效应、铁电薄膜介电非线性模型、薄膜型介质移相器的设计和制作等重要问题进行了研究,取得了以下研究结果: 展开更多
关键词 电子技术 钛酸锶钡 薄膜 介电非线性 模型 电畴 介质移相器
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以BST进行电容加载的电调谐微带天线
15
作者 吴昌英 李洁 +1 位作者 韦高 许家栋 《遥测遥控》 2009年第1期21-24,共4页
制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡BST(Barium Strontium Titanate)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料对缝隙耦合的微带天线进行电容加载,利用其介电常数随外加偏压改变的性质,在贴片的两个辐射边分别放置一... 制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡BST(Barium Strontium Titanate)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料对缝隙耦合的微带天线进行电容加载,利用其介电常数随外加偏压改变的性质,在贴片的两个辐射边分别放置一个BST块体材料,设计以BST进行电容加载的电调谐微带天线。仿真结果表明,天线的调谐性在C波段达到17%,方向图和阻抗的性能保持不变。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 铁电体 电调谐天线 微带天线
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微波低温快速合成BST纳米粉体
16
作者 陈杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期688-690,共3页
以BaCl2、TICl4为原料,以NaOH为沉淀剂,利用微波加热技术在低温下快速制备出了Ba0.8Sr0.2TiO3纳米粉体.应用XRD、TEM、XRF等对粉体的结构、形貌进行了分析.研究表明,在80℃左右,5~10min内即制备出颗粒大小分布均匀、粒径在50nm... 以BaCl2、TICl4为原料,以NaOH为沉淀剂,利用微波加热技术在低温下快速制备出了Ba0.8Sr0.2TiO3纳米粉体.应用XRD、TEM、XRF等对粉体的结构、形貌进行了分析.研究表明,在80℃左右,5~10min内即制备出颗粒大小分布均匀、粒径在50nm的高纯BST纳米粉体,该方法合成粉体属于立方相钙钛矿晶体结构,粒子形状近似为球形.粉体的杂质含量小于电子工业行业标准;粉体经过干压成型后在1180℃烧结,所得钛酸钡陶瓷的相对密度达到96.3%. 展开更多
关键词 纳米粉 bst 微波低温制备 立方相
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覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究 被引量:4
17
作者 葛微微 张国俊 +2 位作者 钟志亲 王姝娅 戴丽萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期46-48,共3页
通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构... 通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。 展开更多
关键词 半导体功率器件 钛酸锶钡(bst)膜 结终端 场限环
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以PVP为添加剂的BST薄膜制备与结晶性能 被引量:3
18
作者 李恩求 廖家轩 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期44-46,共3页
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,采用SEM、XRD、AFM分析薄膜的表面形貌和结晶行为。为抑制薄膜裂纹,在前驱体溶液中加入高分子聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。结果表明,经700℃退火1h,得到表面平整、致密... 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,采用SEM、XRD、AFM分析薄膜的表面形貌和结晶行为。为抑制薄膜裂纹,在前驱体溶液中加入高分子聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。结果表明,经700℃退火1h,得到表面平整、致密、无裂纹和孔洞以及晶粒取向高度一致的薄膜。薄膜钙钛矿结构明显,并随温度的升高而趋于完善。在结晶初期形成规则的柱状晶粒在长大和吞并的过程中逐渐形成颗粒状晶粒。薄膜的晶粒大小和表面粗糙度随退火温度的升高而增大。在平均晶粒较大且晶界分明的情况下,薄膜的均方根粗糙度仍能保持在7.854nm左右。 展开更多
关键词 钛酸锶钡薄膜 晶化行为 聚乙烯吡咯烷酮 溶胶-凝胶法
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稀土氧化物掺杂对BST陶瓷热释电性能的影响 被引量:2
19
作者 刘兴述 钟朝位 张树人 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1-4,共4页
采用轧膜成型工艺制备了掺杂有稀土氧化物的钛酸锶钡(BST)陶瓷,研究了不同稀土(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd和Sm)氧化物掺杂对其微观形貌、介电性能和热释电性能的影响。结果表明,Sc掺杂大幅降低了BST陶瓷的εr,严重劣化了BST陶瓷的热释电性能,并... 采用轧膜成型工艺制备了掺杂有稀土氧化物的钛酸锶钡(BST)陶瓷,研究了不同稀土(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd和Sm)氧化物掺杂对其微观形貌、介电性能和热释电性能的影响。结果表明,Sc掺杂大幅降低了BST陶瓷的εr,严重劣化了BST陶瓷的热释电性能,并引起了长条状晶粒在BST陶瓷中的出现;Y掺杂则显著提高了BST陶瓷的热释电性能,并最终获得了εr为7111、tanδ为0.65×10–2、热释电系数p为5.5×10–7C·cm–2·℃–1、探测率优值Fd为8.49×10–5Pa–1/2的热释电BST陶瓷材料,有望在红外探测领域得到应用。 展开更多
关键词 钛酸锶钡(bst) 稀土掺杂 热释电性能 介电性能
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P(VDF–HFP)/BST纳米复合薄膜的制备及介电、储能性能 被引量:1
20
作者 梅文臣 魏金栋 +1 位作者 柯振瑜 胡静 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期1-6,共6页
采用溶液铸造法,以聚(偏氟乙烯–六氟丙烯)[P(VDF–HFP)]为基体、钛酸钡锶(BST)为填料制备了纳米薄膜材料。对薄膜的物相组成和微观形貌进行了表征,研究了BST含量对薄膜介电性能和储能性能的影响。结果表明,随着BST含量的增大,薄膜的介... 采用溶液铸造法,以聚(偏氟乙烯–六氟丙烯)[P(VDF–HFP)]为基体、钛酸钡锶(BST)为填料制备了纳米薄膜材料。对薄膜的物相组成和微观形貌进行了表征,研究了BST含量对薄膜介电性能和储能性能的影响。结果表明,随着BST含量的增大,薄膜的介电常数显著上升,介电损耗在中、高频区域有所下降,击穿强度逐渐减小,薄膜的充电能量密度显著增大;介电常数的实测值与Maxwell-Wagner理论模型计算值基本吻合,表明填料和基体结合良好,薄膜材料内部组织均匀,无明显缺陷。此外,从实际应用的角度讲,外加电场强度低于800 kV/cm或介于800~2100 kV/cm时,为了获得最大的放电能量密度,应分别选用BST体积分数为30%或20%的P(VDF–HFP)/BST复合薄膜材料。 展开更多
关键词 纳米复合薄膜 溶液铸造 聚(偏氟乙烯–六氟丙烯) 钛酸钡锶 介电性能 储能性能
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