Microstructures and Microwave Dielectric Properties of La-Substituted Ba(Mg_1/3Nb_(2/3))O_3 Ceramics

La substituted Ba(Mg_ 1/3Nb_ 2/3)O_3 ceramics was expected to enhance the 1∶2 ordering degree of B-site ions due to the existence of vacancies that promote cation movement and result in improvement of the Q_f value. The relation between the microstructure and microwave dielectric properties of Ba_ 1-xLa_ 2x/3(Mg_ 1/3Nb_ 2/3)O_3 ceramics was investigated. La substituted Ba(Mg_ 1/3Nb_ 2/3)O_3 ceramics can improve the sinterability of specimens. Both 1:2 ordering degree and grain size increase as A-site vacancies increase. This can be explained by the existence of vacancies that promote cation movement. The Q_f value increase with small La content, then decrease rapidly. The highest Q_f value achieved in this investigation is about 55000 GHz for Ba_ 0.995La_ 0.01/3(Mg_ 1/3Nb_ 2/3)O_3. The improvement of Q_f value with A-site vacancies is related to the increase of the degree of B-site ordering and grain size of the specimen.

钛酸锶钡-氧化锌复合陶瓷的结构与介电性能

分别采用熔盐法和固相反应法预制的Ba0.85Sr0.15TiO3（BST）粉体,制备了BST-ZnO复合陶瓷。对陶瓷的晶相组成、微观形貌特征及介电性能进行了研究。结果表明,BST-ZnO复合陶瓷微观结构及介电性能受BST粉体性质的影响显著。以熔盐法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒显著长大,其εr可达104量级。而以固相反应法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒较小。当r（BST：ZnO）=0.4时产生纤维状ZnO晶粒,并在16-20℃附近出现与BST材料相似的相变特征。

Ba(Zn_((1-x)/3)Ni_(x/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷的介电性能

利用Ni2+取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的B位Zn2+来改善其介电性能。XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb6O16等。当系统中x(Ni2+)=0.7时,1 500℃烧结时系统得到优异的介电性能,介电常数为35.7,容量温度系数为-4.7×10-6/℃,损耗tanδ为0.33×10-4(1 MHz)。

Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷的B位二价Ni^(2+)离子取代的研究

利用Ni2+离子取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的B位Zn2+离子来改善其介电性能并研究其微观结构的变化。XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb6O16等。系统在较低温度(1350℃)下烧结时以及在1300℃退火处理会形成微弱的有序相,这种趋势说明了Ni2+和Nb5+离子的相互扩散会随着热能和时间的增长而增长。在较高温度下烧结(1550℃)则会形成富Nb液相区。当系统中Ni2+含量为0.7时,1500℃烧结时系统得到优异的介电性能,介电常数为35.7,容量温度系数为-4.7×10-6/℃,损耗tanδ为0.33×10-4(1MHz)。

SnO_2掺杂SBNS陶瓷的微结构与介电性能

采用传统固相烧结法,以化学纯BaCO3,SrCO3,Nb2O5和SnO2粉末为原料,制备0.7BaO.0.3SrO.ySnO2.(1-y/2)Nb2O5(y=0.01～0.07,缩写为SBNS)陶瓷。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪研究掺杂SnO2对SBNS陶瓷的显微结构和介电性能的影响。结果表明:在1320℃烧结可获得致密SBNS陶瓷;SnO2掺杂对SBNS陶瓷相结构无影响,晶相仍为单一的四方钨青铜固熔体结构;随着SnO2掺杂量的增加,SBNS陶瓷的介电常数减小,居里温度向低温区移动;SBNS陶瓷具有弥散相变的特性,是典型的介电弛豫体。

Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3--ZnNb_2O_6复相陶瓷的显微结构和介电性能

采用传统电子陶瓷工艺制备Ba(Zn1/3Nb2/3)O3--ZnNb2O6(BZNZ)复相陶瓷,研究了Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)含量对BZNZ陶瓷显微结构和微波性能的影响。结果表明,加入BZN提高了陶瓷的烧结温度,陶瓷为复相结构,除Ba(Zn1/3Nb2/3)O3与ZnNb2O6两种基体相外,有新相BaNb3.6O10生成。在微波频率下,随BZN含量增多,复相陶瓷的介电常数逐渐增大,品质因数Q×f值先增大后减小,谐振频率温度系数τf沿正方向移动。当BZN摩尔分数为30%时,陶瓷的综合性能最佳:相对介电常数εr=30.76,Q×f=29 600GHz,介电损耗tanδ=1.98×10--4,τf=--2.34×10--6/℃。