期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Exploratory study of betavoltaic battery using ZnO as the energy converting material 被引量:2
1
作者 Xiao-Yi Li Jing-Bin Lu +3 位作者 Yu-Min Liu Xu Xu Rui He Ren-Zhou Zheng 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2019年第4期62-69,共8页
Third-generation-semiconductor zinc oxide is utilized as an energy converting material in a betavoltaic battery, where 0.06 Ci^(63) Ni and 8 Ci^(147) Pm are used as the beta sources. Based on a Monte Carlo simulation,... Third-generation-semiconductor zinc oxide is utilized as an energy converting material in a betavoltaic battery, where 0.06 Ci^(63) Ni and 8 Ci^(147) Pm are used as the beta sources. Based on a Monte Carlo simulation, the full scales of the devices are derived as 17 and 118 lm,respectively, for both sources. The influences of semiconductor doping concentrations on the electrical properties of the devices are analyzed. For a typical doping concentration N_A= 10^(17) cm^(-3), N_D= 10^(16) cm^(-3), the conversion efficiencies are 7.177% and 1.658%, respectively, using63 Ni and147 Pm sources. The calculation results of energy deposition in materials for the two sources show that the doping concentrations drop to 1 × 10^(13)–5×10^(14) cm^(-3) and 1 × 10^(12)–5×10^(13), and accordingly, the energy conversion efficiencies rise to 14.212% and 18.359%, respectively. 展开更多
关键词 RADIOISOTOPE beta voltaic effect Zinc oxide Nuclear battery MONTE Carlo simulation
下载PDF
基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池
2
作者 张凯 何高魁 +3 位作者 黄小健 刘洋 孟欣 郝晓勇 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1218-1222,共5页
简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V~0.3 V,采用串、并联方式可以获得... 简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V~0.3 V,采用串、并联方式可以获得较大的输出功率。 展开更多
关键词 β伏打微核能电池 平面工艺 硅探测器
下载PDF
钝化层结构对氚辐伏电池转换性能的影响 被引量:1
3
作者 雷轶松 杨玉青 +3 位作者 刘业兵 李昊 王关全 罗顺忠 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1338-1344,共7页
在辐射伏特效应同位素电池(辐伏电池)中,器件的辐伏转化性能不仅受限于换能器件所用的半导体材料、结构或加载放射源的种类,还受换能器件表面钝化层结构的影响。为在氚化钛源加载的平面单晶硅PN结辐伏电池(氚辐伏电池)中得到最佳的钝化... 在辐射伏特效应同位素电池(辐伏电池)中,器件的辐伏转化性能不仅受限于换能器件所用的半导体材料、结构或加载放射源的种类,还受换能器件表面钝化层结构的影响。为在氚化钛源加载的平面单晶硅PN结辐伏电池(氚辐伏电池)中得到最佳的钝化效果,本文设计了3种不同的钝化层结构,考察其初始输出性能和抗辐射性能,并单独研究了氚化钛源出射的X射线对单晶硅换能器件的辐射损伤。结果显示:在辐伏电池初始输出性能方面,Si/SiO2/Si3N4结构>Si/B-Si glass/Si3N4结构>Si/Si3N4结构;在抗氚化钛源辐射损伤方面,Si/Si3N4结构>Si/B-Si glass/Si3N4结构>Si/SiO2/Si3N4结构,Si/B-Si glass/Si3N4结构具有最佳的抗X射线辐射衰减性能。氚化钛源出射的X射线对辐射损伤效应起主要作用,XPS结果显示,X射线长时间辐照造成了单晶硅表面平整性的破坏。 展开更多
关键词 辐伏电池 钝化层 辐射损伤
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部