双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究

为了解决航天用双极型模拟集成电路的电离总剂量效应评估问题,结合基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的双极型模拟集成电路电离总剂量效应仿真验证方法。在此基础上,以某型高性能固定频率电流型控制器芯片为研究对象,通过对双极型晶体管单元器件的抗总剂量能力进行仿真研究,可以确定该芯片的抗总剂量能力在剂量率为0.1 rad(Si)/s时高于100 krad(Si),与实际的试验结果一致,为双极型模拟集成电路抗总剂量能力评估提供了一种新思路。

典型器件和电路不同剂量率的辐射效应

对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应;b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应;c)仅有时间相关效应;d)无不同剂量率辐照损伤间的差异。

一种高性能双极型模拟开关

介绍一种高性能双极型模拟开关，包括它的电路组成、工作原理及其主要特点。

低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究

在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。

一种宽带低噪声中频放大器的设计

介绍了一种基于高频低噪声双极浅结工艺的低噪声、宽带中频放大器单片集成电路。从电路结构和版图设计两方面详细论述了该电路的增益设计、宽带设计和低噪声设计等设计思路 ,并给出了实验结果。该电路在通讯、导航。

一种宽带、高速运算放大器的设计

介绍了一种基于双极工艺的高速宽带运算放大器的设计,从电路结构方面详细论述了电路的宽带设计、高速设计等设计思路,将该电路通过计算机模拟,给出了仿真和测试结果。经过投片验证,设计出的运算放大器满足预期指标,取得了比较满意的结果。该电路在视频放大器、有源滤波器、高速数据转换器等电子系统中有着广泛的应用前景。

有源功率因数校正控制芯片的设计与实现

为了有效改善电网供电质量,提高电能利用率,针对中大功率电器功率因数校正的需要,设计了一种带输入电压前馈的基于平均电流模式控制的有源功率因数校正(APFC)控制芯片.该芯片集成了输出过压保护和涌入电流限制等保护电路,采用1.5μm双极型-CMOS(BiCMOS)工艺实现,芯片面积为2.44 mm×2.38 mm.基于该芯片设计了一250 W功率因数校正电路,测试结果表明,芯片在12 V供电电压的条件下,静态功耗为48 mW(不包括开关损耗);在220 V交流输入、满负载下的功率因数为0.993.

双极模拟集成电路版图识别的模式识别算法

双极模拟 IC在广泛应用于个人移动通信的 RF IC中占有重要地位。双极模拟 IC版图识别与验证是其 CAD研究的重要内容之一。基于模式识别和专家系统的思想 ,提出了一种双极模拟IC版图识别的模式识别算法。该方法定义了五种基本版图图形关系 ,在此基础上构造了版图描述向量 ,建立了算法系统及识别系统。该识别算法的优点在于与具体工艺过程无关 ,从而使识别过程完全系统化。实验表明 ,该识别系统有效、准确、可靠。

一种基于2μm互补双极CMOS工艺的低压降调整器

采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性。

SB523宽带对数放大器

介绍了一种采用硅双极工艺制造的用于连续检波式对数放大器的单元电路。该电路由两级限幅放大器直流耦合、两级具有对数特性的负极性检波器并联组成，小信号电压增益为２４ｄＢ、动态范围为２４ｄＢ。四级该电路级联成的对数放大器，其动态范围可达８０ｄＢ。着重介绍了该单元电路的原理、制造工艺。

200V/μs高速宽带运算放大器的设计考虑

介绍了一种采用介质隔离互补双极工艺制造的单片高速宽带电压反馈型运算放大器。着重分析了电路的工作原理、设计特点和制造工艺。最后。