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基于BCD工艺的LIN总线收发器设计
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作者 杨雨辰 王志亮 +1 位作者 孙力 谭庶欣 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期50-58,共9页
针对汽车内部复杂的控制节点与严苛的通讯环境,设计了一款抑制电磁干扰的局域互联网络(Local interconnect network, LIN)总线收发器芯片。基于90 nm BCD高压工艺,采用双向静电放电保护、分段电流驱动、共源级隔离驱动以及总线反馈技术... 针对汽车内部复杂的控制节点与严苛的通讯环境,设计了一款抑制电磁干扰的局域互联网络(Local interconnect network, LIN)总线收发器芯片。基于90 nm BCD高压工艺,采用双向静电放电保护、分段电流驱动、共源级隔离驱动以及总线反馈技术提高系统可靠性。测试结果表明芯片性能符合LIN总线物理层协议规范要求,实现了高低电压域的转换;同时具有良好的抗干扰能力,信号占空比最大变化仅为2.8%,电磁辐射比标准限制值低28 dBμV,达到车用LIN总线通讯相关标准要求。 展开更多
关键词 LIN总线 收发器 斜率控制 bcd工艺 电磁干扰 ESD保护
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超密集网络中基于BCD的联合频谱资源优化方法
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作者 周宇航 陈勇 +1 位作者 张建照 行鸿彦 《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期305-312,共8页
针对超密集网络(ultra dense network,UDN)中基站密集部署导致的严重层间干扰问题,构建了考虑频谱复用和共信道干扰条件下最大化系统总吞吐量问题模型,提出了一种基于块坐标下降(block coordinate descent,BCD)法的联合频谱资源优化(joi... 针对超密集网络(ultra dense network,UDN)中基站密集部署导致的严重层间干扰问题,构建了考虑频谱复用和共信道干扰条件下最大化系统总吞吐量问题模型,提出了一种基于块坐标下降(block coordinate descent,BCD)法的联合频谱资源优化(joint resource optimization based on BCD,JROBB)方法。该方法将原问题分解为分簇、子信道分配和功率分配三个子问题,通过BCD法迭代优化子信道分配和功率分配,逼近原问题的最优解。仿真分析表明,在复杂度提升有限的情况下,系统总吞吐量比现有典型算法平均至少提升22%,可以有效提升频谱利用率。 展开更多
关键词 超密集网络(UDN) 分簇 资源分配 联合优化 块坐标下降(bcd)法
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Area-Optimized BCD-4221 VSLI Adder Architecture for High-Performance Computing
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作者 Dharamvir Kumar Manoranjan Pradhan 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 CAS 2024年第3期31-38,共8页
Decimal arithmetic circuits are promising to provide a solution for accurate decimal arithmetic operations which are not possible with binary arithmetic circuits.They can be used in banking,commercial and financial tr... Decimal arithmetic circuits are promising to provide a solution for accurate decimal arithmetic operations which are not possible with binary arithmetic circuits.They can be used in banking,commercial and financial transactions,scientific measurements,etc.This article presents the Very Large Scale Integration(VLSI)design of Binary Coded Decimal(BCD)-4221 area-optimized adder architecture using unconventional BCD-4221 representation.Unconventional BCD number representations such as BCD4221 also possess the additional advantage of more effectively representing the 10's complement representation which can be used to accelerate the decimal arithmetic operations.The design uses a binary Carry Lookahead Adder(CLA)along with some other logic blocks which are required to perform internal calculations with BCD-4221 numbers.The design is verified by using Xilinx Vivado 2016.1.Synthesis results have been obtained by Cadence Genus16.1 synthesis tool using 90 nm technology.The performance parameters such as area,power,delay,and area-delay Product(ADP)are compared with earlier reported circuits.Our proposed circuit shows significant area and ADP improvement over existing designs. 展开更多
关键词 VLSI design unconventional bcd representation bcd adder circuit computer arithmetic digital circuit
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Energy-Efficient Implementation of BCD to Excess-3 Code Converter for Nano-Communication Using QCA Technology
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作者 Nuriddin Safoev Angshuman Khan +1 位作者 Khudoykulov Zarif Turakulovich Rajeev Arya 《China Communications》 SCIE CSCD 2024年第6期103-111,共9页
Code converters are essential in digital nano communication;therefore,a low-complexity optimal QCA layout for a BCD to Excess-3 code converter has been proposed in this paper.A QCA clockphase-based design technique wa... Code converters are essential in digital nano communication;therefore,a low-complexity optimal QCA layout for a BCD to Excess-3 code converter has been proposed in this paper.A QCA clockphase-based design technique was adopted to investigate integration with other complicated circuits.Using a unique XOR gate,the recommended circuit’s cell complexity has been decreased.The findings produced using the QCADesigner-2.0.3,a reliable simulation tool,prove the effectiveness of the current structure over earlier designs by considering the number of cells deployed,the area occupied,and the latency as design metrics.In addition,the popular tool QCAPro was used to estimate the energy dissipation of the proposed design.The proposed technique reduces the occupied space by∼40%,improves cell complexity by∼20%,and reduces energy dissipation by∼1.8 times(atγ=1.5EK)compared to the current scalable designs.This paper also studied the suggested structure’s energy dissipation and compared it to existing works for a better performance evaluation. 展开更多
关键词 bcd code converter Excess-3 nano communication QCA circuits
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BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术的发展、现状及展望 被引量:1
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作者 陈铭 《集成电路应用》 2014年第7期24-28,共5页
BCD工艺技术是符合扩展摩尔定律功能多样化发展的重要模拟集成电路技术。经过近三十年的发展,BCD工艺技术在特征尺寸缩小、高压器件的结构设计与优化、高低压隔离技术和金属互联的改进等方面取得巨大进步。本文简要介绍了BCD工艺技术的... BCD工艺技术是符合扩展摩尔定律功能多样化发展的重要模拟集成电路技术。经过近三十年的发展,BCD工艺技术在特征尺寸缩小、高压器件的结构设计与优化、高低压隔离技术和金属互联的改进等方面取得巨大进步。本文简要介绍了BCD工艺技术的组成及特点,总结了BCD工艺技术的主要发展,对全球的开发现状进行了总结,并对BCD工艺技术的进一步发展进行了展望。 展开更多
关键词 bcd工艺技术 扩展摩尔定律
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Outcomes of a 12-month course of early and late rituximab BCD020 biosimilar administration in juvenile systemic lupus erythematosus:A retrospective study
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作者 Elvira Kalashnikova Eugenia Isupova +9 位作者 Ekaterina Gaidar Natalia Lubimova Lyubov Sorokina Irina Chikova Maria Kaneva Rinat Raupov Olga Kalashnikova Damir Aliev Inna Gaydukova Mikhail Kostik 《World Journal of Nephrology》 2024年第4期81-90,共10页
BACKGROUND Juvenile systemic lupus erythematosus(SLE)is a severe,life-threatening disease.However,the role of rituximab in managing juvenile SLE remains undefined,although early biological intervention may improve dis... BACKGROUND Juvenile systemic lupus erythematosus(SLE)is a severe,life-threatening disease.However,the role of rituximab in managing juvenile SLE remains undefined,although early biological intervention may improve disease outcomes.AIM To assess the differences in the outcomes of different types of rituximab administration(early and late).METHODS In this retrospective cohort study,the information of 36 children with SLE with administration(LRA)was analyzed.We compared initial disease characteristics at onset,at baseline(start of rituximab),and at the end of the study(EOS)at 12 months,as well as outcomes and treatment characteristics.RESULTS The main differences at baseline were a higher daily median dose of corticosteroids,increased MAS frequency,and a higher Systemic Lupus Erythematosus Disease Activity Index(SLEDAI)in the ERA group.No differences in the main SLE outcomes between groups at the EOS were observed.The part of lupus nephritis patients who achieved remission changed from 44%to 31%in ERA and 32%to 11%in the LRA group.Patients with ERA had a shorter time to achieve low daily corticosteroid dose(≤0.2 mg/kg)at 1.2(0.9;1.4)years compared to 2.8(2.3;4.0)years(P=0.000001)and higher probability to achieve this low dose[hazard ratio(HR)=57.8(95%confidence interval(CI):7.2-463.2),P=0.00001 and remission(SLEDAI=0);HR=37.6(95%CI:4.45-333.3),P=0.00001].No differences in adverse events,including severe adverse events,were observed.CONCLUSION ERA demonstrated a better steroid-sparing effect and a possibility of earlier remission or low disease activity,except for lupus nephritis.Further investigations are required. 展开更多
关键词 Systemic lupus erythematosus RITUXIMAB Rituximab bcd020 biosimilar Anti-CD-20 BIOLOGIC Children
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BCD工艺在高压功率驱动电路中的应用
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作者 吴会利 林雨佳 +1 位作者 孔祥旭 宋博尊 《微处理机》 2024年第5期54-56,60,共4页
随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动... 随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动电路的设计,对隔离、高压MOS和版图设计等关键技术展开深入研究。研究可为高压功率驱动电路的设计实现提供有效支持,在当前芯片国产化大趋势下,对提升中国集成电路设计制造水平具有重要意义。 展开更多
关键词 bcd工艺 隔离技术 电压转换 功率驱动电路 兼容性 闩锁效应 叉指结构 多晶硅栅
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纵向BCD工艺的设计与功率集成技术研究 被引量:1
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作者 李小红 杨世红 +5 位作者 余远强 成荣花 胡继超 苗东铭 徐永年 温灵生 《装备制造技术》 2023年第2期77-80,130,共5页
随着功率集成电路对高集成度、低功耗等要求不断提高,越来越多的功率模块被集成到一块半导体芯片上,由此BCD工艺应运而生。BCD工艺是一种采用单片集成技术,将双极晶体管Bipolar、互补金属氧化物半导体CMOS逻辑电路以及大功率的双扩散金... 随着功率集成电路对高集成度、低功耗等要求不断提高,越来越多的功率模块被集成到一块半导体芯片上,由此BCD工艺应运而生。BCD工艺是一种采用单片集成技术,将双极晶体管Bipolar、互补金属氧化物半导体CMOS逻辑电路以及大功率的双扩散金属氧化物半导体DMOS器件集成在一块芯片上,提高了功率系统的性能。但是由于现有BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,导致芯片面积增加、引入更多的寄生效应,并使得高压互连和热设计等问题表现得较为突出。为了解决现有BCD工艺存在的问题,并结合功率集成器件研发需求,通过对纵向功率MOS器件工艺和集成电路工艺的分析与整合,提出了一种纵向BCD工艺,能够同时实现电路和各种纵向结构功率MOS并兼容横向LDMOS器件的一体化集成,既可以从芯片背面引出纵向结构功率MOS漏极,又可以保证集成后的电路和功率器件的良好电气特性。基于该工艺通过仿真优化设计的集成化功率器件导通电阻≤1.5 mΩ·mm2,击穿电压为90 V,兼容的LDMOS器件工作电压也同步达到90 V,最大工作电流为2 A。 展开更多
关键词 VDMOS LDMOS 纵向bcd 功率集成 结隔离
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一种基于0.6μm BCD工艺的40V高压输出自稳零运算放大器
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作者 张俊安 张传道 +3 位作者 杨法明 李超 李丹 李铁虎 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第5期786-793,共8页
设计实现了一种基于0.6μm BCD工艺的40 V高压输出自稳零运算放大器。该运算放大器采用了时间交织自稳零结构,实现了对输入失调电压的连续校准,同时使用40 V耐压PDMOS管和NDMOS管,实现了ClassAB结构的高压输出。运算放大器的输入级和自... 设计实现了一种基于0.6μm BCD工艺的40 V高压输出自稳零运算放大器。该运算放大器采用了时间交织自稳零结构,实现了对输入失调电压的连续校准,同时使用40 V耐压PDMOS管和NDMOS管,实现了ClassAB结构的高压输出。运算放大器的输入级和自稳零校准电路采用0.6μm普通MOS管实现,均工作在5 V电源电压下;放大级和输出级中部分晶体管采用非对称结构的40 V DMOS管,实现了高压输出。整体电路中只有DMOS管的漏源电压承受40 V的耐压,其余MOS管的各端电压均在正常的工作范围内,没有耐压超限风险。前仿真结果表明,该运算放大器在5 V和40 V双电源电压下工作正常,输入失调电压为0.78μV,输出电压范围为3.0~37.7 V,等效直流增益为142.7 dB,单位增益带宽为1.9 MHz,共模抑制比为154.8 dB,40 V电源抑制比为152.3 dB,5 V电源抑制比为134.9 dB。 展开更多
关键词 运算放大器 时间交织自稳零 高压输出 低失调 bcd工艺
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美菱BCD-569WPCX型无霜冰箱不制冷故障维修
10
作者 黄宏章 《家电维修》 2023年第5期37-37,共1页
一台美菱BCD-569WPCX型无霜冰箱,用户称不制冷。通电试机,机内有微弱的响声,且面板无显示,也未听到压缩机启动声。该冰箱具有WIFI功能,可远程控制,怀疑WIFI模块有问题。拆开冰箱顶部,找到WIFI模块,测其12V供电电压很低。拆下模块,见模... 一台美菱BCD-569WPCX型无霜冰箱,用户称不制冷。通电试机,机内有微弱的响声,且面板无显示,也未听到压缩机启动声。该冰箱具有WIFI功能,可远程控制,怀疑WIFI模块有问题。拆开冰箱顶部,找到WIFI模块,测其12V供电电压很低。拆下模块,见模块上有3只体积较大的贴片电容,如图1所示。路测量,发现右下角的贴片电容已短路。拆下测量,确认已短路。找到一只体积相当的贴片电容更换,装机试验,故障排除。 展开更多
关键词 美菱 远程控制 故障排除 bcd 装机试验 WPC 短路
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新飞BCD-390MCEA冰箱不通电故障维修
11
作者 刘文锦 《家电维修》 2023年第1期44-44,共1页
一台新飞BCD-390MCEA电冰箱,不通电。首先测得冰箱的AC220V供电正常。拆机取出电源板,发现该板背面安装有CPU,这说明此机将电源电路与控制电路合做在一块板上。在路测量,300V滤波电容两端阻值仅230Q2,明显异常。焊下该电容,发现底部漏液... 一台新飞BCD-390MCEA电冰箱,不通电。首先测得冰箱的AC220V供电正常。拆机取出电源板,发现该板背面安装有CPU,这说明此机将电源电路与控制电路合做在一块板上。在路测量,300V滤波电容两端阻值仅230Q2,明显异常。焊下该电容,发现底部漏液,此时再测电容引脚焊盘间的阻值仍为230Q2,这说明后级电路仍有问题。 展开更多
关键词 漏液 电源电路 电源板 控制电路 故障维修 电冰箱 bcd 通电
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1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究 被引量:10
12
作者 乔明 方健 +2 位作者 肖志强 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1447-1452,共6页
提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了... 提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43·8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中. 展开更多
关键词 多区 LDMOS RESURF bcd工艺
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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响
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作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多
关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm bcd工艺
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利用高速并行BCD数减法实现等精度数字频率计的设计 被引量:4
14
作者 杨君 夏双志 +1 位作者 钱照华 陈连康 《电测与仪表》 北大核心 2005年第10期27-29,16,共4页
利用Altera公司的FPGAA(CEX1KEP1K30TC144-3)器件为主控器。在软件上,采用VHDL硬件描述语言编程及并行BCD数减法实现BCD数除法的实现方法,极大地减少了硬件资源的占用。与单片机为主控器的频率计相比,软件设计语言灵活,硬件更简单,速度... 利用Altera公司的FPGAA(CEX1KEP1K30TC144-3)器件为主控器。在软件上,采用VHDL硬件描述语言编程及并行BCD数减法实现BCD数除法的实现方法,极大地减少了硬件资源的占用。与单片机为主控器的频率计相比,软件设计语言灵活,硬件更简单,速度更快。实践证明,利用FPGA设计较复杂的数字系统,电路性能可靠,设计的周期较短,可移植性好,具有很强的实用性。该系统在1Hz~60MHz范围内,测量精度在全域范围内相对误差恒为十万分之一。 展开更多
关键词 等精度数字频率计 bcd数减法 bcd数除法 FPGA
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多发性骨髓瘤BCD方案中皮下注射与静脉注射硼替佐米的临床疗效比较 被引量:9
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作者 林芸 王志红 +3 位作者 尚晋 谢颖 魏天南 陈为民 《临床合理用药杂志》 2016年第19期43-44,共2页
目的分析多发性骨髓瘤在BCD方案治疗中皮下和静脉注射硼替佐米的临床疗效差异。方法选取2010年5月-2015年3月在医院进行治疗的多发性骨髓瘤患者80例,均接受BCD方案(硼替佐米、地塞米松、环磷酰胺)治疗,将80例患者随机分为观察组和对照组... 目的分析多发性骨髓瘤在BCD方案治疗中皮下和静脉注射硼替佐米的临床疗效差异。方法选取2010年5月-2015年3月在医院进行治疗的多发性骨髓瘤患者80例,均接受BCD方案(硼替佐米、地塞米松、环磷酰胺)治疗,将80例患者随机分为观察组和对照组各40例。观察组行皮下注射硼替佐米,对照组行静脉注射硼替佐米,比较2组患者的临床临床疗效和药物使用安全性。结果观察组患者治疗总有效率为90.0%,对照组治疗总有效率为87.5%,差异无统计学意义(P>0.05),观察组患者血小板减少Ⅲ级发生率和周围神经病变发生率均低于对照组,差异均有统计学意义(P<0.05);2组患者并发症发生率差异无统计学意义(P>0.05)。结论皮下和静脉注射硼替佐米在多发性骨髓瘤的BCD治疗效果上差异不大,皮下注射可以降低药物不良反应发生程度,利于患者康复。 展开更多
关键词 多发性骨髓瘤 bcd方案 皮下注射 静脉注射
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600V高低压兼容BCD工艺及驱动电路设计 被引量:7
16
作者 蒋红利 朱玮 +1 位作者 李影 乔明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期126-131,共6页
基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8~9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-... 基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8~9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-top层,P埋层和P阱对通隔离,形成各自独立的N-外延岛。实验测试结果表明:LDMOS管耐压达680V以上,低压NMOS、PMOS及NPN器件绝对耐压达36V以上,稳压二极管稳压值为5.3V。按该工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求,浮动偏置电压达780V以上。 展开更多
关键词 高压半桥栅驱动电路 高低压兼容bcd工艺 双RESURF LDMOS
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基于BCD工艺的单片热插拔控制集成电路设计 被引量:3
17
作者 吴晓波 张永良 +1 位作者 章丹艳 严晓浪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期948-954,共7页
为保证系统在热插拔过程中安全工作,避免因之导致系统崩溃及系统与部件的损坏,提出一种热插拔控制芯片的设计,针对热插拔过程中可能产生的浪涌电流和过流、过压等故障现象,芯片设计中设置了多重保护功能,包括自动限制启动电流,过... 为保证系统在热插拔过程中安全工作,避免因之导致系统崩溃及系统与部件的损坏,提出一种热插拔控制芯片的设计,针对热插拔过程中可能产生的浪涌电流和过流、过压等故障现象,芯片设计中设置了多重保护功能,包括自动限制启动电流,过流时切断电路以及过压时断电,长时过压触发SCR为负载提供撬棒保护等,另外,设计了低压诊断、负载电压等检测功能,由于芯片工作中涉及较高电压和较大电流,电路采用BCD工艺(bipolar,CMOS—DMOS)实现,并对系统、电路和版图进行了优化、制得的芯片面积约为2.5mm×2.0mm,可在4.5--16、5V电压范围内正常工作,12.0V电源电压下芯片功耗约为18mW,对芯片的测试结果表明,所设计的电路功能和特性已成功实现。 展开更多
关键词 热插拔 过流保护 过压保护 欠压锁定电路 bcd工艺
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BCD集成电路技术的研究与进展 被引量:14
18
作者 杨银堂 朱海刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期315-319,共5页
飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BC... 飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。 展开更多
关键词 bcd 智能功率集成电路 DMOS射频集成电路 SOI
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基于BCD工艺的塑料光纤通信光接收机 被引量:2
19
作者 史晓凤 程翔 +2 位作者 陈朝 颜黄苹 范程程 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1715-1722,共8页
研究了光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路,实现了塑料光纤通信的高速单片集成光接收芯片。首先,根据工艺流程和参数,采用器件模拟软件对PD结构进行了建模,并对其光谱响应度和结电容进行了理论推导及仿真。基于Cadence/spectr... 研究了光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路,实现了塑料光纤通信的高速单片集成光接收芯片。首先,根据工艺流程和参数,采用器件模拟软件对PD结构进行了建模,并对其光谱响应度和结电容进行了理论推导及仿真。基于Cadence/spectre软件和仿真得到的PD参数对由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成的后续放大电路进行了协同设计。采用0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺对单个PD以及PD和后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试。结果表明:PD的光谱响应曲线的峰值波长和仿真结果较一致,约为700nm,PD结构更适合短波长探测;PD的结电容随着反向电压的增大而减小,结电容越大,光接收芯片的带宽越小;对于650nm的入射光,在小于10-9的误码率条件下,光接收机的灵敏度为-14dBm;最后得到了150Mb/s速率的清晰眼图。实验结果显示,设计的高速单片集成光接收机可以应用于百兆速率光纤入户通信系统。 展开更多
关键词 单片集成 光电探测器 有源电感 光接收机 塑料光纤通信 bcd工艺
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一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺 被引量:2
20
作者 马奎 杨发顺 +1 位作者 林洁馨 傅兴华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第10期93-96,共4页
当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDMOS器件,并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到V... 当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDMOS器件,并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到VDMOS的阈值电压为2.5V,击穿电压为161V;NPN管和PNP管的C-E耐压分别为47.32V、32.73V,β分别为39.68、9.8;NMOS管和PMOS管的阈值电压分别为0.65V、-1.16V,D-S耐压分别为17.37V、14.72V. 展开更多
关键词 bcd工艺 VDMOS 漏极背面引出
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