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氯能谱测井仪的改进及其应用
被引量:
6
1
作者
万金彬
何彪
+3 位作者
王黎
沈爱新
彭其尧
周太柱
《测井技术》
CAS
CSCD
2006年第3期260-262,共3页
对于高矿化度地区,一种改进的确定剩余油饱和度的测井仪已研制成功。它利用3He计数管测量热中子,BGO晶体替代NaI晶体,使得探测效率明显提高;在源室和BGO探测器之间加一屏蔽层,使得信噪比提高;双探测器同时测量热中子和次生中子伽马,双...
对于高矿化度地区,一种改进的确定剩余油饱和度的测井仪已研制成功。它利用3He计数管测量热中子,BGO晶体替代NaI晶体,使得探测效率明显提高;在源室和BGO探测器之间加一屏蔽层,使得信噪比提高;双探测器同时测量热中子和次生中子伽马,双向差异解释方法有效地克服了地层骨架和泥质的影响,解释精度明显提高。
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关键词
能谱测井
bgo
晶体
有效计数率
双向差异
解释方法
剩余油饱和度
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职称材料
提拉法生长大尺寸Bi_4Ge_3O_(12)单晶
2
作者
徐洲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期67-,共1页
锗酸铋 (Bi4Ge3 O12 )单晶是一种重要的功能材料 ,广泛应用于高能物理及核医学等领域。提拉法生长锗酸铋单晶 ,常因熔体粘度较大、易挥发 ,以及原料混合和熔融不均匀等因素的影响 ,生长的锗酸铋晶体内部质量较差 ,存在云层、气泡和白丝...
锗酸铋 (Bi4Ge3 O12 )单晶是一种重要的功能材料 ,广泛应用于高能物理及核医学等领域。提拉法生长锗酸铋单晶 ,常因熔体粘度较大、易挥发 ,以及原料混合和熔融不均匀等因素的影响 ,生长的锗酸铋晶体内部质量较差 ,存在云层、气泡和白丝等缺陷。而且晶体的等径度比较难以控制 ,容易发生扭曲 ,导致单晶的外形尺寸达不到器件制作方面的要求 ,稳定地生长大尺寸优质锗酸铋的研究就十分必要。本研究采用电子称重中频感应加热提拉法生长锗酸铋单晶 ,经过长期的实验探索 ,在稳定原料混合和熔融均匀等工艺措施的同时 ,设计制作出具备小温度梯度 (固液界面处 1~4℃ /cm)的温场结构 ,并随之确定合适的关键工艺参数 ,如拉速 ( 0 .5~ 3mm/h) ,转速 ( 1 0~40r/min)等 ,而且在锗酸铋单晶生长中对某些参数进行微调 ,确保晶体始终处在较平的固液界面状态下生长 ,从而提高晶体的内部质量 ,生长出40~ 5 0× 80mm( 0 0 1 )、( 1 1 0 )向锗酸铋单晶。所生长的晶体无色透明 ,等径度及内部质量良好 ,进一步提高晶体内部质量和外形尺寸的研究工作仍在进行。
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关键词
锗酸铋晶体
引上法晶体生长
闪烁晶体
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职称材料
题名
氯能谱测井仪的改进及其应用
被引量:
6
1
作者
万金彬
何彪
王黎
沈爱新
彭其尧
周太柱
机构
中国石油集团测井有限公司技术中心
出处
《测井技术》
CAS
CSCD
2006年第3期260-262,共3页
文摘
对于高矿化度地区,一种改进的确定剩余油饱和度的测井仪已研制成功。它利用3He计数管测量热中子,BGO晶体替代NaI晶体,使得探测效率明显提高;在源室和BGO探测器之间加一屏蔽层,使得信噪比提高;双探测器同时测量热中子和次生中子伽马,双向差异解释方法有效地克服了地层骨架和泥质的影响,解释精度明显提高。
关键词
能谱测井
bgo
晶体
有效计数率
双向差异
解释方法
剩余油饱和度
Keywords
chlorine spectra logging
bismuth germanate (bgo) scintillator
effective counter rate
bi-directional differential
interpretation method
residual oil saturation
分类号
P631.83 [天文地球—地质矿产勘探]
TH842 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
提拉法生长大尺寸Bi_4Ge_3O_(12)单晶
2
作者
徐洲
机构
四川压电与声光技术研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期67-,共1页
文摘
锗酸铋 (Bi4Ge3 O12 )单晶是一种重要的功能材料 ,广泛应用于高能物理及核医学等领域。提拉法生长锗酸铋单晶 ,常因熔体粘度较大、易挥发 ,以及原料混合和熔融不均匀等因素的影响 ,生长的锗酸铋晶体内部质量较差 ,存在云层、气泡和白丝等缺陷。而且晶体的等径度比较难以控制 ,容易发生扭曲 ,导致单晶的外形尺寸达不到器件制作方面的要求 ,稳定地生长大尺寸优质锗酸铋的研究就十分必要。本研究采用电子称重中频感应加热提拉法生长锗酸铋单晶 ,经过长期的实验探索 ,在稳定原料混合和熔融均匀等工艺措施的同时 ,设计制作出具备小温度梯度 (固液界面处 1~4℃ /cm)的温场结构 ,并随之确定合适的关键工艺参数 ,如拉速 ( 0 .5~ 3mm/h) ,转速 ( 1 0~40r/min)等 ,而且在锗酸铋单晶生长中对某些参数进行微调 ,确保晶体始终处在较平的固液界面状态下生长 ,从而提高晶体的内部质量 ,生长出40~ 5 0× 80mm( 0 0 1 )、( 1 1 0 )向锗酸铋单晶。所生长的晶体无色透明 ,等径度及内部质量良好 ,进一步提高晶体内部质量和外形尺寸的研究工作仍在进行。
关键词
锗酸铋晶体
引上法晶体生长
闪烁晶体
Keywords
bismuth
germanate
crystal pulling
scintil
lating crystal
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氯能谱测井仪的改进及其应用
万金彬
何彪
王黎
沈爱新
彭其尧
周太柱
《测井技术》
CAS
CSCD
2006
6
下载PDF
职称材料
2
提拉法生长大尺寸Bi_4Ge_3O_(12)单晶
徐洲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
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职称材料
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