漏栅寄生电容对IGBT工作特性影响的研究

漏栅寄生电容是ＩＧＢＴ管的一个重要参数，能引起意外的栅源电压尖峰，击穿栅源间的硅氧化膜，导致器件永久失效。对此种影响的过程进行了分析。

天然气稀燃发动机等离子体强化点火机理研究

从甲烷的物理化学性质和稀燃发动机本身特点出发,阐述了天然气稀燃发动机需要高能点火的机理。从等离子体产生的角度详细描述了空气和甲烷(CH4)等离子体化的过程;结合CH4点火与燃烧过程,分析了点火过程中产生大量等离子体的可能性,利用所产生的等离子体,提高点火的效能。提出将电容多次放电点火技术与等离子体强化点火技术相结合,以实现大量等离子体的产生,并初步讨论了实现的途径和方法。

矿井隧道中人体电容的研究

矿井隧道环境中人体静电荷的积聚与释放主要依赖于人体的电容及电阻.根据电场系统解的唯一性原理,利用电介质材料的多重镜像方法,把隧道环境等价为人体的镜像人体丛林,模拟计算了该多导体系统的人体电容.研究了隧道环境人体电容与介质环境、人体身材、隧道形状、人体与隧道的相对位置等关系.计算结果表明,隧道环境中的人体电容值与人体的外形及隧道的形状密切相关,而与人体在隧道中的相对位置关系不大,表明隧道环境中人体电容值是有意义的.人体电容还随着煤层介电常数ε的不同而变化,在相对介电常数εr=7附近(干燥煤炭的相对介电常数εr=6.3)人体电容出现一峰值,该电容值是自由环境中的1.15倍,说明煤矿环境是静电安全的敏感环境.

佛山供电局电力电容器组故障的统计分析与防范对策

根据广东电网公司佛山供电局电力电容器组配置情况及近年来的故障记录数据,从设备结构形式、生产厂家自身故障率、设备损坏发生月份和设备所在变电站的电压等级等方面统计该供电局电力电容器组的各类故障所占比例。总结故障规律,其中电容变值、套管损坏和渗漏油是引起电力电容器组本体故障的主要原因,附属设备的故障主要是熔断器和避雷器故障。提出降低电力电容器组故障率的技术措施与运行管理对策:根据实际情况,合理分配分体式电容器组和集合式电容器组的数量,建议优先选用分体式电容器组;生产厂家和运行部门要努力提高电力电容器的生产水平和运行水平。

一种适用于低压SC电路的体效应补偿开关

为了减少NMOS开关阈值电压变化引起的信号失真,设计了一种适用于低压开关电容电路的体效应补偿开关,并利用该电路实现了一阶非反相开关电容(SC)低通滤波器。基于0.5μm标准CMOS工艺(Vtno=0.7 V,Vtpo=1.0 V)的SPICE仿真和总谐波失真(THD)的仿真结果表明:该电路具有很好的线性特性,采用该电路能够达到更优越的性能。

一种用于LCD驱动的电荷泵电路

基于GSMC0.18μm±9VCMOS三阱工艺,设计了一种用于LCD驱动的正、负压电荷泵电路。该电荷泵采用共享耦合电容的结构并,结合了一种新的衬底偏置技术,在较小的面积代价下,可达到较强的驱动能力和较高的效率。测试结果表明,该电荷泵在1mW的输出功率下,效率可达到60%,而电路面积仅为0.51mm2。

动车组自动断电过分相车体瞬态过电压优化研究

高速动车组车载自动断电过分相时,瞬态电压会通过车顶高压电缆缆芯与屏蔽层间的耦合注入各节车体,合理的保护接地方式可快速泄放车体瞬态电压,保证各车体电位相等。基于此,介绍了动车组过分相的暂态过程,运用MATLAB/Simulink建立了各暂态过程的等效电路模型,经过仿真分析接地电感与电容对车体瞬态电压的影响规律,提出了并联电容器的保护接地方案,对动车组高效运行具有一定参考价值与指导意义。

一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器

采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理。还原烧成时,升温速度大于400℃/h。在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟内,从还原气氛转到氧化气氛,同时降温300℃以上。整个烧成过程中,瓷体全部是堆烧(叠烧10～20层),生产效率比二次烧成提高10倍以上。

面向配网运行状态在线监测的VCO设计

文中提出了一种新型的5.17GHz CMOS压控振荡器(VCO),该VCO采用提高品质因子Q的电容反馈技术。该VCO能够在不需要额外衬底偏置电压的前提下,在高频段降低电路的寄生效应,并且电容反馈技术改善了电路的相位噪声,同时采用不需要衬底偏置电压的自衬底偏置技术降低了电路的功耗。测试结果表明,该VCO振荡频率带宽为4.66GHz^5.87GHz,具有22.98%的调谐率;在0.8V电压供电下,电路消耗了3m W的功耗;在1MHz偏移频率处取得了-127.8d Bc/Hz的相位噪声。该VCO的品质因数Fo M达到-197.3d Bc/Hz。

CCF片式塑封型交流瓷介电容器

多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。

铜内电极MLCC爆瓷问题的研究

随着电子设备对高Q值多层陶瓷电容器(MLCC)的需求不断增长,铜内电极MLCC是理想的选择。但是由于在烧成后产生较大的内应力,铜内电极MLCC容易产生爆瓷。为了解决爆瓷问题,采用低温烧结瓷粉和铜内电极浆料制备样品,研究了铜内电极浆料、烧成工艺、样品设计和铜内电极浆料印刷厚度对爆瓷的影响。结果发现,通过选用合适的铜内电极浆料、优化烧成工艺以及样品设计,有效地减小了样品的内应力,解决了爆瓷问题,并且保持了样品优异的高频性能。

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。

CCF型片式塑封交流瓷介电容器

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连体引线,将切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器,该产品比ML-CC交流瓷介电容器的制造更容易,可靠性更高,且适用于表面贴装。