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硼膜中的含氢量测量
1
作者
沈慰慈
王兆申
+1 位作者
M.莱森
相良明男
《光电子技术》
CAS
1996年第1期66-71,共6页
硼膜中的含氢量多少对离子回旋共振加热的功率吸收和托卡马克放电过程中的氢的再循环行为均有很大的影响。实验证明,通过增加硼化过程中膜的生长速率及控制沉膜过程中的辉光放电状况,即可以有效地减少硼膜中的含氢量,使硼膜中氢的浓...
硼膜中的含氢量多少对离子回旋共振加热的功率吸收和托卡马克放电过程中的氢的再循环行为均有很大的影响。实验证明,通过增加硼化过程中膜的生长速率及控制沉膜过程中的辉光放电状况,即可以有效地减少硼膜中的含氢量,使硼膜中氢的浓度控制在10%以下,即H/B<0.1。
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关键词
硼化
含氢量
质谱分析
辉光放电
薄膜
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职称材料
题名
硼膜中的含氢量测量
1
作者
沈慰慈
王兆申
M.莱森
相良明男
机构
中国科学院等离子体物理研究所
日本核融合科学研究所
出处
《光电子技术》
CAS
1996年第1期66-71,共6页
文摘
硼膜中的含氢量多少对离子回旋共振加热的功率吸收和托卡马克放电过程中的氢的再循环行为均有很大的影响。实验证明,通过增加硼化过程中膜的生长速率及控制沉膜过程中的辉光放电状况,即可以有效地减少硼膜中的含氢量,使硼膜中氢的浓度控制在10%以下,即H/B<0.1。
关键词
硼化
含氢量
质谱分析
辉光放电
薄膜
Keywords
boronizition
,
hydrogen content
,
mass analysis
,
flash filament method
分类号
TN484.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN304.16 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硼膜中的含氢量测量
沈慰慈
王兆申
M.莱森
相良明男
《光电子技术》
CAS
1996
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