柔直阀用双重保护晶闸管设计及试验研究

半桥型柔性直流系统在直流故障及旁路开关拒动情况下,极易引起IGBT器件的损坏。电压、电流双重保护晶闸管具备故障分流及旁路功能,对提升半桥型柔性直流系统运行安全至关重要。研究了电压电流双重保护晶闸管工作原理,获取短路分流和击穿引流的功能设计需求,结合电热应力分析提出了保护晶闸管的选型原则,最后以±800 kV/8 000 MW的半桥结构样机进行试验验证,证明了保护晶闸管设计与试验研究的正确性。

雪崩光电二极管芯片自动测试系统

利用Keithley 2400源表、AV6381可编程光衰减器、AV 38124 1 550 nm单模半导体激光器和TZ-608B型光电屏蔽探针台搭建雪崩光电二极管芯片自动测试系统。在Labview环境下开发了自动测试软件,通过软件控制测量仪表,实现了雪崩光电二极管芯片的击穿电压、暗电流、穿通电压及10倍增益工作点电压的自动测试及合格判定。探针台可以根据测量系统反馈的判定结果对不合格芯片进行NG标记,方便划片后对不合格芯片进行筛选和剔除。建立的自动测试系统准确性高,测试速度快,软件操作方便,显示结果直观。同时可以实现测试参数的自动存储,方便进行统计过程控制(SPC)分析。

三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计

设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^(15)cm^(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.