同轴电极内电极直径变化的边缘效应仿真研究

应用ANSYS数值计算软件包对同轴结构电极同轴电场的边缘效应进行较详尽的仿真研究。当内电极直径变化,保持内外电极半径差值相等,分析内电极直径变化时同轴电场边缘效应的变化,指出边缘效应沿径向呈倒U形分布,随着内电极直径的增加,不同电极空间相应位置上电场受边缘效应的影响减弱。这些结论对于固液体交接面闪络特性研究实验电极的设计具有重要的指导意义。

表面电流探头校准装置的设计及应用

文章利用保角变换法对非无限长、变截面平行板传输线的特性阻抗进行了分析计算。根据分析结果设计了表面电流探头的校准装置。文中给出了设计的理论公式,试验数据和图表。

水性涂料中的几何效应

颜料体积浓度、边缘效应和聚合物粒子的几何形变关系到水性涂料成膜过程和涂料的最终性能,但是对这些几何效应的认识还不十分深入。本文在分析有关文献和实验基础上,分析探讨了这几类几何效应。通过定量的数学计算和理论分析,得到了聚合物粒子几何形变的部分参数,并应用该分析解释了一些实际问题。

金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应

在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,研究了金刚石薄膜在Si(1 0 0 )面上的负偏压形核行为 ,结果表明 ,偏压大小对金刚石的形核均匀性有显著影响 ,而甲烷浓度主要影响形核时间 ,对金刚石的最大核密度影响不大。在硅片尺寸小于钼支撑架时 ,形核行为存在明显的边缘效应 ,即在偏压值低于 - 1 5 0V时 ,硅片边缘金刚石核密度急剧降低 ,远低于硅片中央 ;在甲烷浓度比较低时 ,硅片边缘核密度要高于中间。研究表明 ,造成这种现象的主要原因是硅片下的钼支撑架发射电子所致 。

采用End-Hall源沉积类金刚石膜

介绍了两种普遍采用的类金刚石(DLC)膜沉积方法。在此基础上叙述了采用End-H all源沉积DLC膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和DLC膜样品的分析,可看出用End-H all源沉积方式能够消除RFCVD沉积方式所带来的边缘效应。

End—Hall源沉积类金刚石膜的实验

介绍了采用 End-Hall 源沉积 DLC 膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和 DLC 膜样品的分析,可看出用 End-Hall 源沉积方式能够消除 RFCVD 沉积方式所带来的边缘效应.

活性屏离子渗硫层的制备及形貌结构研究

对7A52铝合金及45钢表面活性屏离子渗硫层的制备及形貌结构进行了研究。通过工装使7A52铝合金及45钢试样在高频脉冲等离子扩渗炉中处于零电位，并置于接阴极的不锈钢网状活性屏中。在离子渗硫过程中，利用不锈钢网状活性屏上形成的硫化物溅射下来，沉积到7A52铝合金及45钢试样表面，从而形成离子渗硫层。SEM、EDS及XRD检测分析结果表明，活性屏离子渗硫技术不仅可以获得传统离子渗硫技术一样的处理效果，而且还细化了硫化物颗粒尺寸，较好地解决了传统离子渗硫技术出现的边缘效应、工件打弧和空心阴极效应等问题。活性屏离子渗硫技术不仅可在钢铁材料上制备离子渗硫层，还可在非钢铁材料上制备离子渗硫层，为解决非钢铁材料的减摩耐磨问题提供了一条新的途径。