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Design of Low-Voltage, Low-Power FGMOS Based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All Analog Signal Processing Circuits
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作者 Akanksha Ninawe Richa Srivastava +1 位作者 Akanksha Dewaker Maneesha Gupta 《Circuits and Systems》 2016年第1期1-10,共10页
This paper proposes novel floating-gate MOSFET (FGMOS) based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All (WTA) circuits. The proposed circuits have low power dissipation. All proposed circuits are simulated us... This paper proposes novel floating-gate MOSFET (FGMOS) based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All (WTA) circuits. The proposed circuits have low power dissipation. All proposed circuits are simulated using SPICE in 180 nm CMOS technology with supply voltages of ±1.25 V. The simulation results demonstrate increase in input range for FGMOS based voltage buffer and analog inverter and maximum power dissipation of 0.5 mW, 1.9 mW and 0.429 mW for FGMOS based voltage buffer, analog inverter and WTA circuits, respectively. The proposed circuits are intended to find applications in low voltage, low power consumer electronics. 展开更多
关键词 FGMOS Voltage buffer Analog Inverter Winner-Take-All (WTA) Analog Signal Processing circuits
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固态断路器多IGBT串联混合均压电路设计
2
作者 赵靖英 郝潇飞 舒亮 《电子测量技术》 北大核心 2024年第3期31-41,共11页
固态断路器需多IGBT串联切断短路故障电流,针对多IGBT存在电压分配不均、局部电压过高、损耗大等问题,提出一种混合式均压控制电路拓扑结构。分析固态断路器多IGBT均压影响因素,研究均压拓扑性能。优化缓冲电路结构,改进充放电型缓冲电... 固态断路器需多IGBT串联切断短路故障电流,针对多IGBT存在电压分配不均、局部电压过高、损耗大等问题,提出一种混合式均压控制电路拓扑结构。分析固态断路器多IGBT均压影响因素,研究均压拓扑性能。优化缓冲电路结构,改进充放电型缓冲电路,减小损耗;引入双阈值钳位控制电路,改善IGBT过电压;提出被动均压与辅助反馈主动均压结合的混合均压控制策略,加快响应速度,实现均压动态自适应调节。制作样机,进行固态断路器设计拓扑和控制的仿真及实验验证,结果表明:混合式均压控制电路可减小IGBT电路超调量,具备更强的抑制过电压能力,提升响应速度。 展开更多
关键词 固态断路器 缓冲电路 辅助反馈控制 动态自适应调节 混合均压控制策略
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SiC MOSFET高频逆变电路的振荡分析与抑制
3
作者 胡善超 王旭红 +1 位作者 于秀健 郝思睿 《电力电子技术》 2024年第10期31-34,38,共5页
电磁法探测技术通过向地面发送可控的方波信号并接收地下矿层反射回的信号以获取地质信息,电磁发射机的输出频率、电压和电流均可调节。随着对大功率和高频开关的需求不断增长,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已成为新一代半... 电磁法探测技术通过向地面发送可控的方波信号并接收地下矿层反射回的信号以获取地质信息,电磁发射机的输出频率、电压和电流均可调节。随着对大功率和高频开关的需求不断增长,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已成为新一代半导体技术的标志。然而,较高的开关频率引发了开关振荡问题。这里分析了SiC MOSFET的开关过程,通过仿真研究确定了杂散电感和驱动电阻对开关动态过程的显著影响,并设计了一种C型缓冲电路设计来有效抑制过电压开关振荡现象。实验结果显示,在开通和关断电阻设定为1Ω时,该C型缓冲电路显著降低了开关过程中的电压尖峰和振荡问题,验证了其在实际应用中的效果与可行性。 展开更多
关键词 电磁发射机 开关振荡 缓冲电路
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质子注入缓冲层结构的高压FS-IGBT动态坚固性研究
4
作者 魏晓光 聂瑞芬 +4 位作者 金锐 王耀华 李立 田宝华 王松华 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期1924-1931,I0022,共9页
具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,... 具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,但是峰数太多,可能会引起IGBT在短路时的栅极电压振荡,造成器件失效。这与IGBT在短路大电流下的Kirk效应有关。Kirk效应造成短路时IGBT栅电极下电场降低,电子运动速率减小,进而栅电极下累积的电子造成栅极输入电容的改变,引起栅电压振荡。此外,实验发现,MPI缓冲层峰的氢相关施主(hydrogen-related donors,HDs)浓度不仅与注入剂量和激活温度有关,还与注入次数有关,具体表现为注入次数多,辐射损伤多,HDs浓度越高。文中研究不同MPI缓冲层结构的IGBT关断坚固性。 展开更多
关键词 多重质子注入 缓冲层 短路坚固性 振荡 Kirk效应
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高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计
5
作者 王敏聪 刘成 《现代电子技术》 北大核心 2024年第16期33-38,共6页
为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级... 为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级。设计中加入了修调电路、Clamp电路及ESD防护电路。芯片面积为2390μm×1660μm。在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了前仿真、版图绘制及Calibre后仿真。前仿结果显示:当负载电容为10μF时,电路实现了126 dB的高开环增益和97°的相位裕度,同时PSRR超过131 dB,噪声为448 nV/Hz@100 Hz及1 nV/Hz@100 Hz。后仿结果与前仿结果基本一致。总体结果表明,该电路具有高增益、高电源抑制比及低噪声等特点,同时拥有很高的输出驱动能力。因此,所提出的基准电压缓冲芯片可以用于驱动如像素阵列等具有大电容负载的电路。 展开更多
关键词 基准电压缓冲芯片 CMOS电压缓冲运算放大器 ESD防护电路 芯片版图 高增益 高驱动能力
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具有移相控制的ZVS全桥DC-DC斩波变换器 被引量:20
6
作者 孙铁成 郭超 +2 位作者 娜仁图亚 孙航 申宏伟 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第12期66-72,共7页
传统零电压全桥DC-DC变换器存在的两个典型缺陷:滞后桥臂实现零电压时负载范围窄;变压器二次侧电压存在十分明显的电压过冲、电压振荡及占空比丢失现象。本文提出具有移相控制的新型全桥DC-DC斩波变换器,它分别采用无源辅助网络、无损... 传统零电压全桥DC-DC变换器存在的两个典型缺陷:滞后桥臂实现零电压时负载范围窄;变压器二次侧电压存在十分明显的电压过冲、电压振荡及占空比丢失现象。本文提出具有移相控制的新型全桥DC-DC斩波变换器,它分别采用无源辅助网络、无损缓冲电路等方法克服了以上缺陷。文中详细分析了该新型变换器的工作原理以及变换器各个阶段的工作模态,同时也分析了此变换器实现软开关的条件及辅助电路的参数设计。为了验证该拓扑结构的相关功能,文中搭建了一台24V/3A,100k Hz的实验样机。实验结果验证了该拓扑结构的正确性,并证明了这种新型拓扑结构有效地解决了传统零电压全桥变换器中存在的缺陷,提升了系统性能。 展开更多
关键词 移相控制 全桥DC-DC斩波变换器 无源辅助网络 无损缓冲电路
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宽频电容式分压器的研制 被引量:10
7
作者 姜春阳 周峰 +1 位作者 杨世海 袁建平 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期151-156,162,共7页
为解决电磁式电压互感器和电容式电压互感器(CVT)在谐波条件下,频率响应差的问题,研制了一台宽频电容式分压器。将2种常用的压缩气体标准电容器形式设计集成于一体。采用电磁场仿真软件完成主绝缘及电容量的设计,并对分压器主体分压比... 为解决电磁式电压互感器和电容式电压互感器(CVT)在谐波条件下,频率响应差的问题,研制了一台宽频电容式分压器。将2种常用的压缩气体标准电容器形式设计集成于一体。采用电磁场仿真软件完成主绝缘及电容量的设计,并对分压器主体分压比的温度系数进行了理论计算;为提高分压器后级带载能力,设计了具有两级缓冲电路的电压信号处理单元。试验结果表明:分压器满足绝缘设计,并在50~2 500 Hz满足0.1级互感器的误差要求,可用于电力系统内谐波计量。 展开更多
关键词 谐波测量 电容分压器 温度系数 缓冲电路
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基于AMESim的螺纹插装式缓冲溢流阀的缓冲特性 被引量:6
8
作者 张远深 鲜雪萍 +1 位作者 於又玲 尹杰 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2015年第5期40-43,共4页
针对工程机械在启动、制动或换向时液压马达腔会出现很高液压冲击的现象,对一种螺纹插装式缓冲溢流阀进行特性研究.建立螺纹插装式缓冲溢流阀的AMESim仿真模型,仿真分析缓冲式溢流阀的阀芯阻尼孔直径、缓冲套节流孔直径、弹簧刚度等参... 针对工程机械在启动、制动或换向时液压马达腔会出现很高液压冲击的现象,对一种螺纹插装式缓冲溢流阀进行特性研究.建立螺纹插装式缓冲溢流阀的AMESim仿真模型,仿真分析缓冲式溢流阀的阀芯阻尼孔直径、缓冲套节流孔直径、弹簧刚度等参数对液压马达压力特性的影响.研究结果表明,适当地减小阀芯阻尼孔直径,增大缓冲套节流孔直径,减小调压弹簧刚度,可以提高缓冲式溢流阀的缓冲性能. 展开更多
关键词 螺纹插装式缓冲溢流阀 缓冲套 缓冲回路 AMESIM 缓冲特性
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混合式直流断路器IGBT关断能力提升技术研究 被引量:12
9
作者 杨兵 王胜利 +5 位作者 王文杰 谢晔源 吕玮 石巍 许元震 陈羽 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期24-32,共9页
混合式高压直流断路器主要由快速机械开关和电力电子器件构成,主要依靠快速机械开关承载电流,通过电力电子器件开断和关合电流,为基于MMC柔性直流输电提供直流侧短路保护。但是直流断路器分断电流大,远远高于IGBT常规分断能力。文中根... 混合式高压直流断路器主要由快速机械开关和电力电子器件构成,主要依靠快速机械开关承载电流,通过电力电子器件开断和关合电流,为基于MMC柔性直流输电提供直流侧短路保护。但是直流断路器分断电流大,远远高于IGBT常规分断能力。文中根据直流断路器IGBT的特殊工作条件和电气应力,分析影响IGBT关断能力提升的影响因素,分别从降低IGBT导通损耗、关断损耗和抑制IGBT关断过电压等3个方面提升IGBT的可关断电流能力。文中首先仿真不同回路参数对IGBT损耗的影响,通过优化IGBT退饱和能力和关断过程暂态特性,降低关断损耗,最终完成IGBT结温仿真校核。同时通过研究IGBT关断过电压的影响因素,仿真不同回路参数对IGBT过电压的影响,提出抑制IGBT的关断暂态过电压的具体方法。研制50 kV转移支路阀组,搭建试验平台,完成26 kA的大电流开断,IGBT稳态损耗和暂态损耗都得到有效控制,相关技术和研制设备已经应用张北工程±535 kV混合式高压直流断路器项目,具有十分重要的工程意义。 展开更多
关键词 HVDC 混合型直流断路器 压接式IGBT 关断能力提升 RCD缓冲回路 关断过电压 结温仿真 开通损耗 关断损耗
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IGBT使用可靠性研究 被引量:7
10
作者 陈克选 张旺 杜永鹏 《电焊机》 2007年第5期23-26,57,共5页
针对IGBT使用过程中容易炸管等损坏现象,结合实际问题,从IGBT参数选择、缓冲电路和散热设计等方面就IGBT使用过程中的可靠性问题进行了研究,提出了设计方案,同时针对常用驱动模块EXB841、M57959L在IGBT保护中出现的问题,对驱动电路做出... 针对IGBT使用过程中容易炸管等损坏现象,结合实际问题,从IGBT参数选择、缓冲电路和散热设计等方面就IGBT使用过程中的可靠性问题进行了研究,提出了设计方案,同时针对常用驱动模块EXB841、M57959L在IGBT保护中出现的问题,对驱动电路做出了改进与优化。 展开更多
关键词 IGBT 可靠性 缓冲电路 驱动电路
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中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路 被引量:8
11
作者 魏廷存 丁行波 高德远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2214-2219,共6页
在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比... 在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0·25μmCMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8^+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0·4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求. 展开更多
关键词 TFT-LCD驱动芯片 输出缓冲电路 电压负反馈 拉电流和灌电流
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基于Pspice的IGBT缓冲电路分析 被引量:6
12
作者 张承宁 王志福 孙逢春 《计算机仿真》 CSCD 2003年第7期107-110,共4页
对IGBT缓冲电路设计进行了分析。阐述了缓冲电路的功能与关键元件参数值的选择 ,建立了Pspice仿真软件下的缓冲电路模型并对其进行仿真试验。所有的主要元件的参数仿真试验结果与实际试验结果非常一致。试验证明IGBT模块在缓冲电路的保... 对IGBT缓冲电路设计进行了分析。阐述了缓冲电路的功能与关键元件参数值的选择 ,建立了Pspice仿真软件下的缓冲电路模型并对其进行仿真试验。所有的主要元件的参数仿真试验结果与实际试验结果非常一致。试验证明IGBT模块在缓冲电路的保护下可以很好的工作 ,同时Pspice仿真软件对于电路设计有着很好的指导作用 。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 IGBT 缓冲电路 电路分析 电路仿真软件 PSPICE
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对IGBT逆变器吸收电路的改进与仿真 被引量:8
13
作者 王鹏程 郑建勇 尤鋆 《电测与仪表》 北大核心 2009年第10期67-71,共5页
本文在分析了传统IGBT逆变器吸收电路特点和工作原理的基础之上,结合IGBT在高频应用场合的开关特性,对传统IGBT逆变器吸收电路进行了改进。经过改进的IGBT逆变器吸收电路能够通过改变放电回路的放电电容,缩短吸收电容放电时间,在不降低... 本文在分析了传统IGBT逆变器吸收电路特点和工作原理的基础之上,结合IGBT在高频应用场合的开关特性,对传统IGBT逆变器吸收电路进行了改进。经过改进的IGBT逆变器吸收电路能够通过改变放电回路的放电电容,缩短吸收电容放电时间,在不降低吸收过电压效果的基础上,提高IGBT的工作频率,满足了IGBT逆变器在高频应用下的要求。最后,通过理论分析和电路仿真,验证了改进型吸收电路的有效性和适用性。 展开更多
关键词 IGBT 逆变器 吸收电路 高频
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磁流变弹性体隔振缓冲器设计及实验研究 被引量:11
14
作者 夏永强 余淼 刘胜龙 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2010年第9期196-200,共5页
磁流变弹性体是一种剪切模量可由外加磁场控制的智能材料,在半主动控制、着陆缓冲等方面具有广阔的应用前景。在此基础上探讨了基于磁流变弹性体的隔振器的磁路计算方法和结构设计准则,并设计出隔振器原型样机,通过改变控制电流和正弦... 磁流变弹性体是一种剪切模量可由外加磁场控制的智能材料,在半主动控制、着陆缓冲等方面具有广阔的应用前景。在此基础上探讨了基于磁流变弹性体的隔振器的磁路计算方法和结构设计准则,并设计出隔振器原型样机,通过改变控制电流和正弦波激振频率,考察隔振器的振动控制响应特性。实验结果表明在一定的频率范围内,该隔振器具有良好的隔振效果。 展开更多
关键词 磁流变弹性体 隔振缓冲器 磁路计算 实验研究
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一种新型硅基液晶微显示器件像素电路的研究 被引量:3
15
作者 宋玉龙 刘绍锦 +3 位作者 崔宏青 张俊瑞 冯亚云 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期328-332,共5页
设计了一种新型硅基微显示器件场缓存像素电路结构,并通过SPICE模拟与其他像素电路做比较,分析了其电路特点。新型像素结构可使在电压保持期间影响液晶电容电压的晶体管数量降到最低,从而提高了像素电容的电压保持率,降低了闪烁,并减小... 设计了一种新型硅基微显示器件场缓存像素电路结构,并通过SPICE模拟与其他像素电路做比较,分析了其电路特点。新型像素结构可使在电压保持期间影响液晶电容电压的晶体管数量降到最低,从而提高了像素电容的电压保持率,降低了闪烁,并减小了电磁干扰对像素电压的影响,提高了器件可靠性,同时提高了对光照的承受能力及对温度变化的适应能力,改善了显示品质,适用于高亮度显示器件。 展开更多
关键词 硅基液晶微显示 场序显示彩色 场缓存 像素电路 微显示器件 电路结构 硅基液晶 像素 SPICE模拟 电容电压
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基于精确时延模型考虑缓冲器插入的互连线优化算法 被引量:5
16
作者 张轶谦 洪先龙 蔡懿慈 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期783-787,共5页
 随着VLSI电路集成度增大和特征尺寸的不断减小,连线的寄生效应不可忽略,互连线的时延在电路总时延中占了很大的比例,成为决定电路性能的主要因素.在互连时延的优化技术中,缓冲器插入是最有效的减小连线时延的方法.本文提出了一个在精...  随着VLSI电路集成度增大和特征尺寸的不断减小,连线的寄生效应不可忽略,互连线的时延在电路总时延中占了很大的比例,成为决定电路性能的主要因素.在互连时延的优化技术中,缓冲器插入是最有效的减小连线时延的方法.本文提出了一个在精确时延模型下,在布线区域内给定一些可行的缓冲器插入位置,对两端线网进行拓扑优化,并同时插入缓冲器以优化时延的多项式时间实现内的算法.我们的算法不但可以实现时延的最小化,也可以在满足时延约束的条件下,最小化缓冲器的插入数目,从而避免不必要的面积和功耗的浪费. 展开更多
关键词 缓冲器插入 互连优化 布图 超大规模集成电路
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基于EXB841的IGBT驱动保护电路的设计 被引量:5
17
作者 朱连成 王琳 +1 位作者 宁春明 刁嫣妲 《辽宁科技大学学报》 CAS 2008年第1期42-45,共4页
分析了IGBT驱动保护模块EXB841的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路IG-BT模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行。
关键词 IGBT EXB841 驱动保护电路 缓冲电路
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CMOS源极跟随缓冲电路 被引量:1
18
作者 余宁梅 杨安 +1 位作者 陈治明 高勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期469-475,共7页
提出用 CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载 .HSPICE模拟结果表明 ,在负载电容为基本栅电容的 10 0倍及 6 0 0 0倍时 ,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力 ,且占有面积小 .从而较好地... 提出用 CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载 .HSPICE模拟结果表明 ,在负载电容为基本栅电容的 10 0倍及 6 0 0 0倍时 ,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力 ,且占有面积小 .从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题 .该电路结构简单 ,易于实现 ,且制作工艺与标准 CMOS工艺完全兼容 . 展开更多
关键词 源极跟随器 缓冲电路 CMOS VLSI 集成电路
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基于IPM的电法勘探发送机逆变器系统 被引量:2
19
作者 刘石 陈儒军 +1 位作者 颜良 陈一平 《物探与化探》 CAS CSCD 2006年第5期414-419,共6页
对于高频大功率电法勘探发送机而言,最脆弱的部位———逆变器容易烧毁,究其原因,主要是因为其本身的性能不高以及保护不力。针对目前存在的这些问题,提出了一种新的逆变器系统设计。在选用新一代功率器件IPM的基础上,采用适当的外围驱... 对于高频大功率电法勘探发送机而言,最脆弱的部位———逆变器容易烧毁,究其原因,主要是因为其本身的性能不高以及保护不力。针对目前存在的这些问题,提出了一种新的逆变器系统设计。在选用新一代功率器件IPM的基础上,采用适当的外围驱动和保护电路,通过设定恰当的死区时间,避免由于器件关断时间影响而导致的短路问题,并且通过单片机控制来实现多种死区时间可调,可以适应不同的发送频率和供电极距。 展开更多
关键词 智能功率模块(IPM) 驱动电路 缓冲电路 死区时间
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硅基液晶像素电路的研究 被引量:2
20
作者 黄苒 杜寰 +2 位作者 王文博 王晓慧 韩郑生 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期742-745,共4页
分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电。电路经过Hs... 分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电。电路经过Hspice仿真,对结果进行分析表明,其功能及特性符合设计要求,像素电容电荷保持率达到99%。电路具有结构简单,占用芯片面积小,像素电容电荷保持率高等优点,适合高亮度、高分辨率微显示器件的设计与制造。 展开更多
关键词 硅基液晶 场缓存 像素电路
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