SOI-LIGBT N-Buffer参数的研究

基于SOI-LIGBT(Silicon-on-Insulator-Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor),采用二维器件模拟软件Tsuprem4和Medici,仿真N-buffer的注入剂量和结深的变化对器件击穿电压和开态电流能力等参数的影响。通过分析,得出实现击穿电压、开态电流和关断时间折中的一般方法和优化N-buffer设计的一般结论。这不仅适用于该器件的设计,而且对其他LIGBT及纵向IGBT器件的N-buffer设计也有所裨益。

具有不耐烦顾客和可变服务率的可修M/M/1/N-G排队系统（英文）

给出容量有限的具有不耐烦和可变服务率的排队系统,其中服务率可变是因负顾客的到达而引起的。若负顾客在正常服务期间到达,它不仅删除正在服务的正顾客,而且或以概率p使服务台的服务速率降低,或以概率1-p使服务台失效。若负顾客在服务台低服务期到达,则它在删除正在服务的正顾客同时,还使服务台失效。若负顾客在服务台闲期或修理期到达,则它对系统不产生影响。服务台失效时,立即进行修理且修复如新。在服务台低服务期或修理期间,顾客是不耐烦的。利用马尔科夫过程理论,研究稳态概率方程,给出系统性能测度。在性能分析的基础上给出数值例子,说明不同参数对系统行为的影响。

风险缓冲体系构建研究——基于缓冲理论的视角

借鉴化学缓冲理论和现代应急管理技术,构建风险缓冲对模型,对企业发展过程中的主要风险,依据FTA(事故树分析)、ETA(事件树分析)方法和思路,研究风险发生的原因、过程和控制规律。根据该原理,可以构建一系列"风险缓冲对"体系和建立基于作用方向相反和作用效果相抵的风险缓冲对,来实现对特定风险的消除目标,或最大限度减缓意外风险对企业的冲击和破坏。同样,也可以对需要控制的目标风险,进行一系列风险结构分解。在此基础上,根据因果关系,对分解后的这些子风险通过风险筛选、风险屏蔽、斩断风险传导链条等手段主动控制风险。还可以通过构建完整的契约体系锁定这些子风险,从源头上着手控制子风险,消除导致风险后果发生的条件等措施,达到构建风险缓冲体系、主动管理风险、有效控制风险的目的。为提高企业运行过程中的风险承受能力和主动管理风险提出了一种风险缓冲对思路。

一种新型凹源HV-NMOS器件研究

设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。

具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相对较低的击穿电压严重限制了其大功率应用.为了进一步改善器件的击穿特性,通过在n-GaN外延缓冲层中引入六个等间距p-GaN岛掩埋缓冲层(PIBL)构成p-n结,提出一种基于p-GaN埋层结构的新型高耐压AlGaN/GaN HEMT器件结构.Sentaurus TCAD仿真结果表明,在关态高漏极电压状态下,p-GaN埋层引入的多个反向p-n结不仅能够有效调制PIBL AlGaN/GaN HEMT的表面电场和体电场分布,而且对于缓冲层泄漏电流有一定的抑制作用,这保证了栅漏间距为10μm的PIBL HEMT能够达到超过1700 V的高击穿电压(BV),是常规结构AlGaN/GaN HEMT击穿电压(580 V)的3倍.同时,PIBL结构AlGaN/GaN HEMT的特征导通电阻仅为1.47 m?·cm^2,因此获得了高达1966 MW·cm^(-2)的品质因数(FOM=BV^2/R_(on,sp)).相比于常规的AlGaN/GaN HEMT,基于新型p-GaN埋岛结构的HEMT器件在保持较低特征导通电阻的同时具有更高的击穿电压,这使得该结构在高功率电力电子器件领域具有很好的应用前景.

缓冲层对二极管反向雪崩击穿耐量影响的仿真研究

利用SilvacoTCAD仿真软件对p＋n—n＋结构二极管在反向击穿情况下的电场分布进行了仿真分析，雪崩载流子浓度的升高改变了耗尽区的电荷密度，因此电场分布形状发生改变，当雪崩击穿电流达到一定值时，在nn＋结处出现第二个电场尖峰，从而引发双雪崩现象。双雪崩会导致负微分电阻现象发生，以致形成电流丝，造成器件损坏。为抑制nn＋结的电场尖峰的出现，在n区n＋区之间引入缓冲层，缓冲层能起到延缓nn＋结的电场尖峰的出现，从而提高二极管的雪崩击穿耐量。

考虑缓冲区故障的多产品生产系统的性能分析

对带有生产准备时间和缓冲区故障且生产时间服从任意分布的多产品生产系统进行分析,通过构建系统状态向量,建立其离散时间马尔可夫链模型.根据多产品生产系统的工作过程对系统状态向量分4种情况进行讨论,计算出系统的状态转移矩阵;在计算系统稳态向量的基础上获得系统生产率的计算流程.根据所建立的模型,对参数对称且可生产两种产品的多产品生产系统进行详细求解,给出其系统生产率的计算过程,通过Matlab进行数学实验,分析总结出缓冲区的无故障率、产品到达率、生产准备时间、服务率及其变异系数对系统生产率的影响.