高频声体波延迟线用极薄AlN薄膜制备研究

该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向,并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好,摇摆曲线半高宽达到3.21°,均方根粗糙度为1.56 nm,应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz,插入损耗为50.7 dB,优于美国Teledyne公司的产品。

18～20GHz体声波微波延迟线

给出了利用换能器旁瓣响应得到的体声波（ＢＡＷ）微波延迟线在１８～２０ＧＩ１２频率范围内的频域及时域性能，其最小插入损耗为８３ｄＢ，延迟时间２００ｎｓ，并对器件插入损耗进行了分析。

倍频程宽带声体波微波延迟线

报道了采用 Zn O压电薄膜换能器设计制作倍频程宽带声体波微波延迟线和实际结果。工作频率 2～6 GHz,延时 0 .2 μs,插入损耗波动≤ 6 d

C波段超短延时声体波延迟线

叙述了超短延时声体波微波延迟线的设计和制作。制作了工作频率４．２ＧＨｚ，延迟时间分别为５０ｎｓ和７０ｎｓ的器件。

K波段宽带声体波延迟线的设计与优化

通过优化K波段声体波换能器设计,突破200 nm极薄压电薄膜制备和微带线匹配等技术,研制了K波段体声波延迟线样品。研究结果表明,样品的中心频率大于23 GHz,带宽大于1000 MHz,延迟时间295 ns,外形尺寸约25 mm×16 mm×14 mm,是目前国内外已报道的工作频率最高的声体波延迟线。

声体波微波延迟线技术研究

声体波延迟线是在雷达和通信应用系统中非常广泛的器件。文章简述了声体波微波延迟线的工作原理、参数和时域特性;介绍了声体波微波延迟线的设计方法,以及克服传统延迟线受基片材料长度和器件尺寸限制,满足雷达、通信等电子设备对长延时电信号的需求。