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题名500V体硅N-LDMOS器件的研究
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作者
李栋良
孙伟锋
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机构
东南大学集成电路学院
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出处
《电子器件》
CAS
2008年第2期508-510,515,共4页
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文摘
借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响。优化后该器件表面电场分布良好,通过I-V曲线可知,关态和开态耐压均超过500V,开启电压在1.65V左右,可以很好应用于各种高压功率集成芯片,具有很好的发展前景。
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关键词
N-ldmos
内场限环
场极板
漂移区
击穿电压
体硅
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Keywords
N-ldmos
internal field ring
field plate
drift
breakdown voltage
bulk silicon
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型
被引量:1
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作者
王钦
孙伟锋
刘侠
杨东林
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机构
东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
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出处
《电子器件》
CAS
2007年第3期779-782,共4页
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基金
国家"863"计划资助支持(2004AA1Z1060)
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文摘
体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LD-MOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在线性区与饱和区时温度的分布,器件各个部分自热引起的温度升高以及其在不同宽度的高压脉冲作用下,N-LDMOS器件的温度分布变化情况.
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关键词
体硅ldmos
自热
温度分布
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Keywords
bulk-silicon ldmos
self-heating
temperature distribution
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分类号
TP316
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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题名体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究
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作者
刘侠
王钦
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机构
东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
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出处
《现代电子技术》
2006年第23期124-126,共3页
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文摘
从等温和非等温两个角度,在250 K^573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。
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关键词
体硅ldmos
等温
非等温
负阻效应
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Keywords
bulk - silicon ldmos
isothermah non - isothermal
negative resistance effect
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分类号
TP333.52
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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