稀硫酸中丙烯基硫脲对纳米工业纯铁腐蚀作用

在室温0.1 mol/L H_2SO_4+0.25 mol/L Na_2SO_4溶液中,研究了添加不同浓度丙烯基硫脲(ATU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)(通过严重塑性变形获得)和普通工业纯铁(CPII)电化学腐蚀行为的影响。当浸泡5 min后,CPII的Nyquist谱图上出现感抗弧,而BNII的Nyquist谱图为单阻抗谱。随着时间延长至2h,BNII的Nyquist谱图上出现两个时间常数;CPII的阻抗复平面上出现一圆心下偏的单阻抗谱。

块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为

借助动电位极化和电化学阻抗谱(EIS)测量,研究块体纳米晶工业纯铁(BNII)和粗晶工业纯铁(CPII)在室温0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为;用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀后的表面形貌.结果表明,与CPII相比,BNII的自腐蚀电位E_(corr)正向移动43 mV,自腐蚀电流I_(corr)由68.37μA·cm^(-2)减小为29.55μA·cm^(-2);电荷转移电阻Rt由427.0Ω·cm^2增大到890.1Ω·cm^(-2).两种材料发生的点蚀呈不同的形态:BNII的点蚀孔小而浅,腐蚀深度比较均匀,而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大.与CPII相比,BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.