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一种抑制辐射闭锁的新方法
被引量:
3
1
作者
许献国
胡健栋
徐曦
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期446-449,共4页
从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法—伪闭锁路径法。详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,还提供了一个设计实例,给出了计算机仿真结果和实验验证结果。伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不...
从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法—伪闭锁路径法。详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,还提供了一个设计实例,给出了计算机仿真结果和实验验证结果。伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动。
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关键词
体硅
cmos
器件
闭锁效应
伪闭锁路径法
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职称材料
题名
一种抑制辐射闭锁的新方法
被引量:
3
1
作者
许献国
胡健栋
徐曦
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
北京邮电大学
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期446-449,共4页
文摘
从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法—伪闭锁路径法。详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,还提供了一个设计实例,给出了计算机仿真结果和实验验证结果。伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动。
关键词
体硅
cmos
器件
闭锁效应
伪闭锁路径法
Keywords
bulk-si cmos deviee
latehup effeet
pseudo-latehup path method
分类号
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种抑制辐射闭锁的新方法
许献国
胡健栋
徐曦
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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