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新型超硬C-N薄膜材料 被引量:2
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作者 张贵锋 杨振江 耿东生 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期48-53,共6页
C-N薄膜是目前国际上刚刚兴起的一种新型超硬材料。理论上,它的体模量和硬度比金刚石还要高。在半导体和抗磨涂层等领域有着广阔的应用前景。文中介绍了新型C-N薄膜材料的发展概况、几种典型的制备方法、结构及性能特点,分析了... C-N薄膜是目前国际上刚刚兴起的一种新型超硬材料。理论上,它的体模量和硬度比金刚石还要高。在半导体和抗磨涂层等领域有着广阔的应用前景。文中介绍了新型C-N薄膜材料的发展概况、几种典型的制备方法、结构及性能特点,分析了C-N膜的发展方向及其应用前景。 展开更多
关键词 碳氮簿 超硬材料 c-n簿 合成工艺 应用
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提高多孔硅传感特性的一种新方法(英文)
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作者 李宏建 崔昊杨 +3 位作者 黄伯云 易丹青 何英旋 彭景翠 《光散射学报》 2004年第1期84-89,共6页
研究了多孔硅(PS)吸附有机溶剂分子后对多孔硅荧光谱的淬灭效应。结果表明:淬灭多孔硅发光的有机溶剂分子是极性分子,有机溶剂分子的极性不同对多孔硅发光的淬灭程度也不同,且有些有机溶剂分子吸附氧化多孔硅比吸附多孔硅引起的发光淬... 研究了多孔硅(PS)吸附有机溶剂分子后对多孔硅荧光谱的淬灭效应。结果表明:淬灭多孔硅发光的有机溶剂分子是极性分子,有机溶剂分子的极性不同对多孔硅发光的淬灭程度也不同,且有些有机溶剂分子吸附氧化多孔硅比吸附多孔硅引起的发光淬灭具有更好的可逆性和选择性;用含有胺基的正丁胺(CH3CH2CH2CH2-NH2)作碳源,用射频辉光放电等离子系统在多孔硅表面沉积c n膜对多孔硅进行钝化处理后发现:其电致发光强度明显增强,发光峰位兰移,且在大气中存放60天后,其电致发光谱强度基本不衰减,峰位不再移动。经钝化处理的器件较未经处理的器件具有小的串联电阻Rs和低的驱动电压。这为提高多孔硅的传感特性提供了一种新方法。 展开更多
关键词 多孔硅 串联电阻 传感特性 荧光谱 淬灭效应 吸附性 射频辉光放电等离子系统 c-n膜
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β-C_3N_4研究的新进展 被引量:6
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作者 王恩哥 《物理》 CAS 1997年第1期1-2,共2页
βC3N4的研究是近年来凝聚态物理和材料科学研究的热门课题之一.我们利用偏压辅助热解化学气相沉积方法,首次获得长1—3μm,横截面尺寸在300—500nm的βC3N4六棱体.其晶格常数a=624和c=236... βC3N4的研究是近年来凝聚态物理和材料科学研究的热门课题之一.我们利用偏压辅助热解化学气相沉积方法,首次获得长1—3μm,横截面尺寸在300—500nm的βC3N4六棱体.其晶格常数a=624和c=236.N∶C=130—140. 展开更多
关键词 晶体结构测定 超硬材料 c-n膜
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