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Field emission of carbon nanotube array with normal-gate cold cathode
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作者 戴剑锋 慕晓文 +2 位作者 乔宪武 陈小婷 王军红 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第5期483-487,共5页
A hexagon pitch carbon nanotube (CNT) array vertical to the normal gate of cold cathode field emission displayer (FED) is simulated by solving the Laplace equation. The calculated results show that the normal gate... A hexagon pitch carbon nanotube (CNT) array vertical to the normal gate of cold cathode field emission displayer (FED) is simulated by solving the Laplace equation. The calculated results show that the normal gate causes the electric field around the CNT tops to be concentrated and the emission electron beam becomes a column. The field enhancement factor and the emission current intensity step up greatly compared with those of the diode structure. Emission current density increases rapidly with the decrease of normal-gate aperture. The gate voltage exerts a critical influence on the emission current. 展开更多
关键词 field emission hexagon pitch carbon nanotube (CNT) array emission current density field enhancement factor
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Analytical optimization for field emission of carbon nanotube array 被引量:1
2
作者 WANG XinQing LI Liang +4 位作者 CHEN Min JIN HongXiao JIN DingFeng PENG Min GE HongLiang 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2009年第10期1801-1804,共4页
To optimize field emission (FE) property of carbon nanotube (CNT) array on a planar cathode surface, the Fowler-Nordheim formula has been used to discuss the maximum of the emission current density with the floating s... To optimize field emission (FE) property of carbon nanotube (CNT) array on a planar cathode surface, the Fowler-Nordheim formula has been used to discuss the maximum of the emission current density with the floating sphere model in this paper. The emission current density is dominating as the analytical Fowler-Nordheim function of the intertube distance, and the maximum of the emission current density is deduced and discussed. The results indicate that the intertube distance in CNT array critically affects the field enhancement factor and the emission current density, whose maximum occurs at the intertube distance approximating a tenth of the tube height. Considering the emission current density and the field enhancement factor, the FE can be optimized analytically when the intertube distance is about a tenth of the tube height. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 场发射 优化 发射电流密度 场增强因子 有限元分析 距离 CNT
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大电流碳纳米管场发射阴极研究 被引量:11
3
作者 崔云康 张晓兵 +4 位作者 雷威 王琦龙 狄云松 李驰 陈静 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1509-1512,共4页
报道了在较大发射面积上获得较大场发射电流的碳纳米管场发射阴极。为了加强场发射电流,在丝网印刷浆料中增加一种金属纳米颗粒,金属颗粒增强了碳纳米管发射体和衬底的接触,提高碳纳米管和衬底的粘附作用。利用改进后的丝网印刷方法制... 报道了在较大发射面积上获得较大场发射电流的碳纳米管场发射阴极。为了加强场发射电流,在丝网印刷浆料中增加一种金属纳米颗粒,金属颗粒增强了碳纳米管发射体和衬底的接触,提高碳纳米管和衬底的粘附作用。利用改进后的丝网印刷方法制备了大电流碳纳米管场发射阴极,测得最大发射电流为68.0mA,阴极有效发射面积约1.1mm2,发射电流密度约6.2A/cm2;并成功将改进方法制备的大电流场发射碳纳米管阴极应用于场发射真空器件原型。实验证明这种具有较大发射电流和较大发射电流密度的场发射能够满足部分大功率电子器件的需求。 展开更多
关键词 场发射 碳纳米管 发射阴极 电流密度
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微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究 被引量:12
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作者 陈长青 丁明清 +4 位作者 李兴辉 白国栋 张甫权 冯进军 邵文生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期363-366,共4页
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强... 本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。 展开更多
关键词 微图形 定向碳纳米管 场发射阵列冷阴极 直流等离子体增强化学气相沉积
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碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究 被引量:5
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作者 陈景东 王六定 施易军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期407-410,426,共5页
本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14h/R+2.62。结果表明:场增强因子是碳纳米... 本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14h/R+2.62。结果表明:场增强因子是碳纳米管长径比h/R的线性函数,并与电荷分布密切相关。在此基础上,研究发现35%的管壁电荷对碳纳米管电子发射的场增强因子贡献约为9.7%,但仍远大于镜像电荷的影响。根据模型中电荷非均匀分布导致碳纳米管各处局域电场大幅度变化,解释了仅在球面的一定区域才大量发射电子且发射电流密度不均匀的实验现象。 展开更多
关键词 碳纳米管 电荷分布 场增强因子 场发射
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悬浮单根纳米碳管端部场分布的计算 被引量:1
6
作者 尚学府 李振华 +1 位作者 徐亚伯 王淼 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期5-9,共5页
本文以建立的悬浮纳米碳管头部模型替代整根纳米碳管,来研究影响阴阳极板间单根纳米碳管顶端的场强变化的不同参数。运用模拟电荷和镜像电荷导出单根纳米碳管尖端场增强因子关于长径比的简单线性公式,其结果明显优于悬浮球模型。利用此... 本文以建立的悬浮纳米碳管头部模型替代整根纳米碳管,来研究影响阴阳极板间单根纳米碳管顶端的场强变化的不同参数。运用模拟电荷和镜像电荷导出单根纳米碳管尖端场增强因子关于长径比的简单线性公式,其结果明显优于悬浮球模型。利用此模型同时可得到相应的顶端电场分布,结果表明其分布并不明显依赖纳米碳管的长径比,而且纳米碳管柱面的场发射电流微弱,与顶端的场发射电流相比可以忽略。 展开更多
关键词 单根纳米碳管 场发射 增强因子
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栅极调制纳米线的场发射特性 被引量:1
7
作者 雷达 王维彪 +1 位作者 曾乐勇 梁静秋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期225-230,共6页
建立一个理想的带栅极纳米线模型,利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子,进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响。结果表明,在加较大的栅极电压的情况下栅孔半径越小,电场增强因... 建立一个理想的带栅极纳米线模型,利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子,进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响。结果表明,在加较大的栅极电压的情况下栅孔半径越小,电场增强因子就越大,且随着栅极电压的增加电场增强因子近似地线性增加;而当栅极电压等于零(或接近于零)时栅孔对纳米线表面电场的屏蔽效应较显著,栅孔半径越大,电场增强因子反而越大;电流密度在纳米线顶端边缘处最大,而且随着栅极电压的增加而呈指数增加。 展开更多
关键词 带栅极纳米线 场增强因子 发射电流密度
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不同电场下碳纳米管场致发射电流密度研究 被引量:1
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作者 王益军 严诚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期292-297,共6页
本文运用密度泛函理论和金属电子论,深入研究了碳纳米管场致发射电流的变化规律.结果显示其发射电流密度取决于体系的态密度、赝能隙、管长和局域电场,在不同范围电场下的变化规律不同.在较低电场下,发射电流密度随电场增强而近似线性增... 本文运用密度泛函理论和金属电子论,深入研究了碳纳米管场致发射电流的变化规律.结果显示其发射电流密度取决于体系的态密度、赝能隙、管长和局域电场,在不同范围电场下的变化规律不同.在较低电场下,发射电流密度随电场增强而近似线性增大(对应的宏观电场须小于18 V·μm-1);但在较高电场下,发射电流密度随外电场增加呈现非周期性振荡增长趋势,碳纳米管表现为电离发射.本文进一步研究了金属性碳纳米管电导率在不同电场下的变化规律. 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射 电流密度 电导率
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六角排列碳纳米管阵列的场增强因子的计算
9
作者 戴剑锋 姚东 +2 位作者 王青 李维学 乔宪武 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2008年第5期168-172,共5页
通过求解Laplace方程得到六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列的管尖端电场强度和场增强因子,具体研究CNTs的自身线度、阵列密度及阵列形状对CNTs的场增强因子的影响.研究结果表明,场增强因子随CNTs长径比的增加而增加,对于长径比一定的CNTs阵... 通过求解Laplace方程得到六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列的管尖端电场强度和场增强因子,具体研究CNTs的自身线度、阵列密度及阵列形状对CNTs的场增强因子的影响.研究结果表明,场增强因子随CNTs长径比的增加而增加,对于长径比一定的CNTs阵列,对应着一个最佳阵列密度,如管长为6μm、管径分别为5 nm、13 nm、20 nm的CNTs阵列对应的最佳阵列密度为3.05×1011cm-2、4.83×1010cm-2、2.12×1010cm-2.在相同的阵列密度下,六角排列CNTs阵列的场发射性能要优于四方排列的CNTs阵列.计算得到六角排列CNTs阵列上端面的电势分布曲线. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 场发射 场增强因子 六角排列
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碳纳米管场致发射特性的研究进展 被引量:2
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作者 李君仁 郭震宁 《现代显示》 2006年第3期45-50,共6页
碳纳米管(CNT)具有优良的场致发射特性,是场致发射器件的理想阴极材料。本文介绍了几种碳纳米管阵列的制作方法以及研究碳纳米管场致发射特性的理论和实验进展。
关键词 碳纳米管 场致发射 场增强因子
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基于单体石墨纤维的场发射特性研究
11
作者 霍海波 郑亚娟 +5 位作者 麻华丽 董子华 李倩倩 李明玉 丁佩 曾凡光 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第5期866-870,共5页
利用化学气相沉积(CVD)法,以甲烷为碳源在管式炉中合成了单体石墨纤维(MGF)。选取长度为3.426 mm,顶端球面半径为11.26μm的单体石墨纤维直立于圆铜片上作为阴极,以导电ITO玻璃作为阳极,采用二极管结构在真空室中进行直流场发射测试,证... 利用化学气相沉积(CVD)法,以甲烷为碳源在管式炉中合成了单体石墨纤维(MGF)。选取长度为3.426 mm,顶端球面半径为11.26μm的单体石墨纤维直立于圆铜片上作为阴极,以导电ITO玻璃作为阳极,采用二极管结构在真空室中进行直流场发射测试,证实MGF的开启场强为0.4775 V/μm。基于有限元仿真软件ANSYS进行电磁场分析,计算了MGF在不同电压下的有效发射面积。结果表明,当电压为5.36 kV时,MGF达到最大发射面积为796.226μm^(2),在实验测量电压范围内,平均发射电流密度可以达到46.069 A/cm^(2),单体石墨纤维具有良好的场发射特性。 展开更多
关键词 单体石墨纤维 场发射 有效发射面积 电流密度 场增强因子
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基于小波神经网络预测单个碳纳米管的场增强因子和开启电压
12
作者 保文星 朱长纯 崔万照 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期168-171,188,共5页
针对单个碳纳米管的场发射特性参数与几何结构之间的复杂非线性关系,构造了一种多输入多输出的小波神经网络结构来预测单个碳纳米管的场发射增强因子和开启电压,并采用BP算法和自适应的学习速率加快网络训练的收敛速度.网络的训练结果... 针对单个碳纳米管的场发射特性参数与几何结构之间的复杂非线性关系,构造了一种多输入多输出的小波神经网络结构来预测单个碳纳米管的场发射增强因子和开启电压,并采用BP算法和自适应的学习速率加快网络训练的收敛速度.网络的训练结果和测试结果表明,预测输出值与实验值之间的误差在2.36%以内,充分说明小波神经网络可以较好地预测碳纳米管的场发射特性. 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射 小波神经网络 场增强因子 开启电压
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碳纳米管栅极冷阴极结构场发射计算
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作者 乔宪武 江影 戴剑锋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期64-66,71,共4页
目前通常有两种方法对CNT-FED场发射进行计算,即镜像悬浮球法和解拉普拉斯方程的方法,虽然解拉普拉斯方程的方法比较复杂,但可以计算出完整的CNTs结构空间各点电场情况。通过解拉普拉斯方程的方法研究了CNTs栅极冷阴极这种符合实际情况... 目前通常有两种方法对CNT-FED场发射进行计算,即镜像悬浮球法和解拉普拉斯方程的方法,虽然解拉普拉斯方程的方法比较复杂,但可以计算出完整的CNTs结构空间各点电场情况。通过解拉普拉斯方程的方法研究了CNTs栅极冷阴极这种符合实际情况且有广泛应用前景的结构。计算结果表明,CNTs尖端处电场强度很大,随着半径r的增加,电场强度急剧减小;场增强因子随CNTs长径比的增加而增加,对于长径比一定的CNTs阵列,对应着一个最佳阵列密度;栅极电压对这种CNTs结构的电流密度有很强的控制作用;并且在极板间距变化的情况下得出了CNTs周围电流密度分布;随着栅极电压的增大,CNTs尖端电流密度随之增大,极板间距减小也可提高CNTs尖端电流密度。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 场发射 栅极冷阴极 电流密度
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开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究
14
作者 施易军 王六定 陈景东 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期734-738,共5页
利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1。结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ... 利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1。结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关。特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著。 展开更多
关键词 开口碳纳米管 电子场发射 场增强因子
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碳纳米管发射电流密度不稳定性的理论探究
15
作者 王益军 王立 《咸阳师范学院学报》 2020年第2期25-28,共4页
碳纳米管的发射电流密度不稳定问题严重困扰着人们对其进一步开发应用。为了探究其原因,本文基于密度泛函理论和金属电子论,提出了一种计算碳纳米管发射电流密度的公式,合理解释了引起电流密度振荡的原因是其态密度随电场增大而振荡式... 碳纳米管的发射电流密度不稳定问题严重困扰着人们对其进一步开发应用。为了探究其原因,本文基于密度泛函理论和金属电子论,提出了一种计算碳纳米管发射电流密度的公式,合理解释了引起电流密度振荡的原因是其态密度随电场增大而振荡式变化所导致,揭示了碳纳米管场致发射电流密度的变化规律。 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射 电流密度
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利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析
16
作者 谭大刚 罗宏超 李志 《真空电子技术》 2006年第1期44-47,共4页
碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(U/d),发射电流密度、总电流与发射面积成正比;对于半球平面电极系统半球形的阴极存在一个宏... 碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(U/d),发射电流密度、总电流与发射面积成正比;对于半球平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks,一个与两极距离和球半径之比(d/r)相关的函数,其表面的平均场强为ksU/d。对于d/r=0,ks=1,d r的情况,ks接近于常数。对于10<d/r<100的情况,存在一个经验的表达式:ks=1+0.15d/r-0.005(d/r)2。在引入ks后,不同作者给出的平面电极系统和半球平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用一经验公式描述:I=a(E-Eo)b,a,b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。 展开更多
关键词 碳纳米管膜 场强 场致发射 表面场强增强因子
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碳纳米管薄膜场蒸发效应 被引量:3
17
作者 马玉龙 向伟 +3 位作者 金大志 陈磊 姚泽恩 王琦龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期325-333,共9页
在超高真空系统中对基于丝网印刷方法制备的碳纳米管薄膜的场蒸发效应进行实验研究.实验发现,碳纳米管薄膜样品存在场蒸发现象,蒸发阈值场在10.0—12.6 V/nm之间,蒸发离子流可以达到百皮安量级;扫描电子显微镜分析和场致电子发射测量结... 在超高真空系统中对基于丝网印刷方法制备的碳纳米管薄膜的场蒸发效应进行实验研究.实验发现,碳纳米管薄膜样品存在场蒸发现象,蒸发阈值场在10.0—12.6 V/nm之间,蒸发离子流可以达到百皮安量级;扫描电子显微镜分析和场致电子发射测量结果表明,场蒸发会使碳纳米管分布变得更加不均匀,会导致薄膜的场致电子发射开启电压上升(240→300 V)、场增强因子下降(8300→4200)、蒸发阈值场上升(10→12.6 V/nm),同时使得薄膜场致电子发射的可重复性明显变好.场蒸发也是薄膜自身电场一致性修复的表现,这种修复并非表现在形貌上,而是不同区域场增强因子之间的差距会越来越小,这样薄膜场致电子发射的可重复性和稳定性自然会得到改善. 展开更多
关键词 碳纳米管 场蒸发 场致电子发射 场增强因子
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碳纳米管蒸发特性及其对场发射性能的影响 被引量:1
18
作者 崔云康 吴庆春 +1 位作者 王红兵 唐春红 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第6期1329-1334,共6页
为了探究场发射阴极电流的跌落机制,采用四极质谱仪分析的方法研究高温蒸发对阴极场发射性能的影响。实验结果表明:碳纳米管阴极在1 173 K以上温度时开始蒸发出碳;在1 373 K高温下连续蒸发100 h,碳纳米管阴极的开启场强增加21.7%,阈值... 为了探究场发射阴极电流的跌落机制,采用四极质谱仪分析的方法研究高温蒸发对阴极场发射性能的影响。实验结果表明:碳纳米管阴极在1 173 K以上温度时开始蒸发出碳;在1 373 K高温下连续蒸发100 h,碳纳米管阴极的开启场强增加21.7%,阈值场强增加31.7%,增强因子减小16.2%,功函数增加11.9%。扫描电镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)分析显示:增大的功函数和减小的场增强因子降低了阴极的场发射性能。阴极材料的蒸发是阴极电流跌落的重要原因。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射 蒸发特性 场增强因子 功函数
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对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究 被引量:22
19
作者 朱亚波 王万录 廖克俊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期2335-2339,共5页
研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响 ,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径 .研究结果表明 ,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为 10 2... 研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响 ,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径 .研究结果表明 ,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为 10 2 — 10 3,并对任何长径比的碳纳米管阵列 ,都对应着一个最佳阵列密度 ,当碳纳米管阵列密度取此最佳密度值时 ,其电场增强因子明显提高 . 展开更多
关键词 场发射 碳纳米管阵列 最佳阵列密度 电场增强因子 长径比
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纳米碳管阵列场发射电流密度的理论数值优化 被引量:2
20
作者 王新庆 李良 +2 位作者 褚宁杰 金红晓 葛洪良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7173-7177,共5页
以纳米碳管阵列为研究对象,利用镜像悬浮球模型及Fowler-Nordheim电流密度公式,对纳米碳管阵列的场发射电流密度进行计算,进而综合考虑场发射增强因子及场发射电流密度对纳米碳管阵列场发射性能进行定量优化.参考碳管阵列场发射电流密... 以纳米碳管阵列为研究对象,利用镜像悬浮球模型及Fowler-Nordheim电流密度公式,对纳米碳管阵列的场发射电流密度进行计算,进而综合考虑场发射增强因子及场发射电流密度对纳米碳管阵列场发射性能进行定量优化.参考碳管阵列场发射电流密度最大值及场发射增强因子,表明当纳米碳管阵列间距为碳管高度十分之一时,纳米碳管阵列的场发射性能得到优化.与以前的理论估算结果相比,优化的阵列间距进一步减小.当纳米碳管间距过大,场发射增强因子增加,而场发射电流密度会在更大程度上减小;当纳米碳管密度较大时,场发射增强因子受到静电屏蔽的影响而急剧下降. 展开更多
关键词 纳米碳管 场发射 增强因子 电流密度
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