一种提升PCB载流能力的设计方法

随着电子信息行业的不断发展,电子设备功能日渐多元,设备功率越来越高,设备电流也越来越大。此类设备的电路板设计要求具有较大的载流能力,基于此类需求,提出了一种通过优化PCB中铜箔路径来提升PCB载流能力的设计。

超薄铜箔的制备工艺研究

以载体支撑可剥离超薄铜箔的制备工艺为研究对象,用SEM考察电沉积时间、搅拌方式、电流密度及溶液温度等对铜箔表面形态的影响.结果表明,采用超声波搅拌,溶液温度45～50℃,电流密度15A/dm2,在载体亮面电沉积6 s的最佳工艺条件下,可以得到厚度小于5μm超薄铜箔层.

高密度超精细线路印制板用铜箔

概述了附载体极薄铜箔和附树脂极薄铜箔制造工艺,特别适用于制造高密度超精细线路的多层板。

不同超薄铜箔制作精细线路的研究——针对MSAP工艺

随着物联网时代＆即时顾客定制化时代的到来，系统级封装（SIP，system in package）很好地解决了集成电路产业面临到的矛盾：可以用较低的成本进一步实现集成技术的提升，所以系统级封装被认为是下一代封装技术的主流。近两年随着智能手机大量采用SIP系统模组：BGA的封装ball pitch进一步缩小到0．35mm或0．30mm，原有HDI的布线密度己无法满足要求，必须采用30μm／30μm的布线密度才能实现，这种线路采用掩蔽工艺无法实现，必须采用MSAP（modified semi-additive process）工艺。文章针对MSAP（modified semi-additive process）工艺采用不同的超薄铜箔试验细线路制作能力：即便超薄铜箔厚度只差2μm-3μm，制作线路级别也有很大的差别。经过试验，结合电迁移老化的可靠性测试和不同线路级别的线宽公差来看：2μm薄铜箔可以实现30μm／30μm线路制作，而5μm只能实现45μm／45μm的线路制作，接近现有tenting工艺的制作水平。这意味着．对于MSAP（modified semiadditive process）而言，精度控制等级会进一步提升且需要严格控制，否则，失之毫厘则谬以千里。

超薄铜箔在印制电路板中加工难点探讨

随着电子产品的飞速发展,推动PCB向更高布线密度方向发展,使超薄铜箔在印制电路中的应用逐渐增多。在其加工过程中,超薄铜箔与载体的剥离、压合后板面起皱和薄铜箔印制板露基材等问题均是控制难点,解决好这些问题是应用好超薄铜箔的关键所在。文章将就以上几个问题进行分析,并提出相应的解决方法,探索更为合理、科学的薄铜箔印制板的制作方法。

超薄铜箔在HDI的应用

本文详细介绍了超薄铜箔的结构和制造方法，并对两种结构的超薄铜箔在HDI线路板的应用作了对比，研究了蚀刻速率和剥离强度特性以及图形电镀、激光钻孔的工艺，为超薄铜箔的实际应用提供了可靠的依据。

附载体极薄铜箔的剥离机制

目的研究一种极薄铜箔制备过程中所需要的新型剥离层结构,以此来实现极薄铜箔的顺利剥离。方法利用两步电沉积法制备了可剥离的极薄铜箔,利用EBSD分析了“载体铜箔-剥离层-极薄铜箔”结构的附载体铜箔截面晶粒分布规律,利用聚焦离子束技术(FIB)制备了TEM样品,通过HRTEM对“载体铜箔-剥离层-极薄铜箔”结构中剥离层/极薄铜箔、剥离层/载体铜箔的界面微观结构进行了研究。结果与单一Ni剥离层相比,通过两步电沉积法制备的复合剥离层(Ni,Cr-O)具有更好的可剥离性,复合剥离层由有序Ni层和无序Cr-O层组成。复合剥离层中的Ni层与载体铜箔相结合,界面完全共格,形成较强的界面结合;复合剥离层中的无序Cr-O层与极薄铜箔相结合,Cr-O层与极薄铜箔界面原子紊乱,形成较弱的界面结合。对制备的极薄铜箔剥离强度进行测试可知,极薄铜箔与载体铜箔能够剥离,极薄铜箔与剥离层之间的剥离强度约为0.01N/mm。结论利用载体铜箔-剥离层、极薄铜箔-剥离层结合界面的差异化实现了界面结合的差异化,复合剥离层内有序和无序的结构分布调控了载体铜箔与剥离层、极薄铜箔与剥离层之间的界面结合,使剥离层与极薄铜箔之间的结合弱于剥离层与载体铜箔之间的结合,有助于极薄铜箔与剥离层分离,同时剥离层与载体铜箔之间不会分离,进而获得可洁净剥离的极薄铜箔。