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题名基于RRAM延时单元的PUF设计
被引量:4
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作者
杨轩
叶文强
崔小乐
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机构
北京环境特性研究所
北京大学深圳研究生院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第8期1565-1571,共7页
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基金
深圳市学科布局项目(No.JCYJ20170412150411676)。
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文摘
随着技术的发展,信息安全受到了很大挑战.物理不可克隆函数(Physically Unclonable Function,PUF)电路是一种新型的密钥生成电路,阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)可以为其提供物理随机熵源,这使得PUF在物理上不可被攻击.但目前在基于RRAM的PUF设计方案中,RRAM延时单元的测试响应对(Challenge Response Pair,CRP)效率并不够高.本文提出一种基于RRAM延时单元的PUF结构,延时单元将RRAM的阻值输出到反向器中,形成脉冲的延迟,最后通过判决器判断两路脉冲达到顺序并编码为"0"和"1",这就是PUF的输出位.基于RRAM延时单元,本文设计了8位、16位、32位、64位PUF,这些PUF在保证良好的随机性、稳定性、唯一性的前提下,大大提高了PUF的RRAM单元效率.实验结果表明:该设计能够有效的提高RRAM使用效率,使得PUF能够更好地防止外界的攻击.
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关键词
物理不可克隆函数
阻变存储器
CRP(challenge
response
pair)效率
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Keywords
physical unclonable function
resistive memory
CRP efficiency
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分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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