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特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用
1
作者
陈军
尤政
+1 位作者
周兆英
刘兴占
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期290-293,共4页
提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法。给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在...
提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法。给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在。这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点。
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关键词
特征提取
微米级
纳米级
体缺陷
硅
NI
lsst
激光
下载PDF
职称材料
题名
特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用
1
作者
陈军
尤政
周兆英
刘兴占
机构
清华大学精密仪器与机械系
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期290-293,共4页
基金
国家自然科学基金
霍英东基金
文摘
提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法。给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在。这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点。
关键词
特征提取
微米级
纳米级
体缺陷
硅
NI
lsst
激光
Keywords
character recognition lsst micro/nano bulk defect silicon
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN249 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用
陈军
尤政
周兆英
刘兴占
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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