期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
化学气相沉积法连续SiC纤维的研究现状和发展趋势 被引量:9
1
作者 刘翠霞 杨延清 +2 位作者 徐婷 马志军 陈彦 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期35-37,40,共4页
综述了采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究进展,介绍了国内外化学气相沉积法制备的大直径、致密和均匀的SiC纤维的制备装置、制备工艺、性能、微观组织以及表面处理等热点研究方向,讨论了SiC纤维的制备工艺、性能和微观组织之间... 综述了采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究进展,介绍了国内外化学气相沉积法制备的大直径、致密和均匀的SiC纤维的制备装置、制备工艺、性能、微观组织以及表面处理等热点研究方向,讨论了SiC纤维的制备工艺、性能和微观组织之间的关系以及利用表面处理如何弥补SiC纤维的缺陷,指出了今后采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究重点和发展趋势。 展开更多
关键词 化学气相沉积 sic纤维 制备技术
下载PDF
SiC薄膜的制备及其光敏特性 被引量:1
2
作者 赵武 邓周虎 +1 位作者 闫军锋 张志勇 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S1期37-40,共4页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷、硅烷和氢气为反应气体在单晶硅衬底上沉积碳化硅(SiC)薄膜材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)对SiC薄膜的晶体结构进行测试分析.利用原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌进... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷、硅烷和氢气为反应气体在单晶硅衬底上沉积碳化硅(SiC)薄膜材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)对SiC薄膜的晶体结构进行测试分析.利用原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌进行分析.对该薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏特性测试,结果表明:该薄膜为SiC薄膜且对不同波长、不同功率的光有一定的敏感特性,较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致,在高温光敏器件领域具有很大的应用潜力. 展开更多
关键词 碳化硅薄膜 热丝化学气相沉积 光敏特性
下载PDF
涂层对CVD法SiC纤维拉伸断裂行为的影响
3
作者 刘翠霞 杨延清 罗贤 《西安工业大学学报》 CAS 2012年第12期1004-1008,共5页
针对SiC纤维的表面缺陷引起的低强度断裂问题,采用CVD技术对SiC纤维进行了C涂层.利用了XRD和SEM分别对无C涂层SiC纤维和C涂层SiC纤维的晶体结构和表面形貌进行了表征,对比了其抗拉强度.结果表明SiC由β?SiC晶体组成,在(111)晶面方向上... 针对SiC纤维的表面缺陷引起的低强度断裂问题,采用CVD技术对SiC纤维进行了C涂层.利用了XRD和SEM分别对无C涂层SiC纤维和C涂层SiC纤维的晶体结构和表面形貌进行了表征,对比了其抗拉强度.结果表明SiC由β?SiC晶体组成,在(111)晶面方向上择优生长.涂C后SiC纤维表面光滑致密,表面缺陷较少,有效地降低了表面缺陷深度a值;涂C后SiC纤维的拉伸强度比无C涂层的抗拉强度增加了620MPa.因此,C涂层可以降低SiC纤维的表面缺陷,从而使SiC纤维的抗拉强度增加到2870MPa. 展开更多
关键词 sic纤维 化学气相沉积法 C涂层 抗拉强度
下载PDF
CVDSiC纤维的组分与强度
4
作者 郑敏 张蓬洲 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期23-26,共4页
采用射频CVD法制备出连续SiC(W)纤维。利用XPS分析手段研究了纤维的元素组成及形态与强度的关系。结果表明,纤维中的杂质特别是自由Si的存在对纤维抗拉强度有很大影响。
关键词 化学气相沉积 抗拉强度 碳化硅纤维
下载PDF
模具零件表面涂层技术的研究 被引量:3
5
作者 张禹 张钧 +2 位作者 王晓阳 罗联嘉 王志强 《模具工业》 2023年第3期1-7,共7页
介绍了表面涂层技术对于模具质量与使用寿命的影响及作用,概述了热喷涂、CVD、PVD、电镀、化学镀以及激光熔覆等常用表面涂层技术在模具零件制造中的应用,从复合涂层与纳米涂层等方面对表面涂层新技术的发展方向作了展望,最后总结表面... 介绍了表面涂层技术对于模具质量与使用寿命的影响及作用,概述了热喷涂、CVD、PVD、电镀、化学镀以及激光熔覆等常用表面涂层技术在模具零件制造中的应用,从复合涂层与纳米涂层等方面对表面涂层新技术的发展方向作了展望,最后总结表面涂层技术对提高模具零件制造水平的重要意义及其拥有的广阔市场前景。 展开更多
关键词 模具制造 涂层技术 发展方向 热喷涂 化学气相沉积
下载PDF
热丝化学气相沉积法低温制备纳米晶态碳化硅薄膜(英文) 被引量:1
6
作者 于威 孙运涛 +2 位作者 郑志远 韩理 傅广生 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期795-798,共4页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL特性进行了分析和表征。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的薄膜是由镶嵌于非晶SiC网络中的晶态纳米SiC构成。纳米晶粒平均尺寸约为6nm。室温下用HeCr激光激发样品,观察到薄膜发出波长位于400~550nm范围内可见光辐射。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 纳米晶态 碳化硅薄膜 晶体结构 表面形貌 PL特性
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部