基于晶圆级技术的PBGA电路设计与验证

晶圆级封装技术可实现多芯片互连,但在封装尺寸、叠层数和封装良率等方面的问题限制了其在电路小型化进程中的发展。以一款扇出型晶圆级封装电路为例,基于先进封装技术,采用软件设计和仿真优化方式,结合封装经验和实际应用场景,通过重布线和芯片倒装的方式互连,完成了有机基板封装设计与制造,实现了该电路低成本和批量化生产的目标。本产品的设计思路和制造流程可为其他硬件电路微型化开发提供参考。

高精度倒装焊机的光学对位系统

红外焦平面探测器芯片的像元阵列规模不断扩大,像元尺寸不断减小,与读出电路基板的精确互连变得愈加困难,对用于互连工艺核心设备倒装焊机提出了更高的要求。为实现探测器芯片与读出电路基板的精确互连,通过分析倒装焊接工艺的流程,得出芯片与基板的调平和对准是关键环节。介绍了倒装焊机光学对位系统的组成,并对其准直光路系统、显微成像系统、激光测距系统进行了研究。

倒装芯片各向异性导电胶互连的剪切结合强度

采用冲击试验方法研究了各向异性导电胶膜 (ACF)互连的玻璃和柔性基板上倒装芯片 (COG和 COF)的剪切结合强度 .结果表明 :COF比 COG的剪切强度高 .ACF的固化程度达 85 %时有最大的结合强度 .键合温度、导电颗粒状态、缺陷等因素对 ACF互连的结合强度有较大影响 ,而键合压力的影响不大 .

高频响MEMS压力传感器设计与制备

高频响MEMS压力传感器,常用于各项高速冲击波动态测试,能够完整地呈现和评估测试当场下的动态效果。高频高压高温芯片的加工与刚性封装外壳是高频响MEMS压力传感器的研究难点。文中通过设计仿真、工艺加工试验及封装测试,设计加工出一种齐平式倒装封装的高频响MEMS压力传感器。完成220℃的温度-压力复合场动态性能测试,补偿后的传感器精度可达±1.5%FS,频响可达375.2 kHz。

一种高温压阻式压力传感器的制备与倒装焊接

通过高温烧结技术得到了总体尺寸为15 mm×15 mm×0.6 mm的低温共烧陶瓷（LTCC）转接基板,并通过丝网印刷方式将转接焊盘的图形转移到经过高温烧结的LTCC转接基板上,形成金凸点和互连线图形;同时利用MEMS工艺中的刻蚀、氧化、金属蒸发和静电键合等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,最后通过采用各向异性导电胶的装配方式将高温压力敏感芯片倒装焊接到氧化铝陶瓷基板上,对倒装封装的敏感芯片进行高温下的加压测试。高温压力测试结果表明,在220℃的高温环境下,0~600 kPa的测试压力范围内,传感器的输出电压-外部气压曲线呈现出良好的线性特征,线性范围大且迟滞性小,可望用于220℃恶劣环境下的压力测量。

MEMS封装技术

MEMS封装是在微电子封装技术基础上发展起来的一项关键的MEMS技术.首先提出了MEMS封装设计的一些基本要求,包括封装等级、封装成本、环境影响、接口问题、外壳设计以及热设计等方面.在此基础上,介绍了键合技术、倒装芯片技术、多芯片封装以及3D封装等几种重要的MEMS封装技术,并给出了一个封装实例,最后进一步探讨了MEMS封装的发展趋势及研究动向。

MEMS封装技术

介绍了微机电(MEMS)封装技术,包括晶片级封装、单芯片封装和多芯片封装、模块式封装与倒装焊3种很有前景的封装技术。指出了MEMS封装的几个可靠性问题,最后,对MEMS封装的发展趋势作了分析。

热超声倒装键合中基于视觉的芯片高精度定位控制

针对自行研制的热超声倒装芯片键合机,建立了基于视觉的芯片定位控制系统,运用图像识别及处理算法对芯片的位置进行实时检测,并结合PID控制方法实现了平台的精确位置控制。实验结果表明,基于视觉的芯片定位控制系统能很好地完成芯片与基板的高精度键合定位。

高压倒装LED照明组件的热性能

高压(HV)倒装LED是一种新型的光源器件,在小尺寸、高功率密度发光光源领域有广泛的应用前景。设计了4种不同工作电压的高压倒装LED芯片,进行了流片验证,并对其进行了免封装芯片(PFC)结构的封装实验,在其基础上研制出一种基于高压倒装芯片的PFCLED照明组件。建立了9 V高压倒装LED芯片、PFC封装器件及照明组件的模型,利用流体力学分析软件进行了热学模拟和优化设计;利用T3Ster热阻测试分析仪进行了热阻测试,验证了设计的可行性。结果表明,基于9 V高压倒装LED芯片的PFC封装器件的热阻约为0.342 K/W,远小于普通正装LED器件的热阻。实验结果为基于高压倒装LED芯片的封装及应用提供了热学设计依据。

MEMS传感器的封装

首先通过对MEMS封装所面临的挑战进行分析,提出了MEMS封装所需要考虑的一些问题。然后从芯片级、晶片级和系统级三个方面详细介绍了倒装焊、BGA、WLP、MCM和3D封装等先进的封装技术,并给出了一些应用这些封装方式对MEMS系统封装的实例。最后对MEMS和MEMS封装的走向进行了展望,并对全集成MEMS系统的封装进行了一些探讨。

用于倒装芯片的晶片凸点制作工艺研究

倒装芯片在电子封装互连中占有越来越多的份额,是一种必然的发展趋势,所以对倒装芯片技术的研究变得非常重要。倒装芯片凸点的形成是其工艺过程的关键。现有的凸点制作方法主要有蒸镀焊料凸点、电镀凸点、微球装配方法、焊料转送、在没有UBM的铅焊盘上做金球凸点、使用金做晶片上的凸点、使用镍-金做晶片的凸点等。每种方法都各有其优缺点,适用于不同的工艺要求。介绍了芯片倒装焊基本的焊球类型、制作方法及各自的特点,总结了凸点制作应注意的问题。

微机电系统的封装技术

MEMS封装是在微电子封装技术基础上发展起来的一项关键的MEMS技术。介绍了MEMS封装技术的功能、特点与分类。在此基础上,重点介绍了键合技术、上下球栅阵列技术、倒装芯片技术、多芯片技术以及3-D技术等几种重要的MEMS封装技术。最后,进一步探讨了MEMS封装的发展趋势及研究方向。

高可靠硅基MCM芯片凸点技术研究

介绍了采用芯片凸点和倒装焊技术(FCB)的MCM-Si工艺,重点研究了凸点下金属化(UBM)结构设计对电路可靠性的影响;通过再流焊和可靠性试验,以及凸点拉脱力测试,进行了可靠性评价。采用该工艺制作的电路已达到《混合集成电路通用规范》(GJB2438A-2002)可靠性等级的H级。

VCSEL技术及其在光互连中的应用

垂直腔表面发射激光器(VCSELs)是并行光互连、高速光交换系统中最合适的光源。它具有易耦合、易封装和测试的优点。由于其独特的性能,可以较为方便地制作二维激光器阵列。基于VCSEL阵列的光电混合集成及并行光互连是当前的研究热点。本文介绍了VCSEL基本结构及设计中的关键技术,并对VCSEL在光互连中的应用进行了研究。

先进芯片封装技术

微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发。本文主要介绍了几种新型芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。

芯片级的封装技术——参加“先进的封装技术研讨会”评述

结合参加“先进封装技术研讨会”的情况和分发给与会代表的资料 ,介绍了芯片级的封装技术的现状及发展趋势。

先进芯片封装技术

微电子技术的飞速发展推动了新型芯片封装技术的研究和开发。本文主要介绍了几种新型芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。

倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景

本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。

先进芯片封装技术

微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发。本文主要介绍了几种新型芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。

柔性电子封装技术研究进展与展望

柔性电子以其独特的柔性/延展性,在信息、能源、医疗与国防等领域具有广泛的应用前景。而柔性电子技术的可弯曲及可延展特性对其封装技术提出了更高要求。以柔性电子封装技术为重点,综述柔性电子制造中的特殊工艺制程,包括倒装芯片技术和CIF(Chip in Flex)封装技术的研究进展,并展望柔性电子中封装技术的发展趋势。