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BTNT系陶瓷的微波特性研究
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作者 田宏敏 谢道华 +2 位作者 张昊 刑晓东 高伟 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第5期392-394,共3页
研究了 Ba O- Ti O2 - Nd2 O3- Ta2 O5(BTNT)系陶瓷材料的结构和微波特性。实验结果证明 :五种组分的BTNT系材料具有钨青铜结构 ,用此类材料研制的微波单片陶瓷电容器 (SL C)具有良好的高频和微波特性。
关键词 BTNT系陶瓷 微波特性 微波单片陶瓷电容器 等效串联电阻 钨青铜结构 SLC
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用于微波电路的单层片式晶界层电容器 被引量:3
2
作者 程超 蔡杨 +2 位作者 杨俊峰 冯毅龙 赵海飞 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第B08期112-115,共4页
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(≤±4.7%~≤±22%)... 研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(≤±4.7%~≤±22%),使用温域宽(-55℃~+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。 展开更多
关键词 单层片式电容器 晶界层 介电系数 温度特性 系列产品
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表面层型半导体陶瓷电容器 被引量:1
3
作者 王振平 赵俊斌 +1 位作者 李勇 章士瀛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第5期13-16,共4页
对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。
关键词 表面层型 半导体陶瓷电容器 烧结 再氧化
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新型片式元器件在通信领域中的应用与发展 被引量:3
4
作者 张勇 《半导体杂志》 2000年第2期37-42,共6页
首先指出了电信产业的发展得益于电子元器件的发展 ,进而分析了元器件的发展历史 ,重点分析了在现今元器件中占主流的片式元器件的特点、应用及其发展方向 ,最后结合当今的信息与通信技术指出 :现代通信与信息技术的飞速发展促进了片式... 首先指出了电信产业的发展得益于电子元器件的发展 ,进而分析了元器件的发展历史 ,重点分析了在现今元器件中占主流的片式元器件的特点、应用及其发展方向 ,最后结合当今的信息与通信技术指出 :现代通信与信息技术的飞速发展促进了片式元器件的微型化、复合化 ,新型片式元件的出现和改进反过来进一步促进了新型移动通信和便携式信息终端的轻簿短小和升级换代。 展开更多
关键词 电子元器件 片式元器件 移动通信
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生坯研磨工艺在MLCC制作过程中的应用 被引量:2
5
作者 刘新 彭自冲 李筱瑜 《电子工艺技术》 2013年第6期367-370,共4页
采用新开发出的一种多层片式陶瓷电容器(MLCC)生坯研磨工艺,对现有MLCC加工流程再造,解决现有烧成后芯片研磨工艺对芯片造成内部损伤,导致MLCC芯片内部分层,保护层开裂及芯片棱角崩瓷等影响产品质量的问题,同时对MLCC的加工过程进行简化... 采用新开发出的一种多层片式陶瓷电容器(MLCC)生坯研磨工艺,对现有MLCC加工流程再造,解决现有烧成后芯片研磨工艺对芯片造成内部损伤,导致MLCC芯片内部分层,保护层开裂及芯片棱角崩瓷等影响产品质量的问题,同时对MLCC的加工过程进行简化,缩短加工周期。 展开更多
关键词 多层陶瓷电容器(MLCC) 生坯 研磨 分层
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单层陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法研究 被引量:2
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作者 陆亨 周锋 +2 位作者 刘新 宋子峰 祝忠勇 《电子工艺技术》 2014年第3期164-166,共3页
为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的... 为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的升温速率进行烧结,得到的基片平整度高,制得的单层陶瓷电容器电性能好。 展开更多
关键词 单层陶瓷电容器 陶瓷基片 烧制方法 平整 翘曲 升温速率展
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CCF片式塑封型交流瓷介电容器
7
作者 罗世勇 赵俊斌 章士瀛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期17-19,共3页
多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(... 多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。 展开更多
关键词 CCF 单层片式交流瓷介电容器 带状连体引线 塑封
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单层片式瓷介电容器电镀金工艺
8
作者 温占福 罗彦军 +1 位作者 聂开付 汤清 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第7期37-42,共6页
介绍了单层片式瓷介电容器镀金设备的选择和挂具的设计要点。采用中性微氰镀金溶液电镀金,研究了Au^(+)质量浓度对电镀金允许电流密度范围的影响,以及脉冲参数对镀层表面粗糙度的影响。建议在实际生产中控制参数如下:Au^(+)质量浓度约7 ... 介绍了单层片式瓷介电容器镀金设备的选择和挂具的设计要点。采用中性微氰镀金溶液电镀金,研究了Au^(+)质量浓度对电镀金允许电流密度范围的影响,以及脉冲参数对镀层表面粗糙度的影响。建议在实际生产中控制参数如下:Au^(+)质量浓度约7 g/L,平均电流密度0.3~0.4 A/dm^(2),频率2000 Hz,占空比20%。介绍了镀液的维护要点,以及镀金层的外观、结合力、厚度、键合强度等性能的要求和检测方法。 展开更多
关键词 单层片式瓷介电容器 电镀金 设备 工艺参数 性能检测
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CCH型片式高压陶瓷电容器
9
作者 章士瀛 王艳 +3 位作者 罗世勇 王守士 王振平 李言 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期10-11,13,共3页
MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线... MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。 展开更多
关键词 片式高压单层陶瓷电容器 带状连体引线 模塑封装 小容量规格
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单层陶瓷介质基片烧结技术研究
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作者 李少奎 黄俭帮 +1 位作者 李水艳 曹志学 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第4期4-6,共3页
单层片式瓷介电容器产业化对制备该系列产品所需的陶瓷介质基片提出了很高的质量要求,要求陶瓷介质基片(长度×宽度×厚度=(25~50)mm×(25~50)mm×(0.1~0.3)mm)厚度均匀(五点测试,偏差≤0.01 mm)、表面平整... 单层片式瓷介电容器产业化对制备该系列产品所需的陶瓷介质基片提出了很高的质量要求,要求陶瓷介质基片(长度×宽度×厚度=(25~50)mm×(25~50)mm×(0.1~0.3)mm)厚度均匀(五点测试,偏差≤0.01 mm)、表面平整(翘曲度≤0.05 mm/25 mm)、表面光洁、无凹坑和无杂质等缺陷。通过采用"垫片负重"、"生坯垒烧"和"生坯垒烧+垫片负重"烧结方式进行陶瓷介质基片的烧结试验,然后对不同烧结方式制备的介质基片表面质量进行分析和评价。结果表明:采用"生片垒烧+垫片负重"烧结方式制备出尺寸为40 mm×40 mm×0.25 mm的介质基片,其厚度均匀(最大偏差为0.003 mm)、表面平整(翘曲度≤0.05 mm/25 mm),陶瓷介质基片满足单层片式瓷介电容器后续工序对其表面质量的要求。 展开更多
关键词 瓷介电容器 单层片式 陶瓷介质基片 烧结 生坯垒烧 垫片负重 翘曲度
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CCF型片式塑封交流瓷介电容器
11
作者 章士瀛 王艳 +1 位作者 罗世勇 王守士 《电子元器件应用》 2005年第4期33-36,共4页
用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连... 用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连体引线,将切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器,该产品比ML-CC交流瓷介电容器的制造更容易,可靠性更高,且适用于表面贴装。 展开更多
关键词 片式塑封交流瓷介电容器 带状连体引线 模塑封装 元件
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