期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
纳电子学与神经形态芯片的新进展
被引量:
3
1
作者
赵正平
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第1期1-5,共5页
综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现状,包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)的发展、10 nm节点的技术突破、7 nm和5 nm节点的前瞻性技术研究以及...
综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现状,包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)的发展、10 nm节点的技术突破、7 nm和5 nm节点的前瞻性技术研究以及三类后互补金属氧化物半导体(CMOS)器件(自旋电子器件、隧穿FET和碳纳米管栅的二维半导体Mo S2晶体管)的探索性研究,指出摩尔定律将沿着加强栅对沟道电子的控制(三栅和环栅)、更换高迁移率材料和采用新机理等技术路线继续前行。在神经形态芯片领域,综述并分析了神经形态芯片的发展历程、"真北"类脑芯片的技术创新和应用、当今嵌入式神经处理器的四个发展特点和采用新器件提高能量效率的探索。采用纳电子技术的神经形态芯片的发展将成为未来智能时代发展的基础。
展开更多
关键词
纳电子学
鳍式场效应晶体管(FinFET)
10
nm互补金属氧化物半导体(CMOS)
纳米线晶体管
自旋电子学
碳纳米管栅
神经形态芯片
类脑芯片
神经形态处理器
忆阻器
下载PDF
职称材料
题名
纳电子学与神经形态芯片的新进展
被引量:
3
1
作者
赵正平
机构
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第1期1-5,共5页
文摘
综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现状,包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)的发展、10 nm节点的技术突破、7 nm和5 nm节点的前瞻性技术研究以及三类后互补金属氧化物半导体(CMOS)器件(自旋电子器件、隧穿FET和碳纳米管栅的二维半导体Mo S2晶体管)的探索性研究,指出摩尔定律将沿着加强栅对沟道电子的控制(三栅和环栅)、更换高迁移率材料和采用新机理等技术路线继续前行。在神经形态芯片领域,综述并分析了神经形态芯片的发展历程、"真北"类脑芯片的技术创新和应用、当今嵌入式神经处理器的四个发展特点和采用新器件提高能量效率的探索。采用纳电子技术的神经形态芯片的发展将成为未来智能时代发展的基础。
关键词
纳电子学
鳍式场效应晶体管(FinFET)
10
nm互补金属氧化物半导体(CMOS)
纳米线晶体管
自旋电子学
碳纳米管栅
神经形态芯片
类脑芯片
神经形态处理器
忆阻器
Keywords
nanoelectronics
Fin field-effect transistor(FinFET)
10 nm complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)
nanowire transistor
spintronics
carbon nanotube gate
neuromorphic
chip
class brain chip
neuromorphic processor
memristor
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳电子学与神经形态芯片的新进展
赵正平
《微纳电子技术》
北大核心
2018
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部