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Electronic structures and optical properties of Si-and Sn-doped β-Ga_2O_3: A GGA+U study 被引量:1
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作者 党俊宁 郑树文 +1 位作者 陈浪 郑涛 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期502-510,共9页
The electronic structures and optical properties of β-Ga_2O_3 and Si-and Sn-doped β-Ga_2O_3 are studied using the GGA + U method based on density functional theory. The calculated bandgap and Ga 3d-state peak of β-... The electronic structures and optical properties of β-Ga_2O_3 and Si-and Sn-doped β-Ga_2O_3 are studied using the GGA + U method based on density functional theory. The calculated bandgap and Ga 3d-state peak of β-Ga_2O_3 are in good agreement with experimental results. Si-and Sn-doped β-Ga_2O_3 tend to form under O-poor conditions, and the formation energy of Si-doped β-Ga_2O_3 is larger than that of Sn-doped β-Ga_2O_3 because of the large bond length variation between Ga–O and Si–O. Si-and Sn-doped β-Ga_2O_3 have wider optical gaps than β-Ga_2O_3, due to the Burstein–Moss effect and the bandgap renormalization effect. Si-doped β-Ga_2O_3 shows better electron conductivity and a higher optical absorption edge than Sn-doped β-Ga_2O_3, so Si is more suitable as a dopant of n-type β-Ga_2O_3, which can be applied in deep-UV photoelectric devices. 展开更多
关键词 density functional theory GGA %PLuS% u method Si-doped β-Ga2O3 Sn-doped β-Ga2O3 electronic structure optical property
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Visible light absorption of(Fe,C/N)co-doped NaTaO3:DFT+U
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作者 田鹏莉 姜振益 +3 位作者 张小东 周波 董亚茹 刘睿 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第8期376-382,共7页
The effects of Fe-C/N co-doping on the electronic and optical properties of NaTaO3 are studied with density func- tional theory. Our calculations indicate that mono-doped and co-doped sodium tantalate are both thermod... The effects of Fe-C/N co-doping on the electronic and optical properties of NaTaO3 are studied with density func- tional theory. Our calculations indicate that mono-doped and co-doped sodium tantalate are both thermodynamically stable. The co-doping sodium tantalate can reduce the energy band gap to a greater degree due to the synergistic effects of Fe and C (N) atoms than mono-doping sodium tantalate, and has a larger optical absorption of the whole visible spectrum. The band alignments for the doped NaTaO3 are well positioned for the feasibility of hydrogen production by water splitting. The Fe--C co-doping can enhance the absorption of the visible light and its photocatalytic activity more than Fe-N co-doping due to the different locations of impurity energy levels originating from their p-d hybridization effect. 展开更多
关键词 codoping dft+u method electronic structure optical properties
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GGA+U方法研究不同浓度镧(La)与氮(N)掺杂纤锌矿ZnO的光学性质 被引量:1
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作者 刘桂安 王少霞 +4 位作者 赵旭才 雷博程 夏桐 黄以能 张丽丽 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第6期1037-1044,共8页
本文运用基于密度泛函理论的GGA+U方法,计算了纯ZnO体系,La、N单掺ZnO体系及Zn1-xLaxO0.875N0.125(x=0.125,0.25,0.375)三个共掺体系的电子结构和光学性质.计算结果表明,共掺体系中随着La浓度的增加,掺杂后体系的禁带宽度变小,电子跃迁... 本文运用基于密度泛函理论的GGA+U方法,计算了纯ZnO体系,La、N单掺ZnO体系及Zn1-xLaxO0.875N0.125(x=0.125,0.25,0.375)三个共掺体系的电子结构和光学性质.计算结果表明,共掺体系中随着La浓度的增加,掺杂后体系的禁带宽度变小,电子跃迁所需能量减小,晶格畸变程度增大,有利于阻碍光生空穴和电子对的复合,吸收光谱吸收带边红移程度越来明显,覆盖了整个可见光区域.这些特征非常有利地说明共掺体系随La浓度的增加,其光催化功能和电学性能也在提升. 展开更多
关键词 GGA%PLuS%u方法 电子结构 光学性质 纤锌矿ZnO
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基于GGA+Ud+Up方法的不同形貌TiO2电子结构性质研究
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作者 王松林 任君 李永祥 《中北大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第6期532-537,共6页
应用密度泛函理论GGA+Ud+Up方法,同时考虑TiO2中Ti 3d轨道和氧2p轨道的在位库仑修正以消除传统方法GGA或LDA中固有的自相互作用误差,研究了四种晶型TiO2(Rutile,Anatase,Brookite,TiO2(B))光催化剂的电子结构性质.对于Rutile,Anatase和B... 应用密度泛函理论GGA+Ud+Up方法,同时考虑TiO2中Ti 3d轨道和氧2p轨道的在位库仑修正以消除传统方法GGA或LDA中固有的自相互作用误差,研究了四种晶型TiO2(Rutile,Anatase,Brookite,TiO2(B))光催化剂的电子结构性质.对于Rutile,Anatase和Brookite,设定Ud=8eV,Up分别为6eV,4eV,4eV,计算得到的带隙值与实验值非常接近;而对于TiO2(B),Ud=4eV,Up=4eV时,计算得到的带隙值与实验值吻合较好.研究结果表明,在应用DFT+U方法时,同时考察氧p轨道电子的U值贡献时能获得更合理的结果.另外,计算了它们的电子和空穴的有效质量,比较而言,光激发载流子的迁移速率顺序为Anatase>Rutile>Brookite>TiO2(B),这与实验上Anatase光催化反应性能最优相一致. 展开更多
关键词 TIO2 密度泛函dft%PLuS%u方法 电子结构性质
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Se和Cd掺杂GaN电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量:4
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作者 马磊 刘晨曦 +3 位作者 潘多桥 雷博程 赵旭才 张丽丽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期149-156,共8页
基于密度泛函理论的第一性原理,使用GGA+U方法分别计算Se和Cd单掺与共掺杂GaN体系的晶格常数、电子结构及光学性质。结果表明:与本征GaN相比,掺杂后体系的晶格常数发生了改变,禁带宽度减小,吸收光谱均发生红移,表明掺杂使体系的光谱响... 基于密度泛函理论的第一性原理,使用GGA+U方法分别计算Se和Cd单掺与共掺杂GaN体系的晶格常数、电子结构及光学性质。结果表明:与本征GaN相比,掺杂后体系的晶格常数发生了改变,禁带宽度减小,吸收光谱均发生红移,表明掺杂使体系的光谱响应范围得到更大拓展。其中,Cd单掺GaN体系的禁带宽度最小,并在费米能级附近有杂质能级出现,说明该体系电子跃迁所需的能量最少。该体系在可见光范围内吸收系数最大,且红外现象最为明显,可推测出Cd-GaN体系的光催化性能最好,可为降解污染物提供更多的选择。 展开更多
关键词 GGA%PLuS%u方法 电子结构 光学性质 光催化 GAN
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