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Lithium intercalation/de-intercalation behavior of a composite Sn/C thin film fabricated by magnetron sputtering 被引量:8
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作者 ZHAO Lingzhi HU Shejun +2 位作者 LI Weishan LI Liming HOU Xianhua 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第5期507-512,共6页
A tin film of 320 nm in thickness on Cu foil and its composite film with graphite of-50 nm in thickness on it were fabricated by magnetron sputtering. The surface morphology, composition, surface distributions of allo... A tin film of 320 nm in thickness on Cu foil and its composite film with graphite of-50 nm in thickness on it were fabricated by magnetron sputtering. The surface morphology, composition, surface distributions of alloy elements, and lithium intercalation/de-intercalation behaviors of the fabricated films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), electron probe microanalyzer (EPMA), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP), cyclic voltammetry (CV), and galvanostatic charge/discharge (GC) measurements. It is found that the lithium intercalation/de-intercalation behavior of the Sn film can be significantly improved by its composite with graphite. With cycling, the discharge capacity of the Sn film without composite changes from 570 mAh/g of the 2nd cycle to 270 mAh/g of the 20th cycle, and its efficiency for the discharge and charge is between 90% and 95%. Nevertheless, the discharge capacity of the composite Sn/C film changes from 575 mAh/g of the 2nd cycle to 515 mAh/g of the 20th cycle, and its efficiency for the discharge and charge is between 95% and 100%. The performance improvement of tin by its composite with graphite is ascribed to the retardation of the bulk tin cracking from volume change during lithium intercalation and de-intercalation, which leads to the pulverization of tin. 展开更多
关键词 lithium-ion battery ANODE magnetron sputtering composite film lithium intercalation/de-intercalation
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Properties of TiO_2 Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering 被引量:7
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作者 WenjieZHANG YingLI 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期101-107,共7页
关键词 TiO2 thin film magnetron sputtering deposition process composite film.
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Preparation of PZT Thin Films by Magnetron Sputtering With Metal and Metal Oxide Composite Target
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作者 Zhou Zhengguo Tang Xianmin +1 位作者 Li Jiangpeng Zhang Yu (Department of Physics, Wuhan University,Wuhan 430072,China) 《Wuhan University Journal of Natural Sciences》 CAS 1996年第1期49-52,共4页
This article mainly deals with the preparation and properties of PZTthin films. A new type of Metal-Me tal Oxide composite target was developed. Relating factors have been discussed. The electrical and optical propert... This article mainly deals with the preparation and properties of PZTthin films. A new type of Metal-Me tal Oxide composite target was developed. Relating factors have been discussed. The electrical and optical properties of PZT thin films have also been studied. 展开更多
关键词 composite target pzt thin film magnetron sputtering
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Preparation and Characterization of Nano-Particles PZT Ferroelectric Thin Films by RF-Magnetron Sputtering 被引量:1
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作者 樊攀峰 张之圣 +1 位作者 胡明 刘志刚 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2006年第2期96-99,共4页
Pt/Ti 底部电极被 magnetrondual-facing-target 劈啪作响系统在 SiO_2/Si 底层上制作。铅锆酸盐泰坦吃了(PZT ) 薄电影是由无线电的扔的 onPt/Ti/ SiO_2/Si 底层频率(RF ) 磁控管劈啪作响系统。为 5 h 被扔的 PZTthin 电影的厚度是大约... Pt/Ti 底部电极被 magnetrondual-facing-target 劈啪作响系统在 SiO_2/Si 底层上制作。铅锆酸盐泰坦吃了(PZT ) 薄电影是由无线电的扔的 onPt/Ti/ SiO_2/Si 底层频率(RF ) 磁控管劈啪作响系统。为 5 h 被扔的 PZTthin 电影的厚度是大约 800 nm。PZT 薄电影在 700 deg C 为 20 min 在 Ar 环境和 rapid-thermal-annealed 扔了的 XRD 系列表演有好结晶化行为和 perovskite 结构。雏晶的吝啬的直径是 70 nm 和表面的 AFM 显微图表演 PZT 薄电影组织一致、稠密。未加工的平均数,根平均数平方粗糙和 PZT 薄电影的吝啬的粗糙是 34.357 nm, 2.479 nm 并且 1.954 nmrespectively。因为测试频率是 1 kHz, PZT 薄电影经常的电介质是 327.6。Electrichysteresis 循环显示出那强制的地力量,剩余极化力量和 PZT 薄电影的自发的极化力量分别地是 50 kV/cm, 10 muC/cm^2 和 13 muC/cm^2。 展开更多
关键词 pzt 铁电薄膜 制备 表征 磁控反应溅射 钙钛矿 滞电环 纳米粒子
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Deposition of Phase-pure Cr2AlC Coating by DC Magnetron Sputtering and Post Annealing Using Cr-Al-C Targets with Controlled Elemental Composition but Different Phase Compositions 被引量:4
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作者 Yueming Li Guorui Zhao +2 位作者 Yuhai Qian Jingjun xu Meishuan Li 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第3期466-471,共6页
Polycrystalline Cr2AlC coatings were prepared on M38G superalloy using a two-step method consisting of magnetron sputtering from Cr-Al-C composite targets at room temperature and subsequent annealing at 620 ℃. Partic... Polycrystalline Cr2AlC coatings were prepared on M38G superalloy using a two-step method consisting of magnetron sputtering from Cr-Al-C composite targets at room temperature and subsequent annealing at 620 ℃. Particularly, various targets synthesized by hot pressing mixture of Cr, Al, and C powders at 650-1000 ℃ were used. It was found that regardless of the phase compositions and density of the com- posite targets, when the molar ratio of Cr:Al:C in the starting materials was 2:1:1, phase-pure crystalline Cr2AlC coatings were prepared by magnetron sputtering and post crystallization. The Cr2AIC coatings were dense and crack-free and had a duplex structure. The adhesion strength of the coating deposited on M38G superalloy from the 800 ℃ hot-pressed target and then annealed at 620 ℃ for 20 h in Ar exceeded 82 ± 6 MPa, while its hardness was 12 ± 3 GPa. 展开更多
关键词 Cr2AlC Coating magnetron sputtering composite target Heat treatment
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Characteristics of the Structure and Properties of ZnSnO3 Films by Varying the Magnetron Sputtering Parameters 被引量:2
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作者 Fa-Yu Wu Jian-Wei Li +3 位作者 Yi Qi Wu-Tong Ding Yuan-Yuan Guo Yan-Wen Zhou 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期827-833,共7页
Transparent conductive oxide ZnSnO3 films were prepared by radio-frequency magnetron sputtering from powder targets and were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction, transmission electron ... Transparent conductive oxide ZnSnO3 films were prepared by radio-frequency magnetron sputtering from powder targets and were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction, transmission electron microscopy, atomic force microscopy, surface profile, UV-Vis spectroscopy, and Hall effect. The structures of the films were either amorphous or nanocrystalline depending on sputtering parameters including deposition time, target power, chamber pressure, and the target-substrate separation. The average transmittance of the ZnSnO3 films within the visible wavelength was approximately 80% and the resistivity of the ZnSnO3 films was in the range of 10^-3-10^-4 Ω cm. The structural, optical, and electrical properties of the ZnSnO3 films could be adjusted and regulated by optimizing the sputtering process, allowing materials with specific properties to be designed. 展开更多
关键词 ZnSnO3 film Powder target magnetron sputtering Optical property Electrical property
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Influence of Negative Bias Voltage on the Mechanical and Tribological Properties of MoS_2/Zr Composite Films 被引量:1
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作者 宋文龙 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2011年第3期412-416,共5页
MoS2/Zr composite films were deposited on the cemented carbide YT14 (WC+14%TiC+6%Co) by medium-frequency magnetron sputtered and coupled with multi-arc ion plated techniques.The influence of negative bias voltage ... MoS2/Zr composite films were deposited on the cemented carbide YT14 (WC+14%TiC+6%Co) by medium-frequency magnetron sputtered and coupled with multi-arc ion plated techniques.The influence of negative bias voltage on the composite film properties,including adhesion strength,micro-hardness,thickness and tribological properties were investigated.The results showed that proper negative bias voltage could significantly improve the mechanical and tribological properties of composite films.The effects of negative bias voltage on film properties were also put forward.The optimal negative bias voltage was -200 V under this experiment conditions.The obtained composite films were dense,the adhesion strength was about 60 N,the thickness was about 2.4 μm,and the micro-hardness was about 9.0 GPa.The friction coefficient and wear rate was 0.12 and 2.1×10-7 cm3/N·m respectively after 60 m sliding operation against hardened steel under a load of 20 N and a sliding speed of 200 rev·min-1. 展开更多
关键词 medium-frequency magnetron sputtering multi-arc ion plating negative bias voltage MoS2/Zr composite films tribological properties
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ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究
8
作者 杨涛 陈彩明 +4 位作者 黄瑜佳 吴少平 徐华蕊 汪坤喆 朱归胜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1150-1159,共10页
随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)... 随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。 展开更多
关键词 ITO薄膜 磁控溅射 AgNWs 导电网络 复合薄膜 光电性能 溅射温度
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氮含量对Ti-B-C-N薄膜微观结构和性能的影响
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作者 陈向阳 张瑾 +1 位作者 马胜利 胡海霞 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期62-66,共5页
采用反应磁控溅射法在高速钢基体上制备氮原子分数分别为10.8%,15.6%,28.1%,36.4%的Ti-B-C-N薄膜,研究了氮含量对薄膜微观结构、硬度和摩擦磨损性能的影响。结果表明:Ti-B-C-N薄膜均由α-Fe和Ti(C,N)纳米晶组成,具有Ti(C,N)纳米晶镶嵌... 采用反应磁控溅射法在高速钢基体上制备氮原子分数分别为10.8%,15.6%,28.1%,36.4%的Ti-B-C-N薄膜,研究了氮含量对薄膜微观结构、硬度和摩擦磨损性能的影响。结果表明:Ti-B-C-N薄膜均由α-Fe和Ti(C,N)纳米晶组成,具有Ti(C,N)纳米晶镶嵌在非晶基体相中的纳米复合结构;随着氮含量增加,非晶相含量增加,Ti(C,N)纳米晶的含量和晶粒尺寸减小;随着氮含量增加,Ti-B-C-N薄膜的显微硬度增大,摩擦因数和磨损率均减小,表面磨痕变浅,磨损机制由剥落和微观犁削转变为微观抛光。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 Ti-B-C-N薄膜 纳米复合结构 硬度 摩擦磨损性能
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基于共溅射ZnO/SnO_(2)异质结薄膜的气体传感器研究
10
作者 孙士斌 张叶裕 +1 位作者 高晨阳 常雪婷 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第2期61-64,共4页
采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏... 采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏度以及更快的响应和恢复速度。ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器对乙醇具有较好的选择性,最低检测体积分数为1×10^(-6),最佳工作温度为250℃;对1×10^(-4)乙醇气体的灵敏度可达18.4,响应时间和恢复时间分别为10 s和19 s。 展开更多
关键词 磁控共溅射 ZnO/SnO_(2)异质结 复合薄膜 气体传感器
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C/Sn复合薄膜的磁控溅射制备及其作为锂离子电池负极材料的电化学性能
11
作者 闫共芹 时孟杰 +2 位作者 王欣琳 蓝春波 武桐 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期78-86,共9页
采用磁控溅射的方法在铜箔上制备了C/Sn复合薄膜并将其作为锂离子电池负极材料,研究了C/Sn复合薄膜中Sn质量分数对其电化学性能的影响。研究发现,随着复合薄膜中Sn质量分数的增加,其首圈放电比容量增加,在一定范围内增加Sn质量分数,首... 采用磁控溅射的方法在铜箔上制备了C/Sn复合薄膜并将其作为锂离子电池负极材料,研究了C/Sn复合薄膜中Sn质量分数对其电化学性能的影响。研究发现,随着复合薄膜中Sn质量分数的增加,其首圈放电比容量增加,在一定范围内增加Sn质量分数,首圈库仑效率增加,但当Sn质量分数过多时其库仑效率降低。Sn质量分数分别为89.20%、91.61%、93.85%、95.81%的四种复合薄膜,在电流密度为500 mA/g时的首圈放电比容量分别为1195.4、1372.97、1574.86、1642.30 mA·h/g,首圈库仑效率分别为86.84%、87.88%、94.06%、80.66%。循环200圈后,四种复合薄膜的比容量衰减率分别为0.70%、6.13%、11.32%、18.88%。研究结果表明,当复合薄膜中Sn质量分数为89.20%时,其具有最优的倍率性能和循环稳定性能,随着复合薄膜中Sn质量分数的增加,其倍率性能及循环稳定性变差。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 磁控溅射 C/Sn复合薄膜 电化学性能 循环稳定性
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RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征 被引量:4
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作者 李海燕 张之圣 +3 位作者 胡明 樊攀峰 王秀宇 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期325-327,共3页
采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下... 采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm2、13μC/cm2。 展开更多
关键词 锆钛酸铅薄膜 射频溅射 钙钛矿结构 电滞回线
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单晶PMnN-PZT铁电薄膜制备与表征 被引量:2
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作者 张涛 马宏伟 +2 位作者 张淑仪 李敏 赵省贵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1431-1433,共3页
利用磁控溅射方法,在MgO基底上沉积三元系铁电薄膜6%PMnN-94%PZT(6%Pb(Mn1/3,Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.45,Ti0.55)O3),采用淬火方法对薄膜进行后期热处理。分别运用面内和面外X射线衍射(XRD)技术分析薄膜长相及晶体结构,运用高分辨率扫描电镜... 利用磁控溅射方法,在MgO基底上沉积三元系铁电薄膜6%PMnN-94%PZT(6%Pb(Mn1/3,Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.45,Ti0.55)O3),采用淬火方法对薄膜进行后期热处理。分别运用面内和面外X射线衍射(XRD)技术分析薄膜长相及晶体结构,运用高分辨率扫描电镜(SEM)观察薄膜的晶粒表面及截面结构。实验结果表明,所沉积薄膜为单晶钙钛矿结构薄膜,薄膜结构优良。 展开更多
关键词 PMnN-pzt 单晶铁电薄膜 磁控溅射
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PZT/ZnO薄膜制备及其结构特性研究 被引量:1
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作者 陈祝 聂海 +1 位作者 杨成韬 杨邦朝 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2087-2091,共5页
利用固相反应制备的ZnO-Li2.2%陶瓷靶和RF射频磁控溅射技术在Si(100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD和电性能分析表明掺杂Li离子改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度对ZnO薄膜结构与取向的影响;然后采用sol-... 利用固相反应制备的ZnO-Li2.2%陶瓷靶和RF射频磁控溅射技术在Si(100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD和电性能分析表明掺杂Li离子改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度对ZnO薄膜结构与取向的影响;然后采用sol-gel前驱单体薄膜制备方法,以ZnO为过渡层淀积PZT薄膜,探讨高度c轴(002)择优取向ZnO薄膜对PZT薄膜结构与性能的影响,实验发现在PZT/ZnO异质结构中,致密、均匀和高度c轴择优取向的ZnO可作为晶核,促进PZT钙钛矿结构转化、晶粒(110)择优取向生长,相应降低PZT薄膜的退火温度。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 择优取向 pzt薄膜
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磁控溅射法制备PZT基SMA/PZT异质复合材料 被引量:2
15
作者 刘庆锁 吴小萍 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A01期428-431,共4页
采用直流磁控溅射法在PZT基体上溅射沉积NiTi SMA薄膜,而制备出PZT基NiTi SMA/PZT异质复合材料。研究了溅射工艺参数与晶化温度对NiTi SMA薄膜相组成及SMA/PZT异质复合材料膜/基间结合状态的影响规律。结果表明,为保障NiTi SMA薄膜的晶... 采用直流磁控溅射法在PZT基体上溅射沉积NiTi SMA薄膜,而制备出PZT基NiTi SMA/PZT异质复合材料。研究了溅射工艺参数与晶化温度对NiTi SMA薄膜相组成及SMA/PZT异质复合材料膜/基间结合状态的影响规律。结果表明,为保障NiTi SMA薄膜的晶体颗粒均匀、结构致密,膜/基间成分交换范围小及结合紧密,制备NiTi SMA/PZT异质复合材料的适宜工艺为:于基体温度150℃、氩气压强0.7Pa条件下溅射沉积NiTi SMA薄膜,再经600℃二次晶化处理。显微观察发现,NiTi SMA薄膜与PZT基体之间以化学方式,而非物理方式结合。 展开更多
关键词 磁控溅射法 晶化处理 显微结构 NITI SMA/pzt异质复合材料
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Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究
16
作者 钟琼丽 王绪 +1 位作者 马奎 杨发顺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1352-1360,共9页
近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)薄膜 AL掺杂 磁控溅射 Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构 光吸收 光学带隙
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Influence of Ti on Microstructure and Magnetic Properties of FePt Granular Films
17
作者 许佳玲 孙会元 +4 位作者 杨素娟 封顺珍 苏振访 胡骏 于红云 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期137-140,共4页
在室温下,应用对靶直流磁控溅射设备在普通玻璃基片上制备了FePt(30 nm)/Ti(t nm)颗粒膜样品,随后,在真空中进行了原位退火。详细研究了Ti衬底层对FePt颗粒膜的微结构和磁特性的影响。X射线衍射图谱表明样品形成了较有序的L10织构,Ti和... 在室温下,应用对靶直流磁控溅射设备在普通玻璃基片上制备了FePt(30 nm)/Ti(t nm)颗粒膜样品,随后,在真空中进行了原位退火。详细研究了Ti衬底层对FePt颗粒膜的微结构和磁特性的影响。X射线衍射图谱表明样品形成了较有序的L10织构,Ti和FePt形成了三元FePtTi合金。当Ti层厚度t=5 nm、退火温度Ta=500℃时,样品具有高度有序的L10织构、小的颗粒尺寸和优异的磁特性。矫顽力超过了6.7 kOe,饱和磁化强度为620emu/cc。并且具有较小的开关场分布。结果表明FePt/Ti颗粒膜系统可作为超高密度磁记录介质的候选者。 展开更多
关键词 FePt/Ti颗粒膜 对靶磁控溅射系统 磁记录介质
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组合靶共溅射沉积Cu-W复合薄膜的结构与性能
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作者 郭中正 闫万珺 +3 位作者 张殿喜 杨秀凡 蒋宪邦 周丹彤 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第4期38-45,共8页
用嵌入组合型靶材,采用磁控共溅射方法,在单晶硅和聚酰亚胺衬底上制备Cu-W复合薄膜。分别运用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和原子力显微镜对Cu-W复合薄膜的成份、结构及表面形貌进行分析表征。选用微小力测试系统、纳米压痕仪及四探... 用嵌入组合型靶材,采用磁控共溅射方法,在单晶硅和聚酰亚胺衬底上制备Cu-W复合薄膜。分别运用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和原子力显微镜对Cu-W复合薄膜的成份、结构及表面形貌进行分析表征。选用微小力测试系统、纳米压痕仪及四探针仪分别测试复合薄膜的屈服强度σ_(0.2)和裂纹萌生临界应变ε_(c)、显微硬度H及电阻率ρ。结果表明:可通过调整组合型靶材环状溅射刻蚀区内W靶所占的面积比,有效地调控复合薄膜的W含量。随W靶的面积占比从6%增至30%,Cu-W复合薄膜的W含量从2.6 at.%增至16.9 at.%。W在Cu中的固溶度延展,复合膜内存在面心立方(fcc)Cu(W)亚稳固溶体,随复合膜中W含量增加,W在Cu中的固溶度从1.7 at.%W增至10 at.%W,复合膜的平均晶粒从32 nm减小至16 nm,表面光洁度提高。W含量增加时,复合膜的屈服强度σ_(0.2)、显微硬度H及电阻率ρ增加,而裂纹萌生临界应变ε_(c)减小。 展开更多
关键词 组合靶 共溅射 Cu-W复合薄膜
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Fabrication and photoluminescence characteristics of nonuniform Yb-Er codoped films
19
作者 李成仁 雷明凯 +2 位作者 李淑凤 刘玉凤 宋昌烈 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第1期31-34,共4页
The nonuniform Yb-Er Codoped Al2O3 films were prepared on SiO2/Si substrates using a medium frequency magnetron sputtering system. Two asymmetry targets in the system were introduced to realize the nonuniform dopant. ... The nonuniform Yb-Er Codoped Al2O3 films were prepared on SiO2/Si substrates using a medium frequency magnetron sputtering system. Two asymmetry targets in the system were introduced to realize the nonuniform dopant. Some curves of Photoluminescence (PL) peak intensity were obtained by adjusting the deposition parameters, such as, the pillar number of erbium and ytterbium in the mixed target and the distance between a sample table and targets. Typically, the curve of PL peak intensity against the offset distance was approximately linear. The ratio of the PL intensity at the two ends of the same sample was 12.6 and the slope was 71.83/mm when the pillar numbers of the erbium and ytterbium in the mixed target are 5 and 60, respectively, and the distance between targets and the sample table is 2.9 cm. 展开更多
关键词 Yb-Er codoped nonuniform films the medium frequency magnetron sputtering system asymmetry targets photoluminescence spectra rare earths
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磁控共溅射W-Cu复合薄膜的工艺优化及性能研究
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作者 郭中正 闫万珺 +3 位作者 张殿喜 杨秀凡 蒋宪邦 周丹彤 《当代化工研究》 CAS 2024年第11期160-163,共4页
采用磁控共溅射沉积工艺,结合正交试验方法制备W-Cu复合薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)观察W-Cu复合薄膜表面形貌,能谱仪(EDS)分析复合薄膜成分。微小力测试系统、纳米压痕仪及四探针仪分别测试复合薄膜的屈服强度σ_(0.2)、裂纹萌生临界... 采用磁控共溅射沉积工艺,结合正交试验方法制备W-Cu复合薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)观察W-Cu复合薄膜表面形貌,能谱仪(EDS)分析复合薄膜成分。微小力测试系统、纳米压痕仪及四探针仪分别测试复合薄膜的屈服强度σ_(0.2)、裂纹萌生临界应变ε_(c)、显微硬度H及电阻率ρ。结果表明,靶功率密度PD、溅射气压P及靶基距D_(TS)这三个工艺参数影响W-Cu复合薄膜的成分、沉积率、微观结构及力学和电学性能。优化的工艺参数为:PD=10 W/cm^(2)、P=2 Pa、D_(TS)=150 mm。该工艺条件下制备的W-Cu复合薄膜中Cu含量为42.2%(原子分数),沉积率6.6 nm/min。其性能为σ_(0.2)=0.86 GPa,ε_(c)=0.62%,H=7.35 GPa,ρ=19.6μΩ·cm。该复合膜微观结构呈均质化特征,W和Cu组元分布均匀。 展开更多
关键词 磁控共溅射 W-Cu复合薄膜 工艺优化 性能
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