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界面改善对P(VDF-co-CTFE)/BST复合材料介电和储能性能影响
被引量:
4
1
作者
夏卫民
张志成
+1 位作者
陈源清
曹从军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第14期1894-1898,共5页
用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡(BaSrTiO3,BST)陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂(KH550)进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-co-CTFE))采用0-3方式进行...
用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡(BaSrTiO3,BST)陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂(KH550)进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-co-CTFE))采用0-3方式进行了复合。然后通过溶液流延法在石英片上制备了P(VDF-co-CTFE)/BaSrTiO3复合材料厚膜,并进行了淬火处理。采用XRD、TEM、TGA和SEM表征了纳米陶瓷和复合材料形貌。结果表明KH550可以有效地作用于高介电常数BST陶瓷颗粒表面。KH550处理后的复合材料具有更大的介电常数(εr>33),更高耐电场强度(Eb>270MV/m)和较低的损耗。界面处理同时可以有效提高复合材料的饱和极化强度(Ps),降低剩余极化强度(Pr),使其储能密度(Ue)达6.8J/cm3。总体结果表明,两相界面改善后的聚合物/陶瓷复合材料在高储能密度领域中具有广泛的应用前景。
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关键词
复合材料界面
聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯
钛酸锶钡
储能
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职称材料
题名
界面改善对P(VDF-co-CTFE)/BST复合材料介电和储能性能影响
被引量:
4
1
作者
夏卫民
张志成
陈源清
曹从军
机构
西安理工大学印刷包装工程学院
西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第14期1894-1898,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2009CB623306)
国家自然科学基金资助项目(51103115
50903065)
文摘
用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡(BaSrTiO3,BST)陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂(KH550)进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-co-CTFE))采用0-3方式进行了复合。然后通过溶液流延法在石英片上制备了P(VDF-co-CTFE)/BaSrTiO3复合材料厚膜,并进行了淬火处理。采用XRD、TEM、TGA和SEM表征了纳米陶瓷和复合材料形貌。结果表明KH550可以有效地作用于高介电常数BST陶瓷颗粒表面。KH550处理后的复合材料具有更大的介电常数(εr>33),更高耐电场强度(Eb>270MV/m)和较低的损耗。界面处理同时可以有效提高复合材料的饱和极化强度(Ps),降低剩余极化强度(Pr),使其储能密度(Ue)达6.8J/cm3。总体结果表明,两相界面改善后的聚合物/陶瓷复合材料在高储能密度领域中具有广泛的应用前景。
关键词
复合材料界面
聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯
钛酸锶钡
储能
Keywords
composites interface; p(vdf-co-ctfe); bst; discharged energy density
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB324 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
界面改善对P(VDF-co-CTFE)/BST复合材料介电和储能性能影响
夏卫民
张志成
陈源清
曹从军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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职称材料
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