用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.

柠檬酸盐体系铜电沉积及其在微机电系统中的应用

研究并讨论了在新型柠檬酸盐体系铜电沉积工艺中电镀工艺参数对镀层形貌和颗粒尺寸的影响;利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了镀层的结构和组分存在状态;并将柠檬酸盐体系电沉积铜应用于微机电系统(MEMS)加工工艺.结果表明:在6 g.L-1 Cu2+,pH=7.0-8.5,1-2 A.dm-2,45℃,搅拌条件下可得到结晶细小,表面平整的致密铜镀层;镀层为面心立方多晶结构的单质铜,不含其他杂质.利用MEMS工艺成功制得平面电感,其有效的最大品质因数(Q)为12.75,达到了设计要求.

碳基无源器件研究进展综述

碳纳米材料具有诸多独特的物理特性,如极大的热导率和载流容量.根据国际半导体技术发展路线图给出的预测,碳纳米材料可望取代传统硅和铜材料成为下一代集成电路的基础材料.本文针对碳纳米材料在无源电子器件方面的发展现状和应用前景,详细讨论了碳纳米管、石墨烯纳米带等碳基纳米互连结构的电学特性.进而,简要评述了片上电感、电容器等碳基高频无源器件,并介绍了碳纳米材料在集成电路热管理方面的应用.

体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现

制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RFIC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。

300kW有芯感应熔铜炉感应体技术改造

通过对引进的300kW 有芯感应熔炉的熔沟形状及耐火衬套冷却方式的技术改造,达到了提高感应体炉衬寿命的目的。

进口上引法熔炉耐火材料整体浇注技术的应用

铜陵有色股份铜冠电工有限公司"上引法"进口无氧铜杆生产线因面临报废的局面,必须研究新筑炉方式,对熔化炉和保温炉进行国产化改造,才能解决实际生产中存在的技术难题。论文主要从炉衬耐火材料的选择,捣筑、浇筑施工、烧结进行阐述,系统总结了公司利用耐火材料整体浇注熔化炉和保温炉的成功经验。

基于厚铜工艺的高Q值片上螺旋电感研究

为了减少片上螺旋电感的金属导体损耗,基于200mm晶圆的铜后道互连工艺线,开发了适用于射频电路的3μm厚铜工艺。流片测试结果显示,基于低阻硅衬底制作的电感器件在很宽的频率范围内,其品质因子Q值超过10,最高达到19.1;建立了用于电路设计的精确电感宏模型,根据该模型仿真与实测得到的电感Q值与L值随频率变化的比较,发现在20GHz的频率应用范围内该模型具有较高的精度,误差基本在10%以内,能够满足射频电路设计的需要。

一种单大马士革结构超厚铜集成电感

成功开发超厚介质膜的淀积和刻蚀工艺、超厚金属铜的电镀和化学机械研磨等工艺,采用与CMOS完全兼容的铜互连单大马士革工艺制作了超厚金属铜集成电感。该超厚金属铜电感在1~3 GHz频率范围内的电感值均匀,在2.5 GHz频率下的Q值达到11。并且进一步研究了线圈圈数、金属线宽和金属间距对电感值和Q值的影响。

大直径电感与导线超声波金属焊接的研究

针对超声波金属焊接目前只适用于丝,箔,片等薄件的连接,绝大多数情况下只适用于搭接接头,线材和线材间,线材和薄板件间的连接。在铜棒与导线间超声波金属焊接的研究,我们做了深入分析。本研究采用不同的振动能量,研究铜棒与2.5平方的线材和3平方的线材的结合可靠性。结果证明,大直径电感类产品铜棒与金属铜导线的连接,采用超声波金属焊接的可行性是比较高的。

铜箔式脉冲电抗器电感计算研究

为获得较为精确的铜箔式脉冲电抗器电感计算公式,首先从通电环形导线的电感计算公式出发,得出绕线式电抗器的电感计算公式;然后,基于铜箔划分的方法,建立了两种电抗器间的计算转化关系,综合考虑铜箔中的电流集肤效应,最终得出铜箔式电抗器的电感计算公式;最后,利用试验实测电感值与ANSYS仿真计算结果及解析计算公式结果进行对比,验证其准确性,进一步对电感计算公式的精度进行探讨,得出当铜箔式电抗器的匝数、铜箔厚度等参数发生变化时电感计算公式精度的变化规律及其适用范围,为电磁发射用铜箔式脉冲电抗器的设计提供了一定的理论基础。