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氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响
被引量:
26
1
作者
辜敏
杨防祖
+2 位作者
黄令
姚士冰
周绍民
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1946-1950,共5页
采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为 .在含与不含氯离子的 0 0 5mol·L-1CuSO4 0 5mol·L-1H2 SO4电解液中 ,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过UPD过程 ;氯离...
采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为 .在含与不含氯离子的 0 0 5mol·L-1CuSO4 0 5mol·L-1H2 SO4电解液中 ,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过UPD过程 ;氯离子明显使Cu的沉积和氧化峰变得尖锐 ,促进Cu的沉积速度 .计时安培实验结果表明 ,Cu的电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行 .氯离子不改变Cu的电结晶机理 ,但在I~t曲线中 ,导致电流达最大 (Im)所需的时间tm 减小、晶核数密度和生长速度增大 ,从而明显改变Cu沉积层的质量 .当Cl-浓度在 10~ 2 0mg·L-1范围内 ,成核的晶核数密度达较大 ,即氯离子的最适宜添加量 .
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关键词
玻碳电极
铜
氯离子
电结晶
镀铜
线性扫描伏安法
计时安培法
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职称材料
题名
氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响
被引量:
26
1
作者
辜敏
杨防祖
黄令
姚士冰
周绍民
机构
汕头大学化学系
厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1946-1950,共5页
基金
国家自然科学基金 (No .2 0 0 73 0 3 7)
优秀国家重点实验室基金 (No .2 0 0 2 3 0 0 1)资助项目
文摘
采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为 .在含与不含氯离子的 0 0 5mol·L-1CuSO4 0 5mol·L-1H2 SO4电解液中 ,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过UPD过程 ;氯离子明显使Cu的沉积和氧化峰变得尖锐 ,促进Cu的沉积速度 .计时安培实验结果表明 ,Cu的电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行 .氯离子不改变Cu的电结晶机理 ,但在I~t曲线中 ,导致电流达最大 (Im)所需的时间tm 减小、晶核数密度和生长速度增大 ,从而明显改变Cu沉积层的质量 .当Cl-浓度在 10~ 2 0mg·L-1范围内 ,成核的晶核数密度达较大 ,即氯离子的最适宜添加量 .
关键词
玻碳电极
铜
氯离子
电结晶
镀铜
线性扫描伏安法
计时安培法
Keywords
copper
,
chloride
,
glass carbon
,
electrocrystallization
分类号
O646.5 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响
辜敏
杨防祖
黄令
姚士冰
周绍民
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2002
26
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