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Microstructure and Mechanical Properties of CrN Films Deposited by Inductively Coupled Plasma Enhanced Radio Frequency Magnetron Sputtering
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作者 刘峰 孟月东 +1 位作者 任兆杏 舒兴胜 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第3期340-343,共4页
CrN films have been synthesized on Si(100) wafer by inductively coupled plasma (ICP)-enhanced radio frequency (RF) magnetron sputtering. The effects of ICP power on microstructure, crystal orientation, nanohardn... CrN films have been synthesized on Si(100) wafer by inductively coupled plasma (ICP)-enhanced radio frequency (RF) magnetron sputtering. The effects of ICP power on microstructure, crystal orientation, nanohardness and stress of the CrN films have been investigated. With the increase of ICP power, the current density at substrate increases and the films exhibit denser structure, while the DC self-bias of target and the deposition rate of films decrease. The films change from crystal structure to amorphous structure with the increase of ICP power. The measured nanohardness and the compressive stress of films reach the topmost at ICP power of 150 W and 200 W, respectively. The mechanical properties of films show strong dependence on the crystalline structure and the density influenced by the ICP power. 展开更多
关键词 inductively coupled plasma (ICP) rf magnetron sputtering CRN MICROSTRUCTURE nanohardness STRESS
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直流、射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及电学性能分析
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作者 沈月 张以棚 +4 位作者 许彦亭 巢云秀 唐可 王传军 闻明 《贵金属》 CAS 北大核心 2024年第1期1-9,14,共10页
为了探索直流和射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及性能差异,进而指导薄膜制备工艺优化。采用直流和射频磁控溅射法在SiO_(2)/Si(100)衬底上沉积不同时间和温度的钌薄膜;通过高分辨场发射扫描电镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针... 为了探索直流和射频磁控溅射制备钌薄膜的微观结构及性能差异,进而指导薄膜制备工艺优化。采用直流和射频磁控溅射法在SiO_(2)/Si(100)衬底上沉积不同时间和温度的钌薄膜;通过高分辨场发射扫描电镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针等方法研究不同溅射电源下制备的钌薄膜的微观结构和电学性能。结果表明,在相同溅射条件下,DC-Ru薄膜的结晶性优于RF-Ru薄膜;其厚度大于RF-Ru薄膜,满足tDC≈2tRF;其沉积速率高于RF-Ru薄膜,满足vDC≈2vRF。然而,其电阻率却高于RF-Ru薄膜,这主要得益于RF-Ru薄膜的致密度较高,从而降低了电子对缺陷的散射效应。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 射频磁控溅射 钌薄膜 微观结构 电阻率
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热处理温度对TbFe_2/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的影响 被引量:7
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作者 张万里 蒋洪川 +3 位作者 张金平 彭斌 张文旭 杨仕清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期296-297,301,共3页
 采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响。采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜...  采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响。采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的晶化曲线、成分随深度的变化以及磁致伸缩系数进行了分析与测试。结果表明:TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为327℃,在此热处理温度下热处理60min,外加磁场1.6×104A/m时,TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数可达1.56×10-4。采用XPS分析了一个周期的TbFe2/Fe成分随薄膜深度的变化,未经热处理的薄膜Fe层和TbFe2层之间界面清晰,两层之间有少量的扩散。经327℃热处理60min的薄膜Fe层和TbFe2层界面发生了互扩散,原子数之比也发生了改变。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜 交换耦 磁致伸缩系数
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氮流量比对直流/射频磁控溅射CrN涂层耐腐蚀性的影响 被引量:4
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作者 谈淑咏 吴湘君 +1 位作者 张旭海 蒋建清 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1246-1250,共5页
采用直流/射频磁控溅射法,在不同氮流量比条件下制备了CrN涂层。利用扫描电镜、X射线衍射、显微硬度计和电化学测试系统研究了氮流量比对涂层组织和性能的影响,并对涂层腐蚀机制进行了初步探讨。研究结果表明:不同氮流量比条件下,直流溅... 采用直流/射频磁控溅射法,在不同氮流量比条件下制备了CrN涂层。利用扫描电镜、X射线衍射、显微硬度计和电化学测试系统研究了氮流量比对涂层组织和性能的影响,并对涂层腐蚀机制进行了初步探讨。研究结果表明:不同氮流量比条件下,直流溅射CrN涂层呈现明显的柱状晶,组织疏松,而射频溅射涂层结构都比较致密,导致射频涂层的耐腐蚀性明显优于直流涂层;在直流条件下,氮流量比为70%时的CrN涂层耐蚀性最佳。 展开更多
关键词 直流 射频磁控溅射 CRN涂层 氮流量比 耐腐蚀性
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高质量类金刚石薄膜的制备与性能分析 被引量:2
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作者 王涛 刘磊 +5 位作者 陈果 何小珊 张玲 何智兵 易勇 杜凯 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1145-1152,共8页
采用直流/射频耦合磁控溅射法在Si(100)衬底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。利用Raman光谱仪、X射线光电子能谱仪表征不同射频功率下所制备薄膜的化学结构,讨论射频功率对薄膜化学结构的影响。采用X射线小角反射法表征薄膜的质量密度,... 采用直流/射频耦合磁控溅射法在Si(100)衬底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。利用Raman光谱仪、X射线光电子能谱仪表征不同射频功率下所制备薄膜的化学结构,讨论射频功率对薄膜化学结构的影响。采用X射线小角反射法表征薄膜的质量密度,利用曲率弯曲法表征薄膜的残余内应力,采用扫描电镜和原子力显微镜表征所制备薄膜的表面形貌与粗糙度。研究表明:薄膜中sp3键的含量随着射频功率的增加而呈现出先增大后减小的趋势,且在射频功率为40 W时达到最大值45.6%。随着射频功率的增加,薄膜的表面粗糙度呈现出先减小后增大的趋势,当射频功率为40 W时薄膜的表面粗糙度最小,为1.6 nm。直流/射频耦合磁控溅射法在不同射频功率下制备出的薄膜,其内应力均低于1.0 GPa,薄膜质量密度的变化范围为2.26~2.44 g/cm^3,有望成功制备出内应力低、密度高的高质量DLC薄膜。 展开更多
关键词 直流/射频耦合磁控溅射 类金刚石薄膜 射频功率 质量密度
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直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能 被引量:1
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作者 聂竹华 李合琴 +2 位作者 都智 储汉奇 宋泽润 《真空》 CAS 北大核心 2011年第4期65-68,共4页
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射... 用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOX薄膜,经Ar气氛中450℃退火2 h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右。XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOX晶格;另外单晶硅片上制备的VOX薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜。 展开更多
关键词 直流 射频磁控共溅射 VOx薄膜 W掺杂 相变温度 基底
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射频与直流磁控溅射制备DLC薄膜的工艺研究及特性对比 被引量:1
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作者 王淑占 李合琴 +3 位作者 赵之明 巫邵波 顾金宝 宋泽润 《真空与低温》 2007年第3期138-141,共4页
采用直流与射频磁控溅射技术,用高纯石墨在单晶硅(100)表面制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用拉曼光谱、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面和截面形貌,以及与溅射工艺的关系,并且对溅射过程中粒子输运机理进行了解释。结果表明,2种溅射方法... 采用直流与射频磁控溅射技术,用高纯石墨在单晶硅(100)表面制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用拉曼光谱、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面和截面形貌,以及与溅射工艺的关系,并且对溅射过程中粒子输运机理进行了解释。结果表明,2种溅射方法制备的薄膜均含有相当的sp3杂化碳原子。射频磁控溅射沉积的DLC薄膜所含sp3杂化碳原子的量要高于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜,且薄膜质量优于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 射频磁控溅射 直流磁控溅射 拉曼光谱 扫描电镜
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电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射沉积ZrN薄膜的结构和性能研究
8
作者 刘峰 孟月东 +2 位作者 任兆杏 沈克明 舒兴胜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期526-530,共5页
利用电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射技术,在Si(111)片表面制备了ZrN薄膜。研究发现,随着ICP功率的增大,基片的电流密度增大,薄膜的致密度增大,粗糙度降低。XRD结果表明:当ICP功率在0 W^300 W之间,薄膜为单一的ZrN结构,硬度随着... 利用电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射技术,在Si(111)片表面制备了ZrN薄膜。研究发现,随着ICP功率的增大,基片的电流密度增大,薄膜的致密度增大,粗糙度降低。XRD结果表明:当ICP功率在0 W^300 W之间,薄膜为单一的ZrN结构,硬度随着ICP功率的增大而增大,在ICP=300 W时达到最大值32 GPa,应力保持在-8 GPa左右;当ICP功率在400 W^500 W,薄膜为ZrN和ZrNx复合结构。硬度和应力分别降低到20 GPa和-3 GPa。薄膜的这些性能的变化是由于ICP功率变化引起结构变化造成的。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体 磁控溅射 ZRN 微结构 纳米硬度
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一种双真空室结构磁控溅射台的研制 被引量:2
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作者 全廷立 刘咸成 贾京英 《真空》 CAS 2012年第1期57-59,共3页
本文研制了一种较高档的磁控溅射镀膜设备,用于微电子器件规模化生产过程中的基片表面镀膜。该设备采用双真空室结构,使溅射室始终维持较高的真空度和洁净度,提高镀膜质量和镀膜效率。环绕溅射室设计了3个直流靶和1个射频靶,能够溅射金... 本文研制了一种较高档的磁控溅射镀膜设备,用于微电子器件规模化生产过程中的基片表面镀膜。该设备采用双真空室结构,使溅射室始终维持较高的真空度和洁净度,提高镀膜质量和镀膜效率。环绕溅射室设计了3个直流靶和1个射频靶,能够溅射金属膜、介质膜、混合物和化合物薄膜。文中详述了该设备的设计原理、总体结构及工艺控制方法。该磁控溅射台已开发成功并投入使用,替代了同类进口设备。 展开更多
关键词 磁控溅射 双室结构 直流溅射 射频溅射
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Oscillatory magnetic interlayer exchange coupling in Fe-N/TiN multilayer
10
作者 王振军 常香荣 +3 位作者 田中卓 肖纪美 闻立时 赖武彦 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1996年第15期1309-1312,共4页
Interlayer exchange coupling was first observed in Fe/Cr/Fe(001) sandwiches and Gd/Y multilayer films. In Gd/Y, the interlayer exchange is an oscillatory function of the Y thickness. Now strong interlayer exchange eff... Interlayer exchange coupling was first observed in Fe/Cr/Fe(001) sandwiches and Gd/Y multilayer films. In Gd/Y, the interlayer exchange is an oscillatory function of the Y thickness. Now strong interlayer exchange effects have been found in many multilayered structures based on ferromagnetic transition metals such as Fe/Cu, Ag/Ni and Fe/Au multilayer films. The multilayer films based on Fe-N alloy attracted 展开更多
关键词 MULTILAYERS EXCHANGE coupling dc-magnetron sputtering.
原文传递
低温磁控溅射制备AZO薄膜及绒面研究 被引量:1
11
作者 张宽翔 彭寿 +3 位作者 姚婷婷 曹欣 金克武 徐根保 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期818-823,共6页
采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面AZO薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备... 采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面AZO薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备重点研究工作压强对直流射频耦合磁控溅射制备AZO薄膜的晶相结构、表面形貌、光电性能以及后期制绒的影响。研究表明,直流射频耦合磁控溅射可以在低温下制备性能优异的AZO薄膜,且随着工作压强的减小,致密性增强,光电性能改善,后期刻蚀得到具有良好陷光作用的绒面结构。在工作压强0.5 Pa下,低温制备的AZO薄膜电阻率达到3.55×10^(-4)Ω·cm,薄膜可见光透过达到88.36%,刻蚀后电阻率为4.19×10^(-4)Ω·cm,可见光透过率89.59%,雾度达24.7%。 展开更多
关键词 直流射频耦合磁控溅射 AZO薄膜 工作压强 绒面
原文传递
NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征 被引量:2
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作者 唐立丹 张跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1145-1149,共5页
采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现,处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响,其中处理温度为700℃时,薄膜具有较好的c轴择优... 采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现,处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响,其中处理温度为700℃时,薄膜具有较好的c轴择优取向,并且薄膜表面平整,结构紧密,晶粒大小均匀,无明显空洞和裂缝,具有良好的表面质量,晶粒尺寸约为40—60nm,薄膜的导电类型由n型转变为p型. 展开更多
关键词 P型ZNO Al+N共掺杂 直流/射频共溅射
原文传递
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