期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于级间电容抵消技术的74~88 GHz高性能CMOS LNA设计
1
作者 康志谋 邹林峰 +2 位作者 蒋欣怡 石春琦 张润曦 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第6期484-491,共8页
采用55 nm CMOS工艺,面向毫米波雷达应用,设计了一款74~88 GHz高性能CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA应用共源共栅结构,为了改善噪声系数、提高稳定性增益,采用级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术和基于反相双圈耦合的等效跨导增强... 采用55 nm CMOS工艺,面向毫米波雷达应用,设计了一款74~88 GHz高性能CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA应用共源共栅结构,为了改善噪声系数、提高稳定性增益,采用级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术和基于反相双圈耦合的等效跨导增强技术。和传统共栅短接技术相比,级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术改善噪声系数1.58 dB,提高稳定性增益7.67 dB。芯片测试结果表明,LNA峰值增益为17.1 dB,最小噪声系数为6.3 dB,3 dB带宽为14 GHz(74.8~88.8 GHz),在78 GHz中心频率处输入1 dB压缩点(IP1dB)为-10.2 dBm,功耗为102 mW。 展开更多
关键词 寄生电容抵消 低噪声放大器 反相双圈耦合 电感反馈共栅短接
下载PDF
CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器(英文) 被引量:4
2
作者 杨格亮 王志功 +3 位作者 李智群 李芹 刘法恩 李竹 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期584-590,共7页
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5~39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27~42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最... 陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5~39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27~42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最小噪声系数(NF)为4.2dB,平均NF在27 ~ 42 GHz频段内为5.1 dB;S11在整个测试频段内小于-11 dB.40 GHz处输入三阶交调点(IIP3)的测试值为+2 dBm.整个电路的直流功耗为5.3 mW.包括焊盘在内的芯片面积为0.58 mm×0.48 mm。 展开更多
关键词 毫米波 宽带 互补金属氧化物半导体(CMOS) 共栅 低噪声放大器(lna) 集成电路(IC)
下载PDF
A tunable passive mixer for SAW-less front-end with reconfigurable voltage conversion gain and intermediate frequency bandwidth 被引量:1
3
作者 陶健 fan xiangning zhao yuan 《High Technology Letters》 EI CAS 2018年第1期10-18,共9页
An adjustable mixer for surface acoustic wave( SAW)-less radio frequency( RF) front-end is presented in this paper. Through changing the bias voltage,the presented mixer with reconfigurable voltage conversion gain( VC... An adjustable mixer for surface acoustic wave( SAW)-less radio frequency( RF) front-end is presented in this paper. Through changing the bias voltage,the presented mixer with reconfigurable voltage conversion gain( VCG) is suitable for multi-mode multi-standard( MMMS) applications. An equivalent local oscillator( LO) frequency-tunable high-Q band-pass filter( BPF) at low noise amplifier( LNA) output is used to reject the out-of-band interference signals. Base-band( BB) capacitor of the mixer is variable to obtain 15 kinds of intermediate frequency( IF) bandwidth( BW). The proposed passive mixer with LNA is implemented in TSMC 0. 18μm RF CMOS process and operates from 0. 5 to 2. 5 GHz with measured maximum out-of-band rejection larger than 40 d B. The measured VCG of the front-end can be changed from 5 to 17 d B; the maximum input intercept point( IIP3) is0 d Bm and the minimum noise figure( NF) is 3. 7 d B. The chip occupies an area of 0. 44 mm^2 including pads. 展开更多
关键词 RECONFIGURABLE radio frequency (RF) FRONT-END multi-mode multi-standard( MMMS) HIGH-Q BAND-PASS filter ( BPF) cross-coupled common gate low noise amplifier ( cc-cglna) CMOS
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部